【技术实现步骤摘要】
半导体装置及制造半导体装置的方法
[0001]本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说，涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]先前的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过大、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
[0003]本揭露的各种态样提供一种半导体装置，其包括：衬底，其包括：衬底第一侧，衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及导电结构，其包括：内部端子，其在所述衬底第一侧上方；以及外部端子，其在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子；电子组件，其包括：电子组件第一侧；电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧；其中所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个；引导结构，其在所述衬底第一侧上方且包括：内部部分，其从所述电子组件横向侧横向向内，及外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其包括：衬底第一侧，衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及导电结构，其包括：内部端子，其在所述衬底第一侧上方；以及外部端子，其在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子；电子组件，其包括：电子组件第一侧；电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧；其中所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个；引导结构，其在所述衬底第一侧上方且包括：内部部分，其从所述电子组件横向侧横向向内，及外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外；以及底部填充物，其插入于所述电子组件第二侧和所述衬底第一侧之间，其中所述底部填充物在所述引导结构上方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述底部填充物从所述电子组件横向侧延伸的距离比从所述电子组件的另一横向侧延伸的距离更远。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述引导结构是所述导电结构的部分。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述引导结构包括：第一导轨，其包括：第一长度；所述内部部分；及所述外部部分；以及第二导轨，其与所述第一导轨横向间隔开且包括：第二长度；及第二外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：所述第二导轨包括从所述电子组件横向表面横向向内的第二内部部分。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：所述第二长度不同于所述第一长度。7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：所述引导结构进一步包括第三导轨；所述第三导轨包括第三长度；
所述第二导轨插入于所述第一导轨和所述第三导轨之间；且所述第二长度小于所述第一长度和所述第三长度。8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：所述电子组件在大体垂直于所述第一导轨的第一方向上具有一电子组件长度；所述引导结构进一步包括引导基底，所述引导基底在所述第一方向上具有引导基底第一长度且在大体平行于所述第一导轨的第二方向上具有引导基底第二长度；所述引导基底将所述第一导轨和所述第二导轨耦合在一起；且所述第一导轨和所述第二导轨插入于所述引导基底和所述电子组件横向侧之间。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：所述引导基底第一长度小于所述电子组件长度；且所述引导基底第二长度小于所述引导基底第一长度。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：坝结构，其在所述衬底第一侧上方且横向环绕所述电子组件和所述引导结构。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：罩盖，其囊封所述电子组件、所述底部填充物和所述衬底的至少部分。12.一种半导体装置，其包括：衬底，其包括：衬底第一侧，衬底第二侧，其与...
【专利技术属性】
技术研发人员：李王谷，英简涵，申朱红，易吉寒，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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