R-T-B系烧结磁体的制造方法和R-T-B系烧结磁体技术

本发明专利技术的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备平均粒度为10μm以上500μm以下的R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；向粉碎室被不活泼气体充满的喷射磨装置供给上述粗粉碎粉并对上述粗粉碎粉进行粉碎，得到平均粒度为2.0μm以上4.5μm以下的微粉末的工序；和制作上述微粉末的烧结体的工序，上述不活泼气体被加湿，上述R－T－B系烧结磁体的氧的含量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】R
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T
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B系烧结磁体的制造方法和R
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T
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B系烧结磁体


[0001]本专利技术涉及R
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T
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B系烧结磁体的制造方法和R
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T
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B系烧结磁体。

技术介绍

[0002]R
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T
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B系烧结磁体(R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为过渡金属中的至少1种且必须包含Fe，B为硼)由具有R2Fe
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B型结晶结构的化合物的主相、位于该主相的晶界部分的晶界相和因微量添加元素或杂质的影响而生成的化合物相构成，显示高的剩余磁通密度B
r
(以下有时简称为“B
r”)和高的矫顽力H
cJ
(以下有时简称为“H
cJ”)，具有优异的磁特性，因此已知是永磁体中性能最高的磁体。因此，已用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动汽车(EV、HV、PHV)用电动机、工业设备用电动机等各种电动机和家电制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：在R－T－B系烧结磁体中，R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为过渡金属中的至少1种且必须包含Fe，所述制造方法包括：准备平均粒度为10μm以上500μm以下的R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；向粉碎室被不活泼气体充满的喷射磨装置供给所述粗粉碎粉并对所述粗粉碎粉进行粉碎，得到平均粒度为2.0μm以上4.5μm以下的微粉末的工序；和制作所述微粉末的烧结体的工序，所述不活泼气体被加湿，所述R－T－B系烧结磁体的氧的含量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：所述R－T－B系烧结磁体的R含量为31质量％以下。3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：所述不活泼气体为氮气。4.如权利要求1～3中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：还包括使重稀土元素RH从所述烧结体的表面向内部扩散的扩散工序，其中，RH为Tb、Dy、Ho中的至少1种。5.如权利要求1～4中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：制作所述微粉末的烧结体的工序包括：通过磁场中湿式压制或不活泼气体气氛中的磁场中压制由所述微粉末制作粉末成型体的工序；和对所述粉末成型体进行烧结的工序。6.如权利要求1～5中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：得到所述微粉末的工序中的所述微粉末的所述平均粒度为2.0μm以上3.5μm以下。7.一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于：R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为过渡金属中的至少1种且必须包含Fe，作为所述R－T－B系烧结磁体的主相的R2T
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B相的平均结晶粒径为3μm以上7μm以下，含有氧、碳、氮，氧的含量以质量比计为100...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤森信彦，小幡彻，园田和博，国吉太，古泽大介，槙智仁，三野修嗣，斋藤康太，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：