处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高处理性能的处理装置。等离子体生成部(18)通过基于等离子体放电的辐射热(H)(参考图2)进行加热，以去除真空腔室(10)内的水分。如此，通过使用等离子体生成部(18)中的基于等离子体放电的辐射热(H)，能够去除真空腔室(10)内的水分。因此，通过降低真空腔室(10)内的真空的极限压力，能够达到高真空度。由此，当在真空腔室(10)内进行成膜处理的情况下，能够通过提高膜质来提高处理性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
处理装置


[0001]本申请主张基于2021年2月4日申请的日本专利申请第2021
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016577号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
[0002]本专利技术涉及一种处理装置。

技术介绍

[0003]作为对对象物进行规定的处理的处理装置，如专利文献1中所示，已知一种使成膜材料的粒子附着而形成膜的成膜装置。该处理装置使用等离子枪在腔室内生成等离子体，在腔室内使成膜材料蒸发。成膜材料附着在基板，由此在该基板上形成膜。
[0004]专利文献1：日本特开2016
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141856号公报
[0005]在此，如上所述，对于在腔室内生成等离子体而进行成膜的处理装置，要求提高对象物的膜的膜质。并且，对于进行负离子照射的处理的处理装置，也要求通过提高负离子的照射效率来提高膜质。综上所述，对于在腔室内生成等离子体而进行规定的处理的处理装置，要求提高成膜处理或负离子照射处理等的处理性能。

技术实现思路

[0006]因此，本专利技术的课题在于提供一种能够提高处理性能的处理装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理装置，对对象物进行规定的处理，所述处理装置具备：腔室，用于容纳所述对象物，并在内部进行所述处理；及等离子体生成部，在所述腔室内生成等离子体，所述等离子体生成部通过基于等离子体生成的辐射热进行加热，以去除所述腔室内的水分。2.根据权利要求1所述的处理装置，其中，所述等离子体生成部根据用于去除水分的专用的运行模式生成等离子体。3.根据权利要求1或2所述的处理装置，其中，还具备在进行所述处理时对所述腔室进行冷却的冷却机构，所述冷却机构在所述等离子体生成部进行所述加热时停止冷却。4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理装置，其中，还具备在进行所述处理时对所述腔室进行冷却的冷却机构，所述腔室具有覆盖内壁面的保护板，所述冷却机构对所述保护板进行冷却。5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理装置，其中，所述等离子体生成部具有压力梯度型等离子枪。6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：一色雅仁，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：