显示装置制造方法及图纸

本公开内容提出一种显示装置，其包括：上水平电流线、水平感测线、扫描线和下水平电流线，这些线沿水平方向延伸并且按上述顺序从上侧到下侧沿竖直方向依次设置在衬底上；发射区域，其被限定在水平感测线与上水平电流线之间；非发射区域，其被限定在水平感测线与下水平电流线之间；感测薄膜晶体管，其被设置在水平感测线与扫描线之间；驱动薄膜晶体管，其被设置在扫描线与下水平电流线之间；阳极电极，其从发射区域扩展到非发射区域，并且连接至驱动薄膜晶体管；以及阳极瓶颈部，其被设置在水平感测线与扫描线之间，用于选择性地使阳极电极与驱动薄膜晶体管断开连接。极与驱动薄膜晶体管断开连接。极与驱动薄膜晶体管断开连接。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请是国家申请号为201710952088.0，申请日为2017年10月13日，专利技术名称为“具有高孔径比的超高密度显示装置”的申请的分案申请。


[0002]本公开内容涉及具有高孔径比的超高密度显示装置。特别地，本公开内容涉及具有用于使缺陷像素变暗的瓶颈部以及在像素区域中具有最大化的孔径比的超高密度有机发光二极管显示器。

技术介绍

[0003]现今，开发出各种显示装置(或“FPD”)用于克服笨重庞大的阴极射线管(或“CRT”)的许多缺点。显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、场发射显示器(或“FED”)、等离子体显示面板(或“PDP”)、电致发光装置(或“EL”)等。
[0004]作为自发射显示装置，电致发光装置具有响应速度极快、亮度极高和视角大的优点。电致发光装置可以分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管(或“OLED”)显示器。由于具有良好的能量效率和较低的漏电流并且易于通过电流控制来表示颜色和亮度，因此更为需要使用有机发光二极管的OLED显示器。
[0005]图1是示出有机发光二极管的结构的图。如图1所示，有机发光二极管包括有机发光材料层，以及以有机发光材料层位于其间的方式彼此面对的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴输运层HTL、发射层EML、电子输运层ETL和电子注入层EIL。
[0006]有机发光二极管由于来自在激发状态下形成的激子的能量而辐射光，在激发状态下来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发射层EML处复合。如图1所示,有机发光二极管显示器可以通过控制有机发光二极管的发射层EML产生和辐射的光的量(或“亮度”)来表示视频数据。
[0007]使用具有良好能量效率的有机发光二极管的OLED显示器可以分为无源矩阵型有机发光二极管(或“PMOLED”)显示器和有源矩阵型有机发光二极管(或“AMOLED”)显示器。
[0008]有源矩阵型有机发光二极管(或“AMOLED”)显示器通过使用薄膜晶体管(或“TFT”)控制施加于有机发光二极管的电流来呈现视频数据。下文将参照图2和图3对根据相关技术的有机发光二极管显示器进行说明。
[0009]图2是示出有源矩阵有机发光二极管(或“AMOLED”)显示器中的一个像素的结构的示例性电路图。图3是示出根据相关技术的AMOLED的结构的平面图。图4是用于示出根据相关技术的底部发射型AMOLED的结构的沿切割线I
‑
I'的截面图。
[0010]参照图2和图3，有源矩阵有机发光二极管显示器的一个像素包括开关薄膜晶体管ST、连接至开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT以及连接至驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLED。通过在衬底上淀积扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD来限定像素区域。由于有机发光二极管设置在像素区域内，所以它限定了发射区域。
[0011]开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL与数据线DL的交叉处。开关薄膜晶体管ST用于
选择连接至开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分支的栅电极SG、与栅电极SG交叠的半导体沟道层SA、源电极SS以及漏电极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。
[0012]驱动薄膜晶体管DT包括连接至开关薄膜晶体管ST的漏电极SD的栅电极DG、半导体沟道层DA、连接至驱动电流线VDD的漏电极DD以及源电极DS。驱动薄膜晶体管DT的源电极DS连接至有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。在阳极电极ANO与阴极电极CAT之间设置有有机发光层OL。基准电压VSS被提供给阴极电极CAT。在驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG与驱动电流线VDD之间或者在驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG与驱动薄膜晶体管DT的源电极DS之间形成有存储电容Cst。
[0013]将参照图4对底部发射型有机发光二极管显示器进行说明。在有源矩阵有机发光二极管显示器的衬底SUB上分别形成开关薄膜晶体管ST的栅电极SG和驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG。在栅电极SG和DG上淀积栅极绝缘体GI。在与栅电极SG和DG交叠的栅极绝缘体GI上分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上形成彼此面对且分开的源电极SS和DS以及漏电极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏电极SD经由穿过栅极绝缘体GI的漏极接触孔DH连接至驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG。在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的衬底SUB上淀积钝化层PAS。
[0014]具有这些薄膜晶体管ST和DT的衬底的上表面不处于均匀和/或平滑状况，而是处于具有许多台阶的不均匀和/或粗糙状况。为了获得最佳的发光效率，会在均匀或平坦的表面上淀积有机发光层OL。因此，为了使上表面处于平坦和均匀状况，在衬底SUB的整个表面上淀积外涂层OC。
[0015]然后，在外涂层OC上形成有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。此处，阳极电极ANO通过穿过外涂层OC和钝化层PAS的像素接触孔PH连接至驱动薄膜晶体管DT的源电极DS。
[0016]在具有阳极电极ANO的衬底SUB上，在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各种线DL、SL和VDD的区域上形成用于限定发光区域的堤部BA。阳极电极ANO的通过堤部BA暴露的部分将作为发光区域。在有机发光层OL上淀积阴极电极CAT。
[0017]在具有阴极电极CAT的衬底SUB上设置间隔件SP。优选地，间隔件SP设置在堤部BA即非发射区域上。利用间隔件SP，端帽接合在下衬底SUB上。为了附接端帽与下衬底SUB，将在其他们之间淀积粘合层或粘合材料(未示出)。
[0018]对于底部发射型有机发光二极管显示器，来自有机发光层OL的光将被辐射至下衬底SUB。因此，优选的是，在外涂层OC与钝化层PAS之间设置滤色器CF，并且阳极电极ANO包括透明传导材料。此外，阴极电极CAT优选地包括具有高反射性的金属材料，用于将来自有机发光层OL的光反射至底侧。另外，有机发光层OL和阴极电极CAT将被淀积为覆盖衬底的整个表面。
[0019]阴极电极CAT被提供有机发光二极管OLED的参考电压。为了确保有机发光二极管OLED的稳定操作，参考电压应保持在没有闪烁的稳定电压。为此，优选的是，阴极电极CAT具有低电阻金属材料并且被淀积在衬底SUB的整个表面上。
[0020]当根据相关技术的有机发光二极管显示器被长时间使用时，视频质量会由于像素的电特性的改变而劣化。通过检测电特性的改变，需要用于恢复这些缺陷的补偿元件。
[0021]在这些补偿元件或电路被安装到像素区域中的情况下，它会导致作为发射区域与
像素区域之比的孔径比减小。对于包括UHD或4K的超高分辨率显示器，像素区域包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管，使得孔径比明显降低。需要确保高孔径比的具有超高密度分辨率的有机发光二极管显示器的新结构。

技术实现思路

[0022]为了克本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：上水平电流线、水平感测线、扫描线和下水平电流线，这些线沿水平方向延伸并且按上述顺序从上侧到下侧沿竖直方向依次设置在衬底上；发射区域，其被限定在所述水平感测线与所述上水平电流线之间；非发射区域，其被限定在所述水平感测线与所述下水平电流线之间；感测薄膜晶体管，其被设置在所述水平感测线与所述扫描线之间；驱动薄膜晶体管，其被设置在所述扫描线与所述下水平电流线之间；阳极电极，其从所述发射区域扩展到所述非发射区域，并且连接至所述驱动薄膜晶体管；以及阳极瓶颈部，其被设置在所述水平感测线与所述扫描线之间，用于选择性地使所述阳极电极与所述驱动薄膜晶体管断开连接。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述感测薄膜晶体管包括：从所述水平感测线分支的感测源电极；感测栅电极，其被限定在所述扫描线的第一部分处；感测漏电极，其以所述感测栅电极位于中间的方式面对所述感测源电极；感测半导体层，其从所述感测源电极延伸至所述感测漏电极，并且与所述感测栅电极交叠；以及感测瓶颈部，其被设置在所述水平感测线与所述扫描线之间，用于选择性地使所述感测源电极与所述水平感测线断开连接。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阳极瓶颈部在所述水平感测线与所述扫描线之间沿竖直方向延伸，并且将设置在所述发射区域处的所述阳极电极的第一部分连接至设置在所述非发射区域处的所述阳极电极的第二部分。4.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金贤真，黄盛焕，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：