RCD吸收电路及开关电源电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种RCD吸收电路与开关电源电路，其中的RCD吸收电路通过将二极管电路单元设置为包括至少两个二极管电路子单元，所有的二极管电路子单元依次串联连接；每个二极管电路子单元均包括二极管以及与所述二极管并联的分压单元；且所有的二极管均为慢恢复二极管。从而使得该RCD吸收电路既可以在电流和功率小的情况下使用，以获得较好的效率和EMI性能；也可以在电流和功率大的情况下使用，由于电路的反向电压由串联连接的各个二极管电路子单元来进行分摊，单个二极管反向电压降低，反向恢复损耗段时间变短，因而即使在电流和功率大的情况下使用，也能获得较好的效率和EMI性能，同时二极管的发热减小，单个二极管的损耗大大降低。损耗大大降低。损耗大大降低。

【技术实现步骤摘要】
RCD吸收电路及开关电源电路


[0001]本技术涉及电源领域，尤其涉及一种RCD吸收电路及开关电源电路。

技术介绍

[0002]在隔离反激电路中，变压器初级侧漏感的能量会在初级开关管关断时产生一个很高的尖峰电压，其会对初级开关管电压应力造成不良影响，故需加吸收电路将该尖峰电压吸收掉，常用的吸收电路有RC吸收，RCD吸收，有源钳位吸收等，目前绝大多数采用RCD吸收，其具有低成本，高可靠性等优点。
[0003]RCD吸收电路中，二极管D的反向恢复时间对效率以及EMI有较大影响。选用慢恢复二极管时，在电流和功率小的情况下，其效率、EMI性能都较好，但因慢恢复二极管自身损耗比快恢复二极管大，发热也较大，并且在电流大或功率大的情况下，因慢恢复二极管发热严重，会导致其温升较高，反向恢复时间进一步延长，损耗加大，效率反而比快恢复二极管低，且一旦温度与反向恢复时间出现正反馈关系，温度将持续升高，二极管会因过热而烧毁，故在大电流或大功率场合，不适合选用慢恢复二极管做RCD吸收二极管，常选用反向恢复时间较小的快恢复二极管。
[0004]目前没有相应的方案能够解决在大电流或大功率场合下能够兼顾效率、EMI特性与RCD吸收电路中的二极管的发热问题。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种RCD吸收电路及开关电源电路，以解决大电流或大功率场合下的RCD吸收电路的效率、EMI特性与二极管的发热如何兼顾的问题。
[0006]根据本技术的第一方面，提供了一种RCD吸收电路，包括：尖峰电压输入端、电源连接端、第一电阻、第一电容以及二极管电路单元；其中：
[0007]所述第一电阻的第一端连接所述电源连接端，所述第一电阻的第二端连接所述二极管电路单元的阴极；
[0008]所述第一电容与所述第一电阻并联连接；
[0009]所述二极管电路单元的阳极连接所述尖峰电压输入端；
[0010]所述二极管电路单元包括至少两个二极管电路子单元，所有的二极管电路子单元依次串联连接；每个二极管电路子单元均包括二极管以及与所述二极管并联的分压单元；且所有的二极管均为慢恢复二极管。
[0011]可选的，所述二极管电路子单元的数量为两个，所述二极管电路单元包括：
[0012]第一二极管，所述第一二极管的阴极作为所述二极管电路单元的阴极；
[0013]第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阳极连接，所述第二二极管的阳极作为所述二极管电路单元的阳极；
[0014]第一分压单元，与所述第一二极管并联连接；
[0015]第二分压单元，与所述第二二极管并联连接。
[0016]可选的，所述二极管电路子单元的数量为三个，所述二极管电路单元包括：
[0017]第一二极管，所述第一二极管的阴极作为所述二极管电路单元的阴极；
[0018]第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阳极连接；
[0019]第三二极管，所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第三二极管的阳极作为所述二极管电路单元的阳极；
[0020]第一分压单元，与所述第一二极管并联连接；
[0021]第二分压单元，与所述第二二极管并联连接；
[0022]第三分压单元，与所述第三二极管并联连接。
[0023]可选的，所述分压单元为分压电阻。
[0024]可选的，所述分压单元为分压电容。
[0025]可选的，所述分压单元包括分压电阻以及分压电容，所述分压电阻与所述分压电容并联连接。
[0026]可选的，还包括第二电阻，所述二极管电路单元的阳极通过所述第二电阻连接所述尖峰电压输入端。
[0027]根据本技术的第二方面，提供了一种开关电源电路，包括：前述任一项所述的RCD吸收电路、初级绕组、漏感、主开关管以及控制模块；
[0028]所述初级绕组的第一端连接至所述电源连接端；所述初级绕组的第二端连接所述漏感的第一端，所述漏感的第二端连接所述主开关管的第一端；
[0029]所述主开关管的第二端接地；所述主开关管的控制端接所述控制模块；
[0030]所述漏感的第二端连接所述尖峰电压输入端。
[0031]可选的，所述主开关管的第二端通过一第三电阻接地。
[0032]可选的，该开关电源电路还包括次级绕组。
[0033]本技术提供的RCD吸收电路与开关电源电路中，通过将二极管电路单元设置为包括至少两个二极管电路子单元，所有的二极管电路子单元依次串联连接；每个二极管电路子单元均包括二极管以及与所述二极管并联的分压单元；且所有的二极管均为慢恢复二极管。从而使得该RCD吸收电路既可以在电流和功率小的情况下使用，以获得较好的效率和EMI性能；也可以在电流和功率大的情况下使用，由于电路的反向电压由串联连接的各个二极管电路子单元来进行分摊，单个二极管反向电压降低，反向恢复损耗段时间变短，因而即使在电流和功率大的情况下使用，也能获得较好的效率和EMI性能，同时二极管的发热减小，单个二极管的损耗大大降低。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是区别于本技术实施例的一种RCD吸收电路的电路构造示意图；
[0036]图2是本技术一实施例中的第一种RCD吸收电路的电路构造示意图；
[0037]图3是本技术另一实施例中的第二种RCD吸收电路的电路构造示意图；
[0038]图4是本技术一一实施例中开关电源电路的电路构造示意图；
[0039]图5是本技术另一实施例中开关电源电路的电路构造示意图；
[0040]图6是图4所示开关电源电路的波形示意图。
[0041]附图标记说明：
[0042]10
‑
控制模块；
[0043]100
‑
第一种RCD吸收电路；
[0044]200
‑
第二种RCD吸收电路；
[0045]Vin
‑
输入电压；
[0046]Cin
‑
电源侧电容；
[0047]Np
‑
初级绕组；
[0048]Ns
‑
次级绕组；
[0049]N
‑
初级绕组与次级绕组的匝数比；
[0050]D0
‑
输出二极管；
[0051]C0
‑
输出电容；
[0052]R0
‑
输出电阻；
[0053]L1
‑
漏感；
[0054]Q1
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RCD吸收电路，其特征在于，包括：尖峰电压输入端、电源连接端、第一电阻、第一电容以及二极管电路单元；其中：所述第一电阻的第一端连接所述电源连接端，所述第一电阻的第二端连接所述二极管电路单元的阴极；所述第一电容与所述第一电阻并联连接；所述二极管电路单元的阳极连接所述尖峰电压输入端；所述二极管电路单元包括至少两个二极管电路子单元，所有的二极管电路子单元依次串联连接；每个二极管电路子单元均包括二极管以及与所述二极管并联的分压单元；且所有的二极管均为慢恢复二极管。2.根据权利要求1所述的RCD吸收电路，其特征在于，所述二极管电路子单元的数量为两个，所述二极管电路单元包括：第一二极管，所述第一二极管的阴极作为所述二极管电路单元的阴极；第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阳极连接，所述第二二极管的阳极作为所述二极管电路单元的阳极；第一分压单元，与所述第一二极管并联连接；第二分压单元，与所述第二二极管并联连接。3.根据权利要求1所述的RCD吸收电路，其特征在于，所述二极管电路子单元的数量为三个，所述二极管电路单元包括：第一二极管，所述第一二极管的阴极作为所述二极管电路单元的阴极；第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阳极连接；第三二极管，所述第三二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接，所述第三二极管的阳极作为所述二极管电路单元的阳极；第一分压单元，与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林火荣，肖海斌，
申请(专利权)人：华源智信半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：