一种普适的可降低肿瘤细胞表面PD
【技术实现步骤摘要】
一种普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置和方法
[0001]本专利技术属于生物技术及医学
,特别涉及一种普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置和方法。
技术介绍
[0002]细胞程序性死亡配体1(Programmed cell death 1ligand 1,PD
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L1)是由CD274基因编码的一类免疫检查点蛋白,在多种肿瘤细胞中高表达。肿瘤细胞PD
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L1的高表达与肿瘤的转移能力、患者死亡率成正相关,通常作为患者愈后不良的重要标志。研究发现,肿瘤细胞表面的PD
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L1通过抑制T细胞活化的第二信号来抑制T细胞的活化与增殖,使得T细胞丧失对肿瘤细胞的杀伤作用,引起免疫逃逸。因此,针对性地阻断PD
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1/PD
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L1信号通路,可增强T细胞对肿瘤细胞的杀伤。多种PD
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1/PD
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L1抑制剂,通过阻断PD
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1/PD
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L1通路可以增强T细胞活性以激活抗肿瘤免疫响应,已广泛应用于多种恶性肿瘤的治疗。但是,随着抑制剂的广泛应用,耐药现象也随之出现,且现有抑制剂仅对PD
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L1阳性或带有高度微卫星不稳定性或错配修复缺陷基因的不可切除实体瘤的部分患者有效,同时这类抑制剂生产成本昂贵、免疫原性不良反应严重。因此,急需需求一种简便、安全、具有普适性的对肿瘤细胞表面PD
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L1的直接调控手段。
[0003]针对肿瘤表面PD
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L1表达调控已有一定的发展,例如中国专利CN202110382332.0,该专利提出了一种可选择性降解肿瘤细胞膜上PD
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L1蛋白的多肽,利用小分子控制肿瘤细胞膜蛋白的表达水平。但该方案中多肽的储存条件严格,且时效性较短,无法满足患者长期治疗的需求。再如中国专利CN202110388011.1,该专利提出了一种抑制黑素瘤细胞膜表面PD
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L1表达的靶向药物,用于抑制黑素瘤细胞膜表面PD
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L1的表达,进一步促进细胞毒性T淋巴细胞活化。但该方案中使用的药物为携带shRNA的慢病毒,制约了进一步的临床应用。再如中国专利CN202110627894.7,该专利提出了双氢青篙素类化合物调控三阴乳腺癌细胞PD
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L1的表达,但该方案中高剂量的青篙素会带来不可避免的毒副作用。
[0004]磁热是基于磁性纳米材料在交变磁场作用下产热杀伤肿瘤细胞,具有无组织穿透限制、选择性高、普适范围广、安全性良好、不易产生耐受等优势,在尽可能减小对周边组织损伤的同时抑制肿瘤的生长(ACS Nano 2020,14,1033
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1044,Nano Lett.2019,19,4287
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4296,J.Am.Chem.Soc.2021,143,8116
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8128,ACS Nano 2020,14,1936
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1950,ACS Nano 2019,13,8811
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8825,Adv.Sci.2019,6,1901690)。
技术实现思路
[0005]为了克服上述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置和方法,基于磁热降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达,具有普适、安全的特点。
[0006]为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:
[0007]一种普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置,包括:交变磁场发生器和可被
肿瘤细胞内吞的磁性纳米材料,所述交变磁场发生器用于产生并向内吞磁性纳米材料的肿瘤细胞施加交变磁场,使所述磁性纳米材料产生磁热和活性氧。
[0008]在一个实施例中,所述交变磁场发生器产生频率和磁场强度可调节的交变磁场。
[0009]在一个实施例中,所述交变磁场发生器产生的交变磁场频率为50kHz
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1MHz,强度为10Oe
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1000Oe。
[0010]在一个实施例中,所述磁性纳米材料的浓度为10
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1000μg Fe/mL完全培养基。
[0011]在一个实施例中,所述磁性纳米材料为铁基磁性纳米材料,例如FePt、Fe3O4、FeCo或MFe2O4,其中M为Mn、Co、Ni、Zn、Cu等金属。
[0012]在一个实施例中,所述磁热的可测量宏观温度范围为40
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50℃。
[0013]在一个实施例中,所述活性氧包括羟基自由基、单线态氧中的至少一种。
[0014]本专利技术还提供了基于所述普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的方法,包括以下步骤:
[0015]步骤1、使肿瘤细胞内吞磁性纳米材料;
[0016]步骤2、对内吞磁性纳米材料后的肿瘤细胞施加交变磁场,所述磁性纳米材料与施加的所述交变磁场在细胞内产生效应,降低所述肿瘤细胞膜表面PD
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L1表达量。
[0017]在一个实施例中,交变磁场作用于肿瘤细胞内磁性纳米材料产生磁热和活性氧,使得其能抑制信号通路PI3K
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AKT
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mTOR。
[0018]与现有技术相比,本专利技术具有普适性。磁性氧化铁纳米颗粒及交变磁场通过干扰PI3K
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AKT
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mTOR通路降低PD
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L1蛋白水平,是潜在的安全、经济、有效的肿瘤PD
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L1抑制手段。
附图说明
[0019]图1为所述下调PD
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L1方法的示意图。
[0020]图2为所述装置处理MDA
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MB
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231细胞后PD
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L1的蛋白免疫印迹结果。
[0021]图3为所述装置处理MDA
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MB
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231细胞后PD
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L1的免疫荧光结果。
[0022]图4为所述装置处理MDA
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MB
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231细胞后显著PI3K
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AKT
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mTOR信号通路。
[0023]图5为所述装置处理非小细胞肺癌A549细胞后PD
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L1免疫荧光结果。
[0024]图6为所述装置处理肝癌HepG2细胞后PD
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L1的免疫荧光结果。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和实施例详细说明本专利技术的实施方式。
[0026]本专利技术公开了一种新型、普适、安全的可降低肿瘤细胞表面PD<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置,其特征在于,包括:交变磁场发生器和可被肿瘤细胞内吞的磁性纳米材料,所述交变磁场发生器用于产生并向内吞磁性纳米材料的肿瘤细胞施加交变磁场,使所述磁性纳米材料产生磁热和活性氧。2.根据权利要求1所述普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置,其特征在于,所述交变磁场发生器产生频率和磁场强度可调节的交变磁场。3.根据权利要求1所述普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置,其特征在于,所述交变磁场发生器产生的交变磁场频率为50kHz
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1 MHz,强度为10Oe
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1000 Oe。4.根据权利要求1所述普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置,其特征在于,所述磁性纳米材料为铁基磁性纳米材料。5.根据权利要求4所述普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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L1表达的装置,其特征在于,以Fe在完全培养基中的含量计,所述磁性纳米材料的浓度为10
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1000μg/mL。6.根据权利要求4或5所述普适的可降低肿瘤细胞表面PD
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【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓丽,晏彬,刘晨,唐倩倩,樊海明,吕毅,
申请(专利权)人:西安交通大学医学院第一附属医院,
类型:发明
国别省市:
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