【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
[0001]本申请涉及显示
,具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]显示设备可以采用像素电路驱动发光元件发光。随着显示技术的发展,对显示设备的功耗、低刷新率的显示效果等要求越来越高。为了降低显示设备的功耗且保证显示效果,可以采用LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低温多晶氧化物)技术,像素电路中可以既包括低温多晶硅薄膜晶体管,又可以包括氧化物薄膜晶体管。
[0003]然而,相关技术中,采用LTPO技术的阵列基板,其信号线的布置并不合理。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,能够提供信号线布置的合理性。
[0005]第一方面,本申请实施例提供一种阵列基板,包括衬底以及依次远离衬底的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层,第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层中相邻膜层之间设置有绝缘层;
[0006]阵列基板还包括第一初始化信号线和第二初始化信号线,第一初始化信号线和第二初始化信号线用于传输不同的初始化信号,第一初始化信号线和第二初始化信号线均沿第一方向延伸且均位于第四金属层。
[0007]在第一方面一种可能的实施方式中,阵列基板还包括第五金属层,第五金属层位于第四金属层远离衬底的一侧;
[0008]阵列基板还包括第一辅助线和第二辅助线中的至少一者;
[0009]第一辅助线沿第二方向延伸,位 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底以及依次远离所述衬底的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层,所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层中相邻膜层之间设置有绝缘层;所述阵列基板还包括第一初始化信号线和第二初始化信号线,所述第一初始化信号线和所述第二初始化信号线用于传输不同的初始化信号,所述第一初始化信号线和所述第二初始化信号线均沿第一方向延伸且均位于所述第四金属层。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第五金属层,所述第五金属层位于所述第四金属层远离所述衬底的一侧;所述阵列基板还包括第一辅助线和所述第二辅助线中的至少一者;所述第一辅助线沿第二方向延伸,位于所述第五金属层且通过第一过孔与所述第一初始化信号线连接;所述第二辅助线沿所述第二方向延伸,位于所述第五金属层且通过第二过孔与所述第二初始化信号线连接;优选的,在第一方向上,所述第一辅助线和所述第二辅助线交替排布,所述第一方向和所述第二方向相交;优选的,相邻的所述第一辅助线和所述第二辅助线之间设置有沿所述第一方向排布的至少两个像素电路。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电路,所述像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管和发光元件的第一电极;所述第一晶体管的第一极电连接所述第一初始化信号线,所述第一晶体管的第二极电连接所述驱动晶体管的栅极;所述第二晶体管的第一极电连接所述第二初始化信号线,所述第二晶体管的第二极电连接发光元件的第一电极;优选的,所述第一晶体管为铟镓锌氧化物薄膜晶体管;优选的,所述第二晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管;优选的,所述阵列基板还包括:第一半导体层,位于所述衬底与所述第一金属层之间,所述第二晶体管的有源层位于所述第一半导体层;第二半导体层,位于所述第二金属层与所述第三金属层之间,所述第一晶体管的有源层位于所述第二半导体层。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第一连接部,所述像素电路还包括第三晶体管,所述第一连接部位于所述第四金属层,所述驱动晶体管的栅极位于第一金属层,所述第一连接部通过第三过孔连接所述驱动晶体管的栅极,所述第一连接部通过第四过孔连接所述第三晶体管的源极或漏极;优选的,所述第二初始化信号线包括多个第一段和多个第二段,所述第一段和所述第二段交替连接,在第二方向上且在所述第四过孔远离所述驱动晶体管的一侧,所述第二段在所述衬底上的正投影部分围绕所述第四过孔在所述衬底上的正投影;优选的,在所述第二方向上,所述第一段位于所述驱动晶体管和所述第二段之间,所述第一段沿所述第一方向延伸,所述第二段的部分线段沿所述第一方向延伸,所述第一方向
和所述第二方向相交。5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括在所述第一方向上排布的多个像素电路组,每个所述像素电路组包括两个像素电路,所述像素电路组中的两个像素电路镜像设置;优选...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴忠厚,周思思,张露,张金方,朱修剑,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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