有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术为了实现能够显示高品质的图像的有机发光显示装置，提供一种如下的有机发光显示装置，包括：基板；第一像素电极，布置于所述基板上；第二像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第一像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第一颜色发光层，布置于所述第一像素电极上；以及第二颜色发光层，布置于所述第二像素电极上，并且能够发出比所述第一颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置


[0001]本专利技术的实施例涉及一种有机发光显示装置，更详细地涉及一种能够显示高品质的图像的有机发光显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光显示装置包括有机发光元件作为显示元件。有机发光元件包括像素电极、对向电极以及夹设于像素电极与对向电极之间的发光层。并且，有机发光显示装置包括用于控制施加于这样的有机发光元件的电信号的电子元件和/或布线。

技术实现思路

[0003]然而，在这种现有的有机发光显示装置存在发出特定颜色的光的像素处的亮度与发出另一颜色的光的像素处的亮度的比率可能和预先设定的比率变得不同的问题。
[0004]本专利技术是用于解决包括如上所述的问题在内的各种问题的，其目的在于提供一种能够显示高品质的图像的有机发光显示装置。然而，这种课题是示例性的，本专利技术的范围并不局限于此。
[0005]根据本专利技术的一观点，提供一种有机发光显示装置，包括：基板；第一像素电极，布置于所述基板上；第二像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第一像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第一颜色发光层，布置于所述第一像素电极上；以及第二颜色发光层，布置于所述第二像素电极上，并且能够发出比所述第一颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。
[0006]所述第一颜色发光层发出的光的波长可以属于450nm至495nm的波长带。
[0007]所述第二颜色发光层发出的光的波长可以属于495nm至570nm的波长带。
[0008]所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根(RMS：root mean square)可以是14nm至33nm。
[0009]所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是11nm至22nm。
[0010]所述有机发光显示装置还可以包括：第三像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第二像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第三颜色发光层，布置于所述第三像素电极上，并且能够发出比所述第二颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。
[0011]所述第一颜色发光层发出的光的波长可以属于450nm至495nm的波长带。
[0012]所述第二颜色发光层发出的光的波长可以属于495nm至570nm的波长带。
[0013]所述第三颜色发光层发出的光的波长可以属于630nm至750nm的波长带。
[0014]所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是14nm至33nm。
[0015]所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是11nm至22nm。
[0016]所述第三像素电极的上表面的阶梯差的均方根可以是2nm至11nm。
[0017]除了上述内容，其他侧面、特征、优点将通过以下的用于实施专利技术的具体内容、权
利要求范围以及附图而变得明确。
[0018]根据如上所述地构成的本专利技术的一实施例，能够实现显示高品质的图像的有机发光显示装置。当然，本专利技术的范围并不会被这样的效果所限定。
附图说明
[0019]图1是示意性地图示根据本专利技术的一实施例的显示装置的一部分的剖视图。
[0020]图2以及图3是示意性地图示图1的显示装置在制造过程中的一部分的剖视图。
[0021]图4以及图5是示意性地图示图1的显示装置在制造过程中的另一部分的剖视图。
[0022]图6至图8是用于说明在根据本专利技术的一实施例的显示装置中的构成要素的厚度的曲线图。
[0023]图9是示出根据比较例的显示装置的在特定像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
[0024]图10是示出根据图9的比较例的显示装置的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
[0025]图11是示出根据本实施例的显示装置的在特定像素处的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
[0026]图12是示出图11的显示装置的根据视角的亮度比和色坐标变化量的曲线图。
[0027]附图标记说明：
[0028]PX1：第一像素
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PX2：第二像素
[0029]PX3：第三像素
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100：基板
[0030]110：缓冲层
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121：栅极绝缘膜
[0031]131：层间绝缘膜
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141：第一平坦化层
[0032]142：第二平坦化层
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150：像素定义膜
[0033]221：第一布线
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222：第二布线
[0034]303：对向电极
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311a：第一颜色发光层
[0035]311：第一像素电极
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312a：第二颜色发光层
[0036]312：第二像素电极
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313a：第三颜色发光层
[0037]313：第三像素电极
具体实施方式
[0038]本专利技术可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，特定实施例举例示出于附图中并在具体实施方式中进行详细说明。若参考与附图一起在后面详细描述的实施例，则能够明确本专利技术的效果和特征以及达成所述效果和特征的方法。然而，本专利技术并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。
[0039]以下，将参照附图详细说明本专利技术的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对它们的重复说明。
[0040]在以下的实施例中，提及层、膜、区域、板等的各种构成要素位于另一构成要素“上”时，这不仅包括位于另一构成要素的“紧邻的上方”的情形，还包括其中间夹设有其他构成要素的情形。并且，为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例
如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本专利技术并不一定限于图示的内容。
[0041]在以下的实施例中，x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然也可以垂直相交，但也可以指代彼此不垂直相交的彼此不同的方向。
[0042]图1是示意性地图示根据本专利技术的一实施例的有机发光显示装置的一部分的剖视图。图1是为了便于说明而示意性地图示有机发光显示装置的三个像素中的每一个的一部分的图，薄膜晶体管的构成要素与在图1所示的情形不同，也可以不位于相同的zx平面内。例如，例如，第二薄膜晶体管212的第二栅极电极212b、第二源极电极212c及第二漏极电极212d并不是全部要位于相同的ZX平面内。能够实现在任意一个zx平面内可以仅显示有第二栅极电极212b和第二源极电极212c而无法看出第二漏极电极212d等多种变形。
[0043]并且，也可以三个像素不位于相同的zx平面内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，包括：基板；第一像素电极，布置于所述基板上；第二像素电极，布置于所述基板上，并且具有比所述第一像素电极的上表面的平坦度更高的平坦度的上表面；第一颜色发光层，布置于所述第一像素电极上；以及第二颜色发光层，布置于所述第二像素电极上，并且能够发出比所述第一颜色发光层发出的光的波长更长的波长的光。2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一颜色发光层发出的光的波长属于450nm至495nm的波长带。3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第二颜色发光层发出的光的波长属于495nm至570nm的波长带。4.如权利要求1至3中任意一项所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极的上表面的阶梯差的均方根为14nm至33nm。5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第二像素电极的上表面的阶梯差的均方根为11nm至22nm。6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：第三像素电极，布置于所述基板上，并且具有比...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤锡，岸本克史，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：