【技术实现步骤摘要】
一种金属
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半导体光电二极管阵列的制备方法
[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种金属
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半导体光电二极管阵列的制备方法。
技术介绍
[0002]光电探测器是可见光通信系统中接收端的重要器件之一，其性能的好坏直接影响整个系统的优劣。传统的接收端是由光学部分和电学部分组成，其中光学部分包括接收端光学天线、滤波片和光电探测器；光学天线主要实现对发射光的光束整形，使得光线精确地向接收系统发射。滤波片的作用主要是去除杂散光以及无加载信号的其他波段可见光；探测器(光电二极管)是接收系统的主要部分，作用就是将光信号转换成电信号，承载信号的可见光是单色光，那么其他可见光就都成了干扰光，如果探测器的响应波长范围大，就会使探测器的噪声增加，继而探测器的性能也会受到干扰；所以，在探测芯片前通常要附加一个滤波片，滤波片虽然可以滤掉大部分的干扰光和杂散光，但却没有针对可见光的波段进行选择性的反射与吸收，同样通过增加滤波片的探测器的性能降低，同时探测器前需要附加接收天线及滤光片，使得系统体积庞大，不易...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属
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半导体光电二极管阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取硅片，对硅片进行超声清洗处理；S2、基于真空环境下，对硅片进行蒸镀处理，生成铝电极层；S3、基于真空环境下，在硅片上表面沉积一层硅，然后通过离子注入方法制作硅外延层；S4、对硅外延层进行清理烘干处理和旋涂保护层，利用光刻工艺和刻蚀工艺制作探测单元阵列的隔离凹槽；S5、基于真空环境下，对隔离凹槽进行填充处理，并去除保护层；S6、通过磁控溅射方法对隔离凹槽和硅外延层上表面进行溅射处理，生成二氧化硅绝缘层；S7、对二氧化硅绝缘层表面进行镀膜处理，生成金电极层；S8、对金电极层旋涂保护层，通过光刻工艺与刻蚀工艺相结合得到空气孔阵列，制备金属
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半导体光电二极管阵列。2.根据权利要求1所述一种金属
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半导体光电二极管阵列的制备方法，其特征在于，所述硅片为n
+
型硅片，厚度为0.1μm～10μm。3.根据权利要求1所述一种金属
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半导体光电二极管阵列的制备方法，其特征在于，所述基于真空环境下，对硅片进行蒸镀处理，生成铝电极层的步骤具体还包括：S21、利用抛光液和醇醚混合液对硅片表面进行擦拭处理，并送入压强范围是10
‑1～10
‑4Pa的真空室；S22、对硅片进行蒸镀处理，生成铝电极层。4.根据权利要求1所述一种金属
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半导体光电二极管阵列的制备方...
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