发声器件和音频设备制造技术

本发明专利技术公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、磁路结构、低音振膜、低音音圈、高音振膜和高音音圈，磁路结构设于所述导磁板，形成有低音磁间隙和高音磁间隙，所述低音音圈设于所述低音振膜，并对应所述低音磁间隙设置；所述高音音圈设于所述高音振膜，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜成型有用于电连接外部电路的连接线路，所述高音音圈电连接于所述连接线路。本发明专利技术技术方案旨在提升高音音圈的电连接稳定性，以保障发声器件的高音性能。器件的高音性能。器件的高音性能。

【技术实现步骤摘要】
发声器件和音频设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声器件和音频设备。

技术介绍

[0002]发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在有的多单元音频设备中，高音音圈的引线过长，容易断裂，不利于保障发声器件的高音性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升高音音圈的电连接稳定性，以保障发声器件的高音性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的发声器件，包括：
[0005]导磁板；
[0006]磁路结构，设于所述导磁板，形成有低音磁间隙和高音磁间隙；
[0007]低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜，并对应所述低音磁间隙设置；以及
[0008]高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜成型有用于电连接外部电路的连接线路，所述高音音圈电连接于所述连接线路。
[0009]可选地，所述高音振膜包括振膜本体和设于所述振膜本体边缘的延伸部，所述连接线路包括成型于所述振膜本体的第一连接段以及成型于所述延伸部的第二连接段，所述第一连接段的两端分别电连接于所述高音音圈和所述第二连接段。
[0010]可选地，所述发声器件还包括固接于所述导磁板的壳体，所述磁路结构收容安装于所述壳体内，所述壳体的外侧设置有导电端子，所述第二连接段电连接所述导电端子，所述导电端子用于供所述发声器件电连接外部电路。
[0011]可选地，所述导电端子包括露设于所述壳体的导电触点，所述导电触点露设于所述壳体的靠近所述导磁板的一侧，所述延伸部由所述振膜本体的周缘朝靠近所述导磁板的方向弯折延伸设置。
[0012]可选地，所述磁路结构包括第一磁路结构，所述第一磁路结构形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜设于所述第一磁路结构的远离所述导磁板的一侧，所述延伸部穿设于所述第一磁路结构。
[0013]可选地，所述磁路结构还包括第二磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述低音磁间隙形成于所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间；
[0014]所述延伸部包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部的两端分别连接于所
述振膜本体和所述第二延伸部，所述第一延伸部相对所述振膜本体朝靠近所述导磁板的方向弯折并穿设于所述第一磁路结构，所述第二延伸部相对所述第一延伸部朝靠近所述壳体的方向弯折设置。
[0015]可选地，所述第一磁路结构的外表面设有第一让位槽，所述第一延伸部容置于所述第一让位槽。
[0016]可选地，所述导磁板设置有第二让位槽，所述第二延伸部容置于所述第二让位槽。
[0017]可选地，所述第一连接段通过光刻工艺成型于所述振膜本体。
[0018]可选地，所述第二连接段通过光刻工艺成型于所述延伸部。
[0019]可选地，所述振膜本体和所述延伸部一体成型。
[0020]可选地，所述高音音圈设有输入引线和输出引线，所述第二连接段包括第二输入线路和第二输出线路，所述第二输入线路电连接于所述输入引线，所述第二输出线路电连接于所述输出引线，所述第二输入线路和所述第二输出线路独立成型于一所述延伸部。
[0021]可选地，所述第一连接段包括独立成型于所述振膜本体的第一输入线路和第一输出线路，所述第一输入线路的两端分别连接于所述输入引线和所述第二输入线路，所述第一输出线路的两端分别连接于所述输出引线和所述第二输出线路，所述第一输入线路和所述第一输出线路在所述振膜本体的周向上分别与所述第二输入线路和所述第二输出线路相对设置。
[0022]可选地，所述低音振膜为环形振膜，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，所述低音振膜设有供所述高音振膜的声波辐射的第一出音孔。
[0023]可选地，所述发声器件还包括辅助外壳，所述辅助外壳盖设于所述高音振膜，且所述辅助外壳设有供所述高音振膜的声波向外辐射的第二出音孔，所述第二出音孔与所述第一出音孔相对设置。
[0024]可选地，所述低音振膜的内周缘固定于所述辅助外壳。
[0025]本专利技术还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。
[0026]可选地，所述音频设备为耳机。
[0027]本专利技术技术方案中，高音振膜上成型有连接线路，连接线路的一端用于与高音音圈连接，另一端则用于与外部电路连接，如此，高音音圈的引线不必过长，能够连接于高音振膜上的连接线路即可，能够有效避免高音音圈的引线断裂。进一步地，还可将高音音圈的引线调整至靠近高音振膜的位置，如此，高音音圈的引线可以直接贴合于高音振膜，完全避免了高音音圈的引线的悬空，从而能够进一步保障高音音圈的引线不断裂，由此，提升了高音音圈的电连接稳定性，进而能够保障发声器件的高音性能。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术发声器件一实施例的装配结构示意图；
[0030]图2为本专利技术发声器件一实施例的局部结构示意图；
[0031]图3为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0032]图4为图3中A处的局部放大图；
[0033]图5为本专利技术发声器件在不设置辅助磁体且辅助外壳导磁时一实施例的结构示意图；
[0034]图6为本专利技术发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助外壳导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0035]图7为本专利技术发声器件在辅助磁体为整体式结构但辅助外壳不导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0036]图8为本专利技术发声器件在辅助磁体为整体式结构且辅助外壳导磁时另一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0037]图9为本专利技术发声器件在辅助磁体为分体式结构且辅助外壳导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。
[0038]附图标号说明：
[0039][0040][0041]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0042]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0043]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其特征在于，包括：导磁板；磁路结构，设于所述导磁板，形成有低音磁间隙和高音磁间隙；低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜，并对应所述低音磁间隙设置；以及高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音振膜成型有用于电连接外部电路的连接线路，所述高音音圈电连接于所述连接线路。2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜包括振膜本体和设于所述振膜本体边缘的延伸部，所述连接线路包括成型于所述振膜本体的第一连接段以及成型于所述延伸部的第二连接段，所述第一连接段的两端分别电连接于所述高音音圈和所述第二连接段。3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括固接于所述导磁板的壳体，所述磁路结构收容安装于所述壳体内，所述壳体的外侧设置有导电端子，所述第二连接段电连接所述导电端子，所述导电端子用于供所述发声器件电连接外部电路。4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述导电端子包括露设于所述壳体的导电触点，所述导电触点露设于所述壳体的靠近所述导磁板的一侧，所述延伸部由所述振膜本体的周缘朝靠近所述导磁板的方向弯折延伸设置。5.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述磁路结构包括第一磁路结构，所述第一磁路结构形成有所述高音磁间隙，所述高音振膜设于所述第一磁路结构的远离所述导磁板的一侧，所述延伸部穿设于所述第一磁路结构。6.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述磁路结构还包括第二磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述低音磁间隙形成于所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间，所述发声器件还包括固接于所述导磁板的壳体，所述磁路结构收容安装于所述壳体内；所述延伸部包括第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部的两端分别连接于所述振膜本体和所述第二延伸部，所述第一延伸部相对所述振膜本体朝靠近所述导磁板的方向弯折并穿设于所述第一磁路结构，所述第二延伸部相对所述第一延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓冬，张成飞，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：