一种双拓扑结构的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双拓扑结构的电路，包括第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块。通过开关模块实现对开关MOS管的通断控制，在一个电路中实现两种拓扑电路结构的切换，解决单一拓扑电路无法同时实现增益、驻波、稳定性兼容的问题。同时，两种拓扑共用同一射频分路模块，相比提供两套单一拓扑而言，本实用新型专利技术的电路可以在一定程度上缩略电路面积。路面积。路面积。

【技术实现步骤摘要】
一种双拓扑结构的电路


[0001]本技术涉及射频、电子
，特别是涉及一种双拓扑结构的电路。

技术介绍

[0002]目前，随着多带多标准的概念在现代无线通信中受到越来越多的关注，为了支持广泛的通信标准并在单个设备中适应不同的应用，宽带的接收发机是必不可少的。对于用于移动通信设备的高频信号的放大电路，要求跨越宽的动态范围具有优异的放大特性以及增益能力。
[0003]在放大电路设计中，为了使得整个系统比较稳定，一般都会引入负反馈结构，来对放大器件进行负反馈，但是这是以牺牲放大器模块的增益为代价的；例如由于引入负反馈，使得放大器模块的增益小于放大器件自身的增益。反过来，虽然正反馈结构可以增大放大器模块的增益，但是现在设计中都会尽量避免引入正反馈，因为这会给系统带来许多负面问题，典型的像会导致系统的不稳定。
[0004]现有技术通常采用的方法是堆叠式CSCG(Common source commongate共源共栅)电路或CSCS(Co－source co－source共源共源) 电路，针对宽带超宽带要求，一般再辅以负反馈的方式。但CSCG宽带电路高频段的性能较弱、增益能力不如CSCS电路，且容易高频不稳定。而CSCS宽带电路低频段的性能较弱，带宽不如CSCG电路，且容易低频不稳定。单一的电路模式无法兼容不同频段下的增益、性能、稳定性的要求。

技术实现思路

[0005]本技术要解决的技术问题是：改善单一电路无法兼容性能、增益、稳定度的缺陷，拓宽应用场景。
[0006]为了解决上述问题，本技术提供了一种双拓扑结构的电路，包括：第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块；所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路共用同一射频分路模块；所述射频分路模块包括输入匹配网络模块、输出匹配网络模块、第一放大 MOS管、第二放大MOS管、第一电感、第三电感和第四电感；所述输入匹配网络模块与所述第一放大MOS管的栅极连接；所述第一放大MOS 管的源极与所述第四电感连接；所述第三电感与所述第一电感、所述第二放大MOS管的漏极连接；
[0007]所述开关模块与所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路连接。
[0008]进一步的，所述开关模块包括第一开关MOS管单元和第二开关MOS 管单元；
[0009]所述第一开关MOS管单元与所述第一拓扑电路连接；
[0010]所述第二开关MOS管单元与所述第二拓扑电路连接；
[0011]所述第一开关MOS管单元包括第三开关MOS管、第四开关MOS管和第七开关MOS管；
[0012]所述第二开关MOS管单元包括第五开关MOS管和第六开关MOS管。
[0013]进一步的，所述第一拓扑电路包括第一电容和第一电阻；
[0014]所述第三开关MOS管的漏极与所述第二放大MOS管的栅极连接；所述第四开关MOS
管的漏极与所述第一放大MOS管的漏极连接；所述第四开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的源极连接；所述第七开关MOS管的源极与所述第一放大MOS管的栅极连接；所述第一电容分别与所述第三开关MOS管的源极、所述第一电阻连接；所述第一电阻另一端接地。
[0015]进一步的，所述第一拓扑电路还包括反馈网络模块；
[0016]所述反馈网络模块包括第二电阻和第四电容；
[0017]所述第四电容分别与所述第七开关MOS管的漏极、所述第二电阻连接，所述第二电阻与所述输出匹配网络模块连接。
[0018]进一步的，所述第二拓扑电路包括第二电感；
[0019]所述第五开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的栅极连接；所述第二电感分别与所述第一放大MOS管的漏极、第二放大MOS管的源极连接；所述第六开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的源极连接。
[0020]进一步的，所述第二拓扑电路还包括级间匹配网络模块；
[0021]所述级间匹配网络模块，包括第二电容和第三电容；
[0022]所述第二电容分别与所述第五开关MOS管的漏极、所述第一放大 MOS管的漏极连接，所述第三电容与所述第六开关MOS管的漏极连接，另一端接地。
[0023]进一步的，所述第一电感为扼流电感，所述第三电感为阻抗匹配电感，所述第四电感为反馈电感。
[0024]进一步的，所述输入匹配网络模块为输入阻抗匹配段；所述输出匹配网络模块为输出阻抗匹配段。
[0025]进一步的，所述第二电感为扼流电感。
[0026]进一步的，所述第三电容为共地电容。
[0027]本技术实施例一种双拓扑结构的电路与现有技术相比，其有益效果在于：
[0028]本技术公开了一种双拓扑结构的电路，包括：第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块；通过开关模块实现对开关 MOS管的通断控制，在一个电路中实现两种拓扑电路结构的切换，克服单一拓扑电路无法兼容增益、驻波、稳定性兼容的问题，拓宽应用场景。同时，第一拓扑电路和第二拓扑电路共用同一射频分路模块，相比于提供两套单一的拓扑电路来说，可以在一定程度上缩略电路面积。
附图说明
[0029]为了更清楚的说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本技术提供的一种双拓扑结构的电路的模块结构示意图；
[0031]图2是本技术提供的一种双拓扑结构的电路的结构示意图；
[0032]图3是本技术提供的一种双拓扑结构的电路在CSCG工作模式时的一种实施例的电路结构示意图；
[0033]图4是一种CSCG级数堆叠的放大电路结构示意图；
[0034]图5是实施例提供的一种双拓扑结构的电路工作在CSCG级数堆叠的电路结构时的
一种实施例的电路结构示意图；
[0035]图6是本技术提供的一种双拓扑结构的电路在CSCS工作模式时的一种实施例的电路结构示意图；
[0036]图7是一种CSCS级数堆叠的放大电路结构示意图；
[0037]图8是本技术实施例提供的一种双拓扑结构的电路工作在 CSCS级数堆叠的电路结构时的一种实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
[0038]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将结合本技术中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行进一步详细说明。显然，此所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例，并不用于限定本技术。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所用其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0039]实施例1
[0040]参见图1、图2，图1是本技术提供的一种双拓扑结构的电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双拓扑结构的电路，其特征在于，包括：第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块；所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路共用同一射频分路模块；所述射频分路模块包括输入匹配网络模块、输出匹配网络模块、第一放大MOS管、第二放大MOS管、第一电感、第三电感和第四电感；所述输入匹配网络模块与所述第一放大MOS管的栅极连接；所述第一放大MOS管的源极与所述第四电感连接；所述第三电感与所述第一电感、所述第二放大MOS管的漏极连接；所述开关模块与所述第一拓扑电路和所述第二拓扑电路连接。2.如权利要求1所述的一种双拓扑结构的电路，其特征在于，所述开关模块包括第一开关MOS管单元和第二开关MOS管单元；所述第一开关MOS管单元与所述第一拓扑电路连接；所述第二开关MOS管单元与所述第二拓扑电路连接；所述第一开关MOS管单元包括第三开关MOS管、第四开关MOS管和第七开关MOS管；所述第二开关MOS管单元包括第五开关MOS管和第六开关MOS管。3.如权利要求2所述的一种双拓扑结构的电路，其特征在于，所述第一拓扑电路包括第一电容和第一电阻；所述第三开关MOS管的漏极与所述第二放大MOS管的栅极连接；所述第四开关MOS管的漏极与所述第一放大MOS管的漏极连接；所述第四开关MOS管的源极与所述第二放大MOS管的源极连接；所述第七开关MOS管的源极与所述第一放大MOS管的栅极连接；所述第一电容分别与所述第三开关MOS管的源极、所述第一电阻连接；所述第一电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱贤能，侯兴江，邢利敏，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：