光电转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了光电转换装置。光电转换装置具有被布置为与第一光电转换单元对应的第一过滤器和被布置为与第二光电转换单元对应的第二过滤器。光电转换装置具有被配置为处理来自第一光电转换单元的输出信号并且具有第一经学习的模型的第一处理单元、以及被配置为处理来自第二光电转换单元的输出信号并且具有与第一经学习的模型不同的第二经学习的模型的第二处理单元。的第二处理单元。的第二处理单元。

【技术实现步骤摘要】
光电转换装置


[0001]实施例的方面涉及包括在光电转换装置中的信号处理单元的布置。

技术介绍

[0002]近年来，从例如支持图像处理的日益增加的多样化和增加图像处理的速度的观点，期望在光电转换装置内部执行高级的信号处理。
[0003]日本专利特开No.2020
‑
25263描述了一种多层光电转换装置，其中第一基板和第二基板一个堆叠在另一个之上。第一基板提供有具有多个光电转换单元(图像捕获单元)的光电转换区域。第二基板提供有被配置为对从布置在第一基板上的像素阵列获得的信号执行信号处理的处理单元。在这个处理单元中，作为与机器学习有关的程序的经学习的模型被存储，并且基于神经网络计算模型的信号处理可以被执行。因此，可以在光电转换装置内部执行比以前更高级的信号处理。

技术实现思路

[0004]一种光电转换装置包括：光电转换区域，在所述光电转换区域中布置多个光电转换单元；第一过滤器，所述第一过滤器被布置为与所述多个光电转换单元当中的第一光电转换单元对应；第二过滤器，所述第二过滤器被布置为与所述多个光电转换单元当中的第二光电转换单元对应，并且具有与所述第一过滤器不同的光学特性；第一处理单元，所述第一处理单元被配置为处理来自所述第一光电转换单元的输出信号，并且具有第一经学习的模型；以及第二处理单元，所述第二处理单元被配置为处理来自所述第二光电转换单元的输出信号，并且具有与所述第一经学习的模型不同的第二经学习的模型。
[0005]本公开的进一步的特征从以下参考附图对示例性实施例的描述将变得清楚。
附图说明
[0006]图1是根据第一实施例的光电转换装置的配置的图。
[0007]图2是根据第一实施例的光电转换装置的第一基板的平面图。
[0008]图3是根据第一实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0009]图4是根据第一实施例的光电转换装置的框图。
[0010]图5A和5B是根据第二实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0011]图6是根据第三实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0012]图7是根据第四实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0013]图8是根据第四实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0014]图9是根据第五实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0015]图10是根据第五实施例的光电转换装置的第二基板的平面图。
[0016]图11是根据第六实施例的光电转换系统的功能框图。
[0017]图12是根据第七实施例的距离传感器的功能框图。
[0018]图13是根据第八实施例的内窥镜手术系统的功能框图。
[0019]图14A和14B是图示根据第九实施例的光电转换系统和移动体的图。
[0020]图15A和15B是根据第十实施例的智能眼镜的示意图。
[0021]图16是根据第十一实施例的诊断系统的功能框图。
具体实施方式
[0022]在日本专利特开No.2020
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25263中，仅提供执行基于经学习的模型的处理的一个处理单元。这可以使处理单元的处理速度降低或处理单元的负荷增加。当与日本专利特开No.2020
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25263中的处理单元比较时，本公开提供了包括执行基于经学习的模型的处理的改进的处理单元的光电转换装置。
[0023]在以下中，将参考附图详细描述本公开的实施例。在以下实施例中，相同的部分将由相同的附图标记表示，并且将省略冗余描述。在本说明书中，“在平面图中”是指从与第一基板的光入射表面正交的方向查看。
[0024](第一实施例)
[0025]将使用图1至3描述第一实施例。
[0026]图1是根据本实施例的光电转换装置1000的配置的图。在图1中，光电转换装置1000包括第一基板100和第二基板102。第一基板100和第二基板102一个堆叠在另一个之上。
[0027]第一基板100具有包括光电二极管的多个光电转换单元。多个光电转换单元二维地布置在光电转换区域101中。在光电转换单元用于图像捕获的情况下，“光电转换区域”也可以被称为“成像区域”。实际上，可以存在光电转换单元在例如除图像形成以外的距离测量中被使用的情况，因此光电转换区域是成像区域的一般化概念。
[0028]来自光电转换区域101的信号被输出到第二基板102。在这种情况下，光电转换区域101具有多个像素。每个像素可以具有光电转换单元和读出由光电转换单元产生的电荷的像素电路。例如，像素电路可以包括传送晶体管、放大晶体管、复位晶体管、选择晶体管或电容切换晶体管。替代地，包括雪崩光电二极管(APD)的多个光电转换单元可以布置在光电转换区域101中。此外，APD可以是单光子雪崩二极管(SPAD)。例如，在使用SPAD的情况下，光电转换区域101具有包括SPAD的光电转换单元。而且，在使用SPAD的情况下，不是第一基板100而是第二基板102提供有读出来自光电转换单元的输出的像素电路。
[0029]在第二基板102上，如稍后所描述的，布置模数转换器(ADC)、控制器、信号处理单元、数字信号处理器(DSP)、存储器等。接口电路或驱动电路可以布置在第二基板102上，接口电路和驱动电路未图示。
[0030]为了将第一基板100和第二基板102接合在一起，第一基板100和第二基板102中的每一个被划分成片(芯片)。此后，可以将第一基板100的片和第二基板102的片接合在一起。即，可以使用芯片上芯片(CoC)方法。替代地，第一基板100和第二基板102中的一个(例如，第一基板100)被划分成片(芯片)。此后，可以将第一基板100的片和没有被划分成片(即，处于晶圆状态)的第二基板102接合在一起。
[0031]即，可以使用晶圆上芯片方法(CoW)。替代地，可以使用将都处于晶圆状态的第一基板100和第二基板102接合在一起的方法。即，可以使用晶圆上晶圆(WoW)方法。
[0032]在用于将第一基板100和第二基板102接合在一起的方法中，例如，可以使用等离子体接合等。注意，接合方法不限于此，并且可以使用各种接合方法。
[0033]为了将第一基板100和第二基板102彼此电连接，例如，两个硅通孔(TSV)(其是在第一基板100中提供的TSV和从第一基板100到第二基板102提供的TSV)可以在芯片外表面彼此连接。即，可以使用所谓的双TSV方法。而且，可以采用所谓的共享TSV方法等，通过该方法，第一基板100和第二基板102使用从第一基板100到第二基板102提供的共用TSV彼此连接。此外，可以采用使用所谓的Cu
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Cu接合方法等的各种连接形式，通过该方法，从第一基板100的接合表面露出的铜(Cu)和从第二基板102的接合表面露出的铜(Cu)接合在一起。
[0034]图2是图1中的第一基板100的平面图。在图2中，第一基板100提供有光电转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电转换装置，包括：光电转换区域，在所述光电转换区域中布置多个光电转换单元；第一过滤器，所述第一过滤器被布置为与所述多个光电转换单元当中的第一光电转换单元对应；第二过滤器，所述第二过滤器被布置为与所述多个光电转换单元当中的第二光电转换单元对应，并且具有与所述第一过滤器不同的光学特性；第一处理单元，所述第一处理单元被配置为处理来自所述第一光电转换单元的输出信号，并且具有第一经学习的模型；以及第二处理单元，所述第二处理单元被配置为处理来自所述第二光电转换单元的输出信号，并且具有与所述第一经学习的模型不同的第二经学习的模型。2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述第一过滤器被提供使得所述第一光电转换单元接收红外区域的光，并且所述第二过滤器被提供使得所述第二光电转换单元接收可见光区域的光。3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述第一过滤器被提供使得所述第一光电转换单元接收绿色光，并且所述第二过滤器被提供使得所述第二光电转换单元接收红色或蓝色光。4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述第一经学习的模型是处理从来自所述第一光电转换单元的输出信号获得的辉度信息的经学习的模型，并且所述第二经学习的模型是处理从来自所述第二光电转换单元的输出信号获得的颜色信息的经学习的模型。5.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：处理单元，所述处理单元被配置为将来自所述第一处理单元的输出与来自所述第二处理单元的输出进行组合。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田洋一，小林昌弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：