电介质组合物、电子部件及层叠电子部件制造技术

本发明专利技术提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。主相粒子的至少一部分具有核壳结构。电介质组合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M为选自特定的元素组中的1种以上的元素。在电介质组合物中，在将RA相对于主成分的含量以RA2O3换算设为C

【技术实现步骤摘要】
电介质组合物、电子部件及层叠电子部件


[0001]本专利技术涉及一种电介质组合物、电子部件及层叠电子部件。

技术介绍

[0002]近年来，寻求具有良好的温度特性且在高温
·
高电场下具有高可靠性的电介质组合物及具有该电介质组合物的电子部件及层叠电子部件。
[0003]在专利文献1中记载有与以ABO3为主成分的电介质陶瓷相关的专利技术。该电介质陶瓷中，将稀土元素分成二组，限定各自的添加量。其结果，得到温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命优异的电介质陶瓷。
[0004]但是，目前寻求温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命更良好的电介质组合物。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第5541318号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的技术问题
[0009]本专利技术是鉴于这样的实际情况而研发的，其目的在于提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]为了实现上述目的，本专利技术所涉及的电介质组合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分，其中，
[0012]所述主相粒子的至少一部分具有核壳结构，
[0013]所述电介质组合物含有RA、RB、M及Si，
[0014]A为选自Ba、Sr及Ca中的至少1种，
[0015]B为选自Ti、Zr及Hf中的至少1种，
[0016]RA为选自Eu、Gd、Tb及Dy中的至少1种，
[0017]RB为选自Y、Ho及Yb中的至少1种，
[0018]M为选自Mg、Mn、V及Cr中的至少1种，
[0019]在所述电介质组合物中，将RA相对于所述主成分的含量以RA2O3换算设为C
RA
摩尔％，将RB相对于所述主成分的含量以RB2O3换算设为C
RB
摩尔％，
[0020]将所述核壳结构的壳部中的RA的平均含量设为S
RA
摩尔％、将RB的平均含量设为S
RB
摩尔％的情况下，
[0021]S
RA
/S
RB
＞C
RA
/C
RB
。
[0022]也可以包含所述主相粒子和偏析粒子，
[0023]在将所述偏析粒子中主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti的特定偏析粒子中的RA的平均含量设为α摩尔％，将RB的平均含量设为β摩尔％的情况下，也可以α/β＜C
RA
/C
RB
。
[0024]在所述电介质组合物的截面中，所述特定偏析粒子的合计面积相对于所述偏析粒子的合计面积的比例也可以为80％以上。
[0025]也可以是，C
RA
为0.60摩尔％以上且2.40摩尔％以下，
[0026]C
RB
为0.30摩尔％以上且1.20摩尔％以下，
[0027]M相对于所述主成分的含量以MO换算为0.20摩尔％以上且1.00摩尔％以下，
[0028]Si相对于所述主成分的含量以SiO2换算为0.60摩尔％以上且1.80摩尔％以下。
[0029]本专利技术所涉及的电子部件具有上述电介质组合物。
[0030]本专利技术所涉及的层叠电子部件通过交替层叠由上述电介质组合物构成的电介质层和电极层而成。
附图说明
[0031]图1A是层叠陶瓷电容器的剖视图。
[0032]图1B是沿着图1A的IB
‑
IB线的层叠陶瓷电容器的剖视图。
[0033]图2是电介质组合物的截面的示意图。
[0034]符号的说明：
[0035]1…
层叠陶瓷电容器
[0036]10
…
元件主体
[0037]2…
电介质层
[0038]14
…
主相粒子
[0039]16
…
偏析粒子
[0040]16a
…
特定偏析粒子
[0041]16b
…
(特定偏析粒子以外的)偏析粒子
[0042]3…
内部电极层
[0043]4…
外部电极
具体实施方式
[0044]＜1.层叠陶瓷电容器＞
[0045]1.1层叠陶瓷电容器的整体结构
[0046]在图1A及图1B中示出作为本实施方式的层叠电子部件的一例的层叠陶瓷电容器1。层叠陶瓷电容器1具有交替层叠有电介质层2和内部电极层3的结构的元件主体10。在该元件主体10的两端部形成有与在元件主体10的内部交替配置的内部电极层3分别导通的一对外部电极4。元件主体10的形状没有特别限制，通常设为长方体状。另外，元件主体10的尺寸也没有特别限制，只要根据用途设为适当的尺寸即可。
[0047]在本实施方式中，元件主体10的纵向尺寸L0(参照图1A)也可以为5.7～0.4mm。元件主体10的宽度尺寸W0(参照图1B)也可以为5.0～0.2mm。元件主体10的高度尺寸H0(参照图1B)也可以为5.0～0.2mm。
[0048]作为元件主体10的具体的尺寸，可以举出L0
×
W0为(5.7
±
0.4)mm
×
(5.0
±
0.4)mm、(4.5
±
0.4)mm
×
(3.2
±
0.4)mm、(3.2
±
0.3)mm
×
(2.5
±
0.2)mm、(3.2
±
0.3)mm
×
(1.6
±
0.2)mm、(2.0
±
0.2)mm
×
(1.2
±
0.1)mm、(1.6
±
0.2)mm
×
(0.8
±
0.1)mm、(1.0
±
0.1)mm
×
(0.5
±
0.05)mm、(0.6
±
0.06)mm
×
(0.3
±
0.03)mm、(0.4
±
0.04)mm
×
(0.2
±
0.02)mm的情况等。另外，H0没有特别限定，例如为与W0同等以下的程度。
[0049]1.2电介质层
[0050]电介质层2由后述的本实施方式的电介质组合物构成。
[0051]电介质层2的每一层的厚度(层间厚度)没有特别限定，能够根据期望的特性及用途等任意地设定。通常，层间厚度可以为20μm以下，也可以为10μm以下，也可以为5μm以下。另外，电介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质组合物，其中，所述电介质组合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分，所述主相粒子的至少一部分具有核壳结构，所述电介质组合物含有RA、RB、M及Si，A为选自Ba、Sr及Ca中的至少1种，B为选自Ti、Zr及Hf中的至少1种，RA为选自Eu、Gd、Tb及Dy中的至少1种，RB为选自Y、Ho及Yb中的至少1种，M为选自Mg、Mn、V及Cr中的至少1种，在所述电介质组合物中，将RA相对于所述主成分的含量以RA2O3换算设为C
RA
摩尔％，将RB相对于所述主成分的含量以RB2O3换算设为C
RB
摩尔％，将所述核壳结构的壳部中的RA的平均含量设为S
RA
摩尔％、将RB的平均含量设为S
RB
摩尔％的情况下，S
RA
/S
RB
＞C
RA
/C
RB
。2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上拓，森崎信人，有泉琢磨，兼子俊彦，伊藤康裕，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：