一种用于时分双工系统的功放开关控制电路技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于时分双工系统的功放开关控制电路。该电路包括横向扩散金属氧化物半导体ＬＤＭＯＳ管，所述ＬＤＭＯＳ管的栅极通过一电阻与一双掷开关的ＣＯＭ脚相连，所述双掷开关的ＣＯＭ脚还通过一电容接地；所述双掷开关的Ｎ／Ｏ脚接所述ＬＤＭＯＳ管的栅极电压，该Ｎ／Ｏ脚还通过一电容接地；所述双掷开关的Ｎ／Ｃ脚通过一电阻接地；所述双掷开关的ＩＮ脚接收高、低电平输入，Ｖ＋脚接电源。本实用新型专利技术既可以保证功放的开关时间符合相关标准，又克服了ＬＤＭＯＳ管的栅极记忆效应，从而满足功放开关控制电路在ＴＤＤ系统，尤其是在ＴＤ－ＳＤＭＡ系统中的应用。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于时分双工系统的功放开关控制电路，包括横向扩散金属氧化物半导体ＬＤＭＯＳ管，其特征在于，所述ＬＤＭＯＳ管的栅极通过一电阻与一双掷开关的ＣＯＭ脚相连，所述双掷开关的ＣＯＭ脚还通过一电容接地；所述双掷开关的Ｎ／Ｏ脚接所述ＬＤＭＯＳ管的栅极电压，该Ｎ／Ｏ脚还通过一电容接地；所述双掷开关的Ｎ／Ｃ脚通过一电阻接地；所述双掷开关的ＩＮ脚接收高、低电平输入，Ｖ＋脚接电源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈化璋，朱玉波，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]