用以检测功率损耗的易失性寄存器制造技术

本申请涉及用以检测功率损耗的易失性寄存器。存储器系统可接收进入第一功率模式的命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗。所述存储器系统可在进入所述第一功率模式(例如，低功率模式)之前将数据存储在与所述存储器系统相关联的寄存器中。所述存储器系统可接收退出所述第一功率模式的命令。所述存储器系统可确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误。所述存储器系统可基于确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而选择待执行的复位操作以退出所述第一功率模式。以退出所述第一功率模式。以退出所述第一功率模式。

【技术实现步骤摘要】
用以检测功率损耗的易失性寄存器
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请要求He等人2022年1月12日提交的名称为“用以检测功率损耗的易失性寄存器(VOLATILE REGISTER TO DETECT POWER LOSS)”的美国专利申请第17/574,044号的优先权，所述美国专利申请要求He等人2021年2月10日提交的名称为“用以检测功率损耗的易失性寄存器(VOLATILE REGISTER TO DETECT POWER LOSS)”的美国临时专利申请第63/147,983号的权益，所述专利申请中的每一个都转让给本受让人且所述专利申请中的每一个都以全文引用的方式明确地并入本文中。


[0003]
涉及用以检测功率损耗的易失性寄存器。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程为通常对应于逻辑1或逻辑0的两种支持状态中的一种。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，存储器单元可存储所述可能状态中的任一个。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

技术实现思路

[0006]描述一种设备。所述设备可包含存储器系统和与所述存储器系统耦合的控制电路。所述控制电路可配置成使得所述设备进行以下操作：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与所述存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及基于基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。
[0007]描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包含指
令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使得所述电子装置进行以下操作：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及基于基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。
[0008]描述一种在存储器系统处执行的方法。所述方法可包含：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与所述存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及基于基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。
附图说明
[0009]图1说明根据如本文所公开的实例的支持易失性寄存器检测功率损耗的系统的实例。
[0010]图2说明根据如本文所公开的实例的支持易失性寄存器检测功率损耗的状态图的实例。
[0011]图3说明根据如本文所公开的实例的支持易失性寄存器检测功率损耗的流程图的实例。
[0012]图4展示根据如本文所公开的实例的支持易失性寄存器检测功率损耗的存储器系统的框图。
[0013]图5展示说明根据如本文所公开的实例的支持易失性寄存器检测功率损耗的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0014]存储器系统可能随时间推移而耗损，且在进行如此多的存取操作之后可能无法用作存储器系统。举例来说，当存储器系统被功率循环时，发生将数据从高速缓存移动到更永久的数据存储装置的大量读取和写入。存取操作可减少存储器系统的寿命。因此，反复对存储器系统进行功率循环可减少存储器系统的寿命。一些主机系统(例如电池供电的(例如移动电话、平板计算机或其它移动装置))可在一天内多次对存储器系统进行功率循环作为进入和退出低功率模式的部分，以节省能量。此类操作可引入额外存取操作以将数据移动到高速缓存和从高速缓存移动数据作为进入和退出低功率模式的部分，且进而减少存储器系统的寿命。功率循环还可导致对存储器系统的内部数据的读取干扰，其中所述数据可能无法耗损均衡、刷新或传送到冗余块，进而降低执行操作的效率和启动时间以及存储器系统的整体性能。
[0015]在一些情况下，存储器系统可执行复位操作以从较低功率状态唤醒。一些存储器系统可支持可涉及不同量的数据移动的多种类型的复位操作(例如，硬复位操作和软复位操作)。举例来说，存储器系统可执行硬复位以适应断电状态期间的潜在欠压状况、中断或
功率损耗。在此类情况下，存储器系统可执行硬复位而无需识别功率损耗事件(例如，欠压状况、中断等)是否发生。存储器系统可能不知道存储器系统的状态或存储器系统在处于断电状态时是否受功率损耗影响。在不识别问题的情况下执行硬复位可增加存储器系统加载内部数据的耗损，进而增加启动时间和执行操作的等待时间、降低存储器系统的效率且降低存储器系统的整体性能。
[0016]描述系统、装置和技术以改进经历功率循环和复位操作的存储器系统的整体效率和操作。在一些存储器系统中，可通过响应于从主机系统接收到进入低功率模式(例如，断电状态、睡眠状态等)的命令而将数据存储在存储器系统的寄存器中来改进效率。存储器系统可接收退出低功率模式的命令且检查寄存器以确定数据是否包含一或多个错误。一或多个错误可为存储器系统在低功率模式的至少一部分期间经历欠压状况、中断或功率损耗的结果。在此类情况下，存储器系统可基于数据是否包含一或多个错误而选择待执行的复位操作的类型(例如，硬复位操作或软复位操作)。举例来说，如果存储器系统确定数据包含一或多个错误，那么存储器系统可执行硬复位。在其它实例中，如果存储器系统确定数据未能包含一或多个错误，那么存储器系统可执行软复位。
[0017]执行软复位而不是硬复位可减少实施为复位操作的部分的存取操作的数量，进而减少操作的功率消耗且减少由复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器系统；以及控制电路，其与所述存储器系统耦合且配置成使得所述设备进行以下操作：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与所述存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；至少部分地基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及至少部分地基于至少部分地基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于接收到所述第二命令而确定所述数据包含所述一或多个错误，其中所述复位操作包括复位不受软刷新操作影响的一或多个设置的硬复位操作。3.根据权利要求2所述的设备，其中，为执行所述硬复位操作，所述控制电路配置成使得所述设备进行以下操作：从存储器检索已复位的所述一或多个设置的信息。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于接收到所述第二命令而确定所述数据未能包含所述一或多个错误，其中执行所述复位操作至少部分地基于确定所述数据未能包含所述一或多个错误。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于确定所述数据未能包含所述一或多个错误而确定所述存储器系统的功率参数未能满足阈值，其中所述复位操作包括避免复位由硬刷新操作复位的一或多个设置的软复位操作，且其中执行所述软复位操作至少部分地基于确定所述功率参数未能满足所述阈值。6.根据权利要求5所述的设备，其中在与所述存储器系统相关联的所述寄存器中存储与所述存储器系统相关联的所述数据发生在使用所述软复位操作从所述第一功率模式进入所述第二功率模式之后。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于确定所述数据包含所述一或多个错误而确定所述存储器系统的功率参数满足阈值，其中所述复位操作包括复位不受软刷新操作影响的一或多个设置的硬复位操作。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于存储所述数据而进入所述第一功率模式，其中接收所述第二命令至少部分地基于进入所述第一功率模式。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于存储所述数据而确定所述存储器系统的电压满足阈值，其中进入所述第一功率模式至少部分地基于确定所述存储器系统的所述电压满足所述阈值。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路进一步配置成使得所述设备进行以下操作：至少部分地基于执行所述复位操作而退出所述第一功率模式。11.一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体，所述代码包括可由电子装置的处理器执行的指令，使得所述电子装置进行以下操作：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；至少部分地基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及至少部分地基于至少部分地基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。12.根据权利要求11所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使得所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于接收到所述第二命令而确定所述数据包含所述一或多个错误，其中所述复位操作包括复位不受软刷新操作影响的一或多个设置的硬复位操作。13.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：何德平，J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：