一种一体式高效电离超高比冲射频离子推力器放电结构制造技术

本发明专利技术公开了一种一体式高效电离超高比冲射频离子推力器放电结构，包括屏栅、屏栅安装环、陶瓷放电室、陶瓷安装环、线圈绝缘支架、后外壳、气体工质管道、多个射频线圈、金属气路接头、超高压气路绝缘器、绝缘器固定环、后盖。本发明专利技术通过线圈绝缘支架对射频线圈进行固定，可实现射频能量的均匀耦合；气体工质通道可使气体均匀的从各个方向进入圆柱形放电室内部，电离效率高，气体工质通道清理方便，金属气路接头采用钎焊的方式固定效果好，超高压气路绝缘器与金属气路接头采用球头连接，连接可靠，连接强度高，便于拆装维护，后盖和绝缘器固定环拼接结构，既可以实现对大体积超高压气路绝缘器的固定，又可以减少整个推力器的体积和重量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种一体式高效电离超高比冲射频离子推力器放电结构


[0001]本专利技术涉及航天空间电推进
，具体而言，涉及一种一体式高效电离超高比冲射频离子推力器放电结构。

技术介绍

[0002]超高比冲射频离子推力器是将双级四栅静电加速技术与感性耦合放电技术相结合的一种新型电推进技术，拥有高比冲、高效率、性能高精度连续可调、易于集成、适用于多元工质等技术特征。可以满足小行星探测、超深空探测等需要长时间飞行的空间探测任务。要实现超高比冲的性能，需要在屏栅极施加较高的电压(＞8000V)，现有的射频离子源技术在超高压绝缘、气路结构、放电室构型、线圈固定结构等方面无法满足超高比冲射频离子推力器的使用要求，所以亟待解决。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中射频离子源技术在超高压绝缘、气路结构、放电室构型、线圈固定结构等方面无法满足超高比冲射频离子推力器的使用要求的问题，从而提供一种一体式高效电离超高比冲射频离子推力器放电结构。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种一体式高效电离超高比冲射频本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一体式高效电离超高比冲射频离子推力器放电结构，其特征在于，包括：后外壳(6)，所述后外壳(6)为上、下端开口的圆柱形筒体，所述后外壳(6)上端外壁沿圆周方向设置一体成型的环形凸台一(61)、下端内壁沿圆周方向设置一体成型的环形凸台二(62)；陶瓷安装环(4)，所述陶瓷安装环(4)为沿轴线设置贯通中心孔的圆环，所述陶瓷安装环(4)同轴设置在所述后外壳(6)上端，所述陶瓷安装环(4)下端面贴合所述后外壳(6)的环形凸台一(61)上端面固定；陶瓷放电室(3)，所述陶瓷放电室(3)为上端敞口、下端封闭的圆柱形筒体，所述陶瓷放电室(3)的底部中间位置设置通气孔(31)，所述陶瓷放电室(3)的外壁沿圆周方向设置一圈与其一体成型的环形凸台三(32)，所述陶瓷放电室(3)同轴设置在所述陶瓷安装环(4)的中心孔内，所述环形凸台三(32)下端面贴合所述陶瓷安装环(4)上端面固定；屏栅安装环(2)，所述屏栅安装环(2)为法兰形套筒，包括法兰凸沿(21)和套筒(22)，所述套筒(22)上端有一圈向内的水平环形凸沿(23)，所述套筒(22)同轴套设在所述环形凸台三(32)上方的所述陶瓷放电室(3)外壁上，所述法兰凸沿(21)下端面贴合所述环形凸台三(32)上端面固定，所述水平环形凸沿(23)下端面通过压在所述陶瓷放电室(3)上端面限位固定；屏栅(1)，所述屏栅(1)为圆盘形，所述屏栅(1)同轴设置在所述屏栅安装环(3)上端，所述屏栅(1)外圈底面与所述屏栅安装环(3)的上端面贴合在一起固定连接；线圈绝缘支架(5)，所述线圈绝缘支架(5)为圆柱形简体结构，所述线圈绝缘支架(5)同轴套设在所述环形凸台三(32)下方的所述陶瓷放电室(3)外壁上固定；多个射频线圈(9)，每个所述射频线圈(9)同轴预设在所述线圈绝缘支架(5)的侧壁内，相邻两个所述射频线圈(9)间隔设置；气体工质管道(7)，所述气体工质管道(7)内具有沿其长度方向开设的气体工质通道，所述气体工质管道(7)垂直固定在所述陶瓷放电室(3)内底部中间位置，所述气体工质管道(7)的通道上端封闭、下端与所述陶瓷放电室(3)的通气孔(31)密封连通，所述气体工质管道(7)的侧壁及顶壁开设多个出气孔(8)；金属气路接头(10)，所述金属气路接头(10)设置在所述陶瓷放电室(3)底部，所述金属气路接头(10)的上端与所述陶瓷放电室(3)底部固定连接，所述金属气路接头(10)的气路通道与所述陶瓷放电室(3)底部的通气孔(31)密封连接连通；后盖(13)，所述后盖(13)为圆盘形，所述后盖(...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴辰宸，蒲彦旭，杨俊泰，李兴达，孙新锋，贾连军，李沛，贺亚强，吕方伟，王紫桐，张宏，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：