一种自适应导线电流抗干扰测量方法及系统、存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种自适应导线电流抗干扰测量方法及系统、存储介质，其基于3个共线的TMR磁阻芯片实现，包括：获取所述3个共线的TMR磁阻芯片与导线之间的距离x1、x2和x3；当所述距离x1、x2和x3相对于预设的标定值发生变化时，基于频域获取预设频率范围内的多个磁场信号，并进行所述多个磁场信号的方差计算，根据计算得到的方差自适应调整高斯低通滤波器的高斯标准差得到自适应调整后的高斯低通滤波器，利用所述自适应调整后的高斯低通滤波器对所述3个共线的TMR磁阻芯片所检测的磁场信号进行低通高斯滤波；进一步地，对通过低通高斯滤波后的磁场信号进行高脉冲滤波，最终根据通过高脉冲滤波后的磁场信号计算导线电流。滤波后的磁场信号计算导线电流。滤波后的磁场信号计算导线电流。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应导线电流抗干扰测量方法及系统、存储介质


[0001]本专利技术涉及电力系统
，具体涉及一种自适应导线电流抗干扰测量方法及系统、存储介质。

技术介绍

[0002]电力系统中电流精准传感是电网暂态信息监测、事故预警、状态分析和决策的基础。在变电站中，避雷器泄漏电流、变压器铁芯接地电流、高频局部电流等是避雷器、变压器、电力电缆等设备进行故障预警的重要参量。目前通常采用在接地线安装磁场传感器，根据周围磁场反演计算导线电流，从而监测变电设备的运行状态。例如，授权公告号为CN109283380B的专利文献的现有技术公开了一种电力系统中线路电流的测量方法、装置、设备及存储介质，在该现有技术中，只需要获取载流导线在三个单轴磁传感器的磁敏感方向上产生的第一磁感应强度、第二磁感应强度、第三磁感应强度以及三个单轴磁传感器之间的相对距离，就可计算出载流导线的电流值，实现对载流导线电流的测量。同时，对于三个单轴磁传感器，只要保证三个单轴磁传感器位于同一直线，且该直线与载流导线不共面，三个单轴磁传感器的磁敏感方向同方向且平行于三个单轴磁传感器所在的直线即可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应导线电流抗干扰测量方法，其基于3个共线的TMR磁阻芯片实现，其特征在于，所述方法包括：获取所述3个共线的TMR磁阻芯片与导线之间的距离x1、x2和x3；当所述距离x1、x2和x3中的任一个相对于预设的标定值发生变化时，基于频域获取预设频率范围内的多个磁场信号，并进行所述多个磁场信号的方差计算，根据计算得到的方差自适应调整高斯低通滤波器的高斯标准差得到自适应调整后的高斯低通滤波器，利用所述自适应调整后的高斯低通滤波器对所述3个共线的TMR磁阻芯片所检测的磁场信号进行低通高斯滤波；计算通过低通高斯滤波后的磁场信号的信噪比，将计算得到磁场信号的信噪比与预设信噪比阈值进行比较，根据比较结果将信噪比小于所述预设信噪比阈值的信号进行消除以实现高脉冲滤波；根据通过高脉冲滤波后的磁场信号计算导线电流。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：当所述距离x1、x2和x3相对于预设的标定值均未发生变化时，直接根据所述3个共线的TMR磁阻芯片所检测的磁场信号计算导线电流。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高斯低通滤波器如下函数所示：3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高斯低通滤波器如下函数所示：其中，H(s)为高斯低通滤波器的传递函数，G(s)为高斯低通滤波器的高斯函数，s为TMR磁阻芯片所检测的磁场信号的频率，s0有效信号的频率范围的中心频率，σ为高斯标准差，δ(s)为阶跃函数。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高斯低通滤波器的自适应调整为：当所述方差越大时，所述标准差越大，当所述方差越小时，所述标准差越小。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高斯低通滤波器的自适应调整如下函数所示：其中，T(s)为预设的常数，D(s)为计算得到的方差，G(s)为高斯低通滤波器的高斯函数，s为TMR磁阻芯片所检测的磁场信号的频率，σ为高斯标准差。6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，其中，所述磁场信号的信噪比通过以下方式计算得...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤寿泉，李鹏，李敏虹，李立浧，谢宏，余鹏，任佳，田兵，韦杰，王志明，侯明哲，樊小鹏，刘仲，张佳明，聂少雄，吕前程，骆柏锋，孙宏棣，林力，
申请(专利权)人：深圳供电局有限公司，
类型：发明
国别省市：