发声器件和音频设备制造技术

本发明专利技术公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、磁路结构、高音振膜、低音振膜和低音音圈；磁路结构包括设有导磁板上的第一磁路结构和第二磁路结构，第二磁路结构设于第一磁路结构的外围，第一磁路结构和第二磁路结构之间形成边磁间隙，第一磁路结构形成中心磁间隙，高音振膜对应中心磁间隙设置，低音音圈插设于边磁间隙，低音振膜位于高音振膜的远离导磁板的一侧，高音振膜于导磁板上的投影位于低音音圈于导磁板上的投影区域的内侧，发声器件设有正对高音振膜的出音孔，出音孔用于辐射高音振膜产生的声波，低音振膜对应出音孔的位置设有避让孔。本发明专利技术技术方案旨在实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。备的装配便利性。备的装配便利性。

【技术实现步骤摘要】
发声器件和音频设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声器件和音频设备。

技术介绍

[0002]发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中放置高音单元和低音单元。然而，现有的多单元音频设备虽然解决了全频段问题，但是也由此导致了发声器件的体积增大，增加了音频设备整机装配的难度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种发声器件，旨在实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的发声器件，包括：
[0005]导磁板；
[0006]磁路结构，包括设有所述导磁板上的第一磁路结构和第二磁路结构，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有边磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成中心磁间隙；
[0007]高音振膜，对应所述中心磁间隙设置；以及
[0008]低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述边磁间隙，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧；
[0009]所述高音振膜于所述导磁板上的投影位于所述低音音圈于所述导磁板上的投影区域的内侧；
[0010]所述发声器件设有正对所述高音振膜的出音孔，所述出音孔用于辐射所述高音振膜产生的声波，所述低音振膜对应所述出音孔的位置设有避让孔。
[0011]可选地，所述发声器件还设有盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，所述盖体设置有所述出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心位置设置；所述低音振膜设有位于内周侧的第一固定部和位于外周侧的第二固定部，所述第一固定部结合于所述盖体，所述第二固定部结合于所述发声器件的外壳；所述第一固定部内侧去料的区域形成所述避让孔。
[0012]可选地，所述出音孔设于所述盖体的中心位置，所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有支撑部，所述低音振膜的第一固定部固定结合于所述支撑部。
[0013]可选地，所述出音孔为沿所述高音振膜振动方向延伸的管状结构，所述出音孔靠近所述高音振膜的一端设有环绕所述出音孔设置的所述支撑部。
[0014]可选地，所述盖体的上表面为平面结构，所述出音孔为设置于盖体上表面中心位
置的孔状结构，所述盖体上表面位于所述出音孔周围的区域形成所述支撑部。
[0015]可选地，所述盖体靠近所述低音振膜的一侧设有避让所述低音振膜的折环部的第一避让部。
[0016]可选地，所述第一磁路结构包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司设于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一磁体形成有相对所述第一子华司设置的第一磁区和相对所述第二子华司设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述中心磁间隙；
[0017]所述第二磁路结构的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有所述边磁间隙。
[0018]可选地，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区。
[0019]可选地，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。
[0020]可选地，所述发声器件还包括结合于所述盖体上的辅助磁体，所述辅助磁体与所述高音振膜之间的距离大于所述高音振膜的振幅。
[0021]可选地，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或所述第二磁区的充磁方向相反；或，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。
[0022]可选地，所述盖体设有固定所述低音振膜的所述第一固定部的支撑部；所述盖体还设有固定安装所述辅助磁体的安装部，所述安装部位于所述支撑部远离所述低音振膜的一侧，所述安装部与所述支撑部之间形成高度差。
[0023]可选地，所述盖体设有避让所述低音振膜的折环部的第一避让部，所述第一避让部为相对于所述安装部倾斜设置的结构，所述辅助磁体对应所述第一避让部的结构与所述第一避让部相适配；所述辅助磁体靠近所述高音振膜的一侧设有避让所述高音振膜的折环部的第二避让部。
[0024]可选地，所述第二子华司靠近所述高音振膜的一侧设置有安装环凸，所述安装环凸设于所述第二子华司的边缘位置，所述高音振膜的外周固定连接于所述安装环凸；其中，所述安装环凸由所述第二子华司一体形成，所述安装环凸为向靠近所述高音振膜的方向凸起的结构。
[0025]可选地，所述安装环凸为独立于所述第二子华司的结构，所述安装环凸设于所述第二子华司的边缘位置。
[0026]可选地，所述盖体的外周部对应所述安装环凸设置，并固接于所述高音振膜远离所述安装环凸的一侧，所述安装环凸的外周连接有较所述安装环凸向远离所述导磁板的方向凸设的限位环凸，所述盖体被限位于所述限位环凸的内侧。
[0027]可选地，所述辅助磁体正对所述出音孔的位置设有连通孔，所述连通孔的孔径不
小于所述出音孔的孔径。
[0028]可选地，所述盖体为导磁材料。
[0029]本专利技术还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。
[0030]可选地，所述音频设备为耳机。
[0031]本专利技术技术方案中，第一磁路结构在形成中心磁间隙的同时，还与第二磁路结构构造形成边磁间隙，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用。具体而言，至少在第二子华司和第二磁路结构之间形成有边磁间隙，低音音圈插设于边磁间隙，第一磁路结构至少能够部分收容于低音音圈内侧，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸。如此，能够实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。并且，在本专利技术中，高音振动系统和低音振动系统分别独立地设置，低音振膜设置有避让高音出声孔的避让孔，高音发声和低音发声互不干扰，有利于保障发声器件的声学性能。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0033]图1为本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其特征在于，包括：导磁板；磁路结构，包括设于所述导磁板上的第一磁路结构和第二磁路结构，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有边磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成中心磁间隙；高音振膜，对应所述中心磁间隙设置；以及低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述边磁间隙，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧；所述高音振膜于所述导磁板上的投影位于所述低音音圈于所述导磁板上的投影区域的内侧；所述发声器件设有正对所述高音振膜的出音孔，所述出音孔用于辐射所述高音振膜产生的声波，所述低音振膜对应所述出音孔的位置设有避让孔。2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还设有盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，所述盖体设置有所述出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心位置设置；所述低音振膜设有位于内周侧的第一固定部和位于外周侧的第二固定部，所述第一固定部结合于所述盖体，所述第二固定部结合于所述发声器件的外壳；所述第一固定部内侧去料的区域形成所述避让孔。3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述出音孔设于所述盖体的中心位置，所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有支撑部，所述低音振膜的第一固定部固定结合于所述支撑部。4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述出音孔为沿所述高音振膜振动方向延伸的管状结构，所述出音孔靠近所述高音振膜的一端设有环绕所述出音孔设置的所述支撑部，或者，所述盖体的上表面为平面结构，所述出音孔为设置于所述盖体上表面中心位置的孔状结构，所述盖体上表面位于所述出音孔周围的区域形成所述支撑部；和/或，所述盖体靠近所述低音振膜的一侧设有避让所述低音振膜的折环部的第一避让部。5.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司设于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一磁体形成有相对所述第一子华司设置的第一磁区和相对所述第二子华司设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述中心磁间隙；所述第二磁路结构的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有所述边磁间隙。6.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苗苗，郭晓冬，张成飞，刘春发，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：