发声器件和音频设备制造技术

本发明专利技术公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、第一磁路结构、第二磁路结构、低音振膜、低音音圈、高音振膜和高音音圈。第一磁路结构包括第一磁体和第一华司，第一华司固接于第一磁体的远离导磁板的一侧，第一华司包括第一子华司和间隔环设于第一子华司外的第二子华司，第一子华司和第二子华司之间形成有高音磁间隙；第二磁路结构间隔环设于第一磁路结构外，以形成低音磁间隙，低音音圈对应低音磁间隙设置；高音振膜包括边缘部和中心部，高音音圈连接于边缘部和中心部之间，并对应高音磁间隙设置，其中至少边缘部平面结构。本发明专利技术技术方案旨在优化高音振膜的结构，以保障发声器件的高音性能，从而提升用户的使用体验。用体验。用体验。

【技术实现步骤摘要】
发声器件和音频设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声器件和音频设备。

技术介绍

[0002]发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元发声器件，即一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元发声器件中，高音单元的振膜结构不合理，导致发声器件的高音性能不理想，给用户带来了不好的使用体验。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种发声器件，旨在优化高音振膜的结构，以保障发声器件的高音性能，从而提升用户的使用体验。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的发声器件，包括：导磁板；第一磁路结构，包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司固接于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其特征在于，包括：导磁板；第一磁路结构，包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司固接于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有高音磁间隙；第二磁路结构，设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，至少所述第二子华司和所述第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置；以及高音振膜、高音音圈，所述高音振膜包括边缘部和中心部，所述高音音圈连接于所述边缘部和所述中心部之间，并对应所述高音磁间隙设置，其中至少所述边缘部设置为平面结构。2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一子磁体的充磁方向与所述第二子磁体的充磁方向相反，所述第一子华司固定连接于所述第一子磁体，所述第二子华司固定连接于所述第二子磁体；所述第一子磁体的充磁方向与所述第二磁路结构的磁体的充磁方向相同。3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述第一子磁体和所述第二子磁体之间的间隙小于所述第一子华司和所述第二子华司之间的间隙。4.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件正对所述中心部设有用于辐射所述高音振膜声波的出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心区域设置，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，所述低音振膜设置有避让所述出音孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯燕燕，郭晓冬，张成飞，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：