一种高效锂电池及其锂电池制备方法技术

技术编号:34457512 阅读:36 留言:0更新日期:2022-08-06 17:06
本发明专利技术公开了一种高效锂电池及其锂电池制备方法,包括导电薄膜层a和导电薄膜层b,绝缘外壳体的顶端固定设置有负极端子和正极端子,且负极端子和正极端子均通过导电薄膜组件与负极板和正极板电性连接;本发明专利技术采用基于湿法表面活化处理和UV光光照相结合的方法对硅片的表面进行处理,处理效果好,键合时效果出众,实现了InP与SOI晶片的直接键合,制备的导电薄膜导电性较好,同时在硅片键合制作中,采用UV光中的短波紫外线能够深入材料表面细微的部位,发生光敏氧化反应,生成可挥发性气体,可彻底去除表面微小颗粒,不会造成二次污染,且UV光辐射改质不会造成晶体缺陷,这种方法设备简单、成本低廉、活化时间短,可大批量高效生产。产。产。

【技术实现步骤摘要】
一种高效锂电池及其锂电池制备方法


[0001]本专利技术涉及锂电池制备,特别涉及一种高效锂电池及其锂电池制备方法,属于电池


技术介绍

[0002]锂电池是一类由锂金属或锂合金为正/负极材料、使用非水电解质溶液的电池,由于锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高,随着科学技术的发展,锂电池已经成为了主流,在锂电池的内部结构中,外部电极与内部电极板之前设置有导电薄膜进行导电,而导电薄膜的性能将直接影响到锂电池的高效导电性,现有导电玻璃都是采用低温硅直接键合技术制成,低温硅直接键合技术因其所产生的应力小、相容性好、电化学特性较好,在MEMS器件领域中具有较高的研究价值,目前,常规的低温硅直接键合技术是通过湿法化学清洗与等离子体处理的方式对硅片进行预处理,提高其表面亲水性使其在预键合阶段即可达到较好的键合效果。
[0003]对于直接键合来说,硅片与部分晶片间无需其他材料的辅助,直接通过表面分子间形成的化学键实现紧密的结合,以使晶片表面悬挂键增多,亲水性增强,从而获得较强的键合强度,等离子体活化工艺中,离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效锂电池,包括绝缘外壳体、负极板、正极板、负极端子、正极端子、隔膜、导电薄膜层a和导电薄膜层b,其特征在于,所述绝缘外壳体的内部通过隔膜分为两个电解液腔室,且两个所述电解液腔室的内部分别固定设置有负极板和正极板,所述绝缘外壳体的顶端固定设置有负极端子和正极端子,且所述负极端子和正极端子均通过导电薄膜组件与负极板和正极板电性连接。2.根据权利要求1所述的半导体晶片,其特征在于:所述导电薄膜组件由导电薄膜层a和导电薄膜层b组成,所述导电薄膜层a的表面形成有第二导电薄膜层b,导电薄膜层a由硅晶片和InP晶片键合形成。3.一种锂电池制备方法,其特征在于:所述制备方法用于制备上述任一权利要求1

2所述的高效锂电池,其中该高效锂电池的导电薄膜层a的制造方法包含以下工序:S1:硅片清洗与湿法活化,选择丙酮、乙醇依次通过超声清洗,初步清除硅片表面吸附的有机油脂类污染物;S2:将硅片浸人HF缓冲溶液,使本征氧化层掩盖的杂质暴露出来,然后硅片浸入H2SO4和H2O2的混合溶液中清洗,通过与硅晶片表面杂质的氧化、脱水及中和反应,生成可溶性物质用去离子水冲洗,达到去除杂质的目的;S3:将硅片浸入HCl、H2O2和H2O的混合溶液中清洗,强酸能和预键合片表面杂质中的活泼金属、许多金属氧化物以及硫化物等发生作用,使这些杂质成为可溶性的;S4:将硅片浸入NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液中进行活化,不仅可以与许多金属生成可溶性的络合物,还能够提高硅片表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员:纵瑞虎
申请(专利权)人:昭通时瑞电源科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:

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