一种半导体变流器结构制造技术

本实用新型专利技术涉及变流器技术领域，具体公开了一种半导体变流器结构，包括由顶板、底板、前板、后板和两个侧板组成的箱体，箱体内至少设置有一组由IGBT变流模组、电容模组和电极模组组成的变流器单元；IGBT变流模组包括IGBT模块、母铜排、均流铜排以及水冷散热器，电容模组包括电容和绝缘支撑板，电极模组包括正极板和负极板；IGBT模块通过均流铜排汇集到母铜排，母铜排向箱体外延伸有接线端，正极板和负极板绝缘叠放，负极板与电容连接，正极板与IGBT模块连接，正极板和负极板分别朝反方向设有引线端。本实用新型专利技术结构，合理利用了箱体的内部空间，使变流器的整体结构更加紧凑，提高可靠性的同时，又降低了生产成本，具有很强的实用性。具有很强的实用性。具有很强的实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体变流器结构


[0001]本技术涉及变流器
，更具体的说是涉及一种半导体变流器结构。

技术介绍

[0002]大功率绝缘栅双极晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor(简称IGBT)被广泛用于大功率直流稳压电源的降压斩波电路。而现有技术中，由于器件布局不合理，结构松散，使得变流器的体积庞大，安装存在不便，同时也威胁到IGBT变流模块的正常工作和安全。因此，对变流器内部关键部件进行合理的布局，直接关系到电器元件性能的表现和后期运行的可靠性。

技术实现思路

[0003]本技术旨在一定程度上解决现有技术中存在的技术问题。为此，本技术提出了一种半导体变流器结构。通过调整变流器箱体内部的结构和布局，以及对箱体壳体本身的结构改进，提高空间利用率，提升电器元件的运行可靠性。
[0004]为实现上述目的，本技术的半导体变流器结构具体技术方案如下：
[0005]一种半导体变流器结构，包括箱体，所述箱体由顶板、底板、前板、后板和两个侧板组成，所述箱体内至少设置有一组由IGBT变流模组、电容模组和电极模组组成的变流器单元；
[0006]所述IGBT变流模组包括IGBT模块、母铜排、均流铜排以及水冷散热器，所述水冷散热器为管路腔体结构，其管路两端口分别贯穿至所述顶板和底板外，所述IGBT模块沿所述水冷散热器长度方向间隔设置为多个，每个所述均流铜排均通过一个所述均流铜排连接至所述母铜排，形成串形结构；所述母铜排的两端分别贯穿至所述顶板和底板外，形成接线端；
>[0007]所述电容模组包括电容和绝缘支撑板，所述绝缘支撑板固定于所述后板内侧，与底板垂直，其板面上开有若干电容放置孔，所述电容固定在所述电容放置孔内；
[0008]所述电极模组包括正极板和负极板，所述正极板和负极板沿所述电容的放置方向绝缘叠放，所述负极板与所述电容连接，所述正极板与所述IGBT模块连接；所述正极板朝向所述底板方向设置有引线端，且所述引线端贯穿至所述底板外，所述负极板分别朝所述顶板和底板方向设置有两引线端，且所述引线端分别贯穿至所述顶板和底板外。
[0009]可选的，所述顶板和底板为沉槽型结构，便于容纳各接线端和引线端。
[0010]可选的，所述顶板上开有散热风机安装口。
[0011]可选的，所述底板两侧还设有半工字型的横向滑槽，便于固定安装。
[0012]可选的，所述底板还开有若干通风孔。
[0013]可选的，所述前板为敞口盒型结构，其盒体内设电路器件安装孔，盒体上下两边缘设仪表安装板，所述仪表安装板上预开有仪表固定口。
[0014]可选的，所述后板左右两侧还设有半工字型的竖向滑槽，便于固定安装，所述竖向
滑槽靠近上端和下端的位置分别开有横向卡槽部。
[0015]可选的，所述侧板上开有若干散热孔。
[0016]可选的，所述变流器单元设置为两组。
[0017]与现有技术相比，本技术的半导体变流器结构，合理利用箱体的内部空间，使变流器的箱体结构整体更加紧凑，提高可靠性的同时，又降低了生产成本，具有很强的实用性。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术实施例一的结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例一的内部结构图；
[0021]图3为本技术实施例二的结构示意图；
[0022]图4为本技术实施例二的内部结构图；
[0023]图5为图3的另一视角的立体图；
[0024]图6为本技术实施例中IGBT变流模组的结构示意图；
[0025]图7为本技术实施例中电容模组的结构示意图；
[0026]图8为本技术实施例中电极模组的结构示意图。
[0027]其中：2
‑
IGBT变流模组，3
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电容模组，4
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电极模组，11
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顶板，12
‑
底板，13
‑
前板，14
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后板，15
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侧板，21
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IGBT模块，22
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母铜排，23
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均流铜排，24
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水冷散热器，31
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电容，32
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绝缘支撑板，41
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正极板，42
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负极板，111
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散热风机安装口，121
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横向滑槽，131
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仪表安装板，141
‑
竖向滑槽，151
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边缘滑槽，152
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散热孔，1411
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横向卡槽部。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0029]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固
定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体变流器结构，包括箱体，所述箱体由顶板(11)、底板(12)、前板(13)、后板(14)和两个侧板(15)组成，其特征在于，所述箱体内至少设置有一组由IGBT变流模组(2)、电容模组(3)和电极模组(4)组成的变流器单元；所述IGBT变流模组(2)包括IGBT模块(21)、母铜排(22)、均流铜排(23)以及水冷散热器(24)，所述水冷散热器(24)为管路腔体结构，其管路两端口分别贯穿至所述顶板(11)和底板(12)外，所述IGBT模块(21)沿所述水冷散热器(24)长度方向间隔设置为多个，每个所述均流铜排(23)均通过一个所述均流铜排(23)连接至所述母铜排(22)，形成串形结构；所述母铜排(22)的两端分别贯穿至所述顶板(11)和底板(12)外，形成接线端；所述电容模组(3)包括电容(31)和绝缘支撑板(32)，所述绝缘支撑板(32)固定于所述后板(14)内侧，与底板(12)垂直，其板面上开有若干电容放置孔，所述电容(31)固定在所述电容放置孔内；所述电极模组(4)包括正极板(41)和负极板(42)，所述正极板(41)和负极板(42)沿所述电容(31)的放置方向绝缘叠放，所述负极板(42)与所述电容(31)连接，所述正极板(41)与所述IGBT模块(21)连接；所述正极板(41)朝向所述底板(12)方向设置有引线端，且所述引线端贯穿至所述底板(12)外，所述负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：费宽，
申请(专利权)人：费志聪，
类型：新型
国别省市：