一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法技术

本发明专利技术公开了一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法，属于供电控制领域。本发明专利技术的一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法，可有效对负载端产生的正向或反向冲击电压进行箝位，能够根据产品性能要求设置电压阈值，将超出阈值的双向高压尖峰吸收在可调范围内，有效缓解了该高压冲击对于产品电性能的影响，提高产品的可靠性。本发明专利技术可对具有高压输出电源产品负载端的双向尖峰电压进行吸收，缓解了高压冲击对于产品电性能的影响。缓解了高压冲击对于产品电性能的影响。缓解了高压冲击对于产品电性能的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法


[0001]本专利技术属于供电控制领域，尤其是一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法。

技术介绍

[0002]对于具有高压输出的DC/DC变换器，若其负载端存在极性未知的高压尖峰，将对电源产品造成较大冲击甚至破坏电源产品的正常运行，现有的电源产品通常采用RC或RCD吸收电路对输出端高压尖峰进行抑制，该电路可对瞬时尖峰进行吸收，但对于高压尖峰产生的能量抑制效果较弱。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：
[0005]一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，包括第一开关二极管D1和第二开关二极管D2，第一开关二极管D1的负极连接有第一稳压管Z1的负极，第一稳压管Z1的正极同时连接有第一电极R1和第二电极R2的一端，第一电极R1的另一端同时连接第三稳压管Z3的负极和第一N型MOS管Q1的G极，第一N型MOS管Q1的S极同时连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，其特征在于，包括第一开关二极管D1和第二开关二极管D2，第一开关二极管D1的负极连接有第一稳压管Z1的负极，第一稳压管Z1的正极同时连接有第一电极R1和第二电极R2的一端，第一电极R1的另一端同时连接第三稳压管Z3的负极和第一N型MOS管Q1的G极，第一N型MOS管Q1的S极同时连接第二N型MOS管Q2的S极、第三稳压管Z3的正极和第四稳压管Z4的正极，第一N型MOS管Q1的D极连接第一开关二极管D1的正极；第二电极R2的另一端同时接第三电极R3的一端，第四稳压管Z4的正极，第三电极R3的另一端同时连接有第二稳压管Z2的正极和第四电极R4的一端，第四电极R4的另一端同时接有第四稳压管Z4的负极和第二N型MOS管Q2的G极，第二稳压管Z2的负极接有第二开关二极管D2的负极，第二开关二极管D2的正极接有第二N型MOS管Q2的D极；第一开关二极管D1的正极和第二开关二极管D2的正极同时还作为负载端电压输入。2.根据权利要求1所述的一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，其特征在于，第一N型MOS管Q1连接有寄生的第一反并联二极管D3。3.根据权利要求2所述的一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，其特征在于，第一反并联二极管D3的正极连接有第一N型MOS管Q1的S极，第一反并联二极管D3的负极连接有第一N型MOS管Q1的D极。4.根据权利要求1所述的一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，其特征在于，第二N型MOS管Q2连接有寄生的第二反并联二极管D4。5.根据权利要求4所述的一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，其特征在于，第二反并联二极管D4的正极连接有第二N型MOS管Q2的S极，第二反并联二极管D4的负极连接有第二N型MOS管Q2的D极。6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，屈婉莹，崔小川，王文超，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：