【技术实现步骤摘要】
开关电路、控制方法、控制设备及计算机可读存储介质
[0001]本专利技术涉及电子
,尤其涉及一种开关电路、控制方法、控制设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]开关电源因其高频化带来的体积优势和仅工作在开关状态时转换效率高等特性在当前电子
得到了最广泛的应用,随着对设备功率需求的不断提高,人们对开关电源的功率密度和效率的要求也在不断提高。
[0003]传统的开关电源包括开关电路,开关电路中往往包含多个开关器件,各开关器件在进行开关动作的过程中,需要同时承受电压和电流,并对开关器件中的寄生电容进行充放电,由于开关器件的开关损耗与流过开关器件的电流和开关器件上的电压的乘积有关,这会导致开关器件在进行每一次开关动作时都会产生开关损耗,若不断增大开关电路中开关器件的开关频率,会使得开关电路中的所有开关器件产生的总开关损耗与开关电路的输入功率之间的比值逐渐升高,即,降低了开关电路的效率,可见,开关器件的开关损耗成为了阻碍进一步提升开关电路中开关器件的开关频率,以进一步减小应用开关电路的开关电源的体积的主要 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种开关电路,其特征在于,包括:直流电源和至少一电桥电路;所述电桥电路包括:第一开关和第二开关;所述第一开关的一端与所述直流电源的正极相连,所述第一开关的另一端与所述第二开关的一端相连,所述第二开关的另一端与所述直流电源的负极相连;第三开关和第四开关;所述第三开关的一端与所述直流电源的正极相连,所述第三开关的另一端与所述第四开关的一端相连,所述第四开关的另一端与所述直流电源的负极相连;辅助开关和续流器;所述辅助开关与所述续流器串联连接形成软开关支路,所述软开关支路的一端连接在所述第一开关和所述第二开关之间,所述软开关支路的另一端连接在所述第三开关和所述第四开关之间;所述软开关支路的两端还分别连接至应用电路的两端;所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第三开关的控制端、所述第四开关的控制端和所述辅助开关的控制端分别连接至控制设备。2.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述辅助开关为闸刀开关、三极管、MOS管、继电器的其中之一。3.根据权利要求2所述的开关电路,其特征在于,所述辅助开关的数量为两个且均为MOS管,两个MOS管分别是第一MOS管和第二MOS管;所述第一MOS管的源极连接在所述第一开关和所述第二开关之间,所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极相连,所述第二MOS管的源极连接在所述第三开关和所述第四开关之间;所述续流器连接在所述第一开关和所述第二开关之间的支路与所述第一MOS管之间,或者连接在所述第一MOS管和第二MOS管之间,或者连接在所述第三开关和所述第四开关之间的支路与所述第二MOS管之间;所述控制设备分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连。4.根据权利要求3所述的开关电路,其特征在于,还包括:第一二极管和第二二极管;所述第一二极管的阳极与所述第一MOS管的漏极相连,所述第二二极管的阳极与所述第二MOS管的漏极相连,所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极均与所述直流电源的正极相连。5.根据权利要求1至4任一所述的开关电路,其特征在于,所述续流器是电感或变压器。6.根据权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述电桥电路的数量为两个,两个所述电桥电路分别为第一桥电路和第二桥电路;所述第一桥电路中的软开关支路的两端分别连接至所述应用电路的第一端和第二端,所述第二桥电路中的软开关支路的两端分别连接至所述应用电路的第三端和第四端。7.根据权利要求6所述的开关电路,其特征在于,所述应用电路包括第一变压器和第二变压器,所述应用电路的第一端和第三端为所述第一变压器的原边线圈的两端,所述应用电路的第二端和第四端为所述第二变压器的原边线圈的两端。8.根据权利要求1至7中任一项所述的开关电路,其特征在于,将所述第三开关替换为第一电容,将所述第四开关替换为第二电容。9.一种基于开关电路的控制方法,其特征在于,所述开关电路包括:直流电源和至少一电桥电路;所述电桥电路包括:第一开关和第二开关;所述第一开关的一端与所述直流电源
的正极相连,所述第一开关的另一端与所述第二开关的一端相连,所述第二开关的另一端与所述直流电源的负极相连;第三开关和第四开关;所述第三开关的一端与所述直流电源的正极相连,所述第三开关的另一端与所述第四开关的一端相连,所述第四开关的另一端与所述直流电源的负极相连;辅助开关和续流器;所述辅助开关与所述续流器串联连接形成软开关支路,所述软开关支路的一端连接在所述第一开关和所述第二开关之间,所述软开关支路的另一端连接在所述第三开关和所述第四开关之间;所述软开关支路的两端还分别连接至应用电路的两端;所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第三开关的控制端、所述第四开关的控制端和所述辅助开关的控制端分别连接至控制设备;所述方法包括:控制所述第一开关与所述第四开关关断,且控制所述辅助开关导通;在所述第一开关与所述第四开关被关断且经过第一预设时间后,先控制所述第二开关和所述第三开关导通,再控制所述辅助开关关断;控制所述第二开关与所述第三开关关断,且控制所述辅助开关导通;在所述第二开关与所述第三开关被关断且经过第二预设时间后,先控制所述第一开关和所述第四开关导通,再控制所述辅助开关关断。10.根据权利要求9所述的基于开关电路的控制方法,其特征在于,所述辅助开关的数量为两个且均为MOS管,两个MOS管分别是第一MOS管和第二MOS管;所述第一MOS管的源极连接在所述第一开关和所述第二开关之间,所述第一MOS管的漏极与所述续流器的一端相连,所述续流器的另一端与所述第二MOS管的漏极相连,所述第二MOS管的源极连接在所述第三开关和所述第四开关之间;所述控制所述第一开关与所述第四开关关断,且控制所述辅助开关导通,包括:控制所述第一开关与所述第四开关关断,且控制所述第二MOS管导通;其中,控制所述第二MOS管导通时,所述第一MOS管处于关断状态;所述在所述第一开关与所述第四开关被关断且经过第一预设时间后,先控制所述第二开关和所述第三开关导通,再控制所述辅助开关关断,包括:在所述第一开关与所述第四开关被关断且经过第一预设时间后,先控制所述第二开关和所述第三开关导通,再控制所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:王林国,朱俊杰,张滨,高巍,高晓光,
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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