陶瓷板及其制造方法技术

本发明专利技术的一个方面提供陶瓷板，其为含有氮化硅及YMgSi2O5N的陶瓷板，通过X射线衍射法对表面的组成进行定量分析时，以总量为基准，上述YMgSi2O5N的含有率的最大值低于8.0质量％。N的含有率的最大值低于8.0质量％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷板及其制造方法。

技术介绍

[0002]氮化硅是强度、硬度、韧性、耐热性、耐腐蚀性、耐热冲击性等方面优异的材料，因此可被用作用于制造压铸机及熔化炉等各种工业用的部件，以及汽车部件等所使用的陶瓷的原料。此外，由于含有氮化硅的陶瓷在高温下的机械特性也优异，因此正在研究适用于要求有高温强度、高温蠕变特性的燃气涡轮机部件。
[0003]从提高陶瓷的生产率等观点考虑，已知有使含有氮化硅及烧结助剂的原料烧结的陶瓷的制造方法。例如，专利文献1中记载了对规定的氮化硅微粉末添加二氧化硅等烧结助剂，并在氮气氛下进行烧结的氮化硅烧结体的制造方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开平08
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048564号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]在氮化硅的烧结中从外部添加作为烧结助剂的二氧化硅，由此能在晶粒生长速度低的低温下进行烧结，能够制造更均质的陶瓷板。该倾向与二氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.陶瓷板，其为含有氮化硅及YMgSi2O5N的陶瓷板，通过X射线衍射法对表面的组成进行定量分析时，以总量为基准，所述YMgSi2O5N的含有率的最大值低于8.0质量％。2.如权利要求1所述的陶瓷板，其还含有Y8Si4N4O
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及Y2Si3O3N4，通过X射线衍射法对表面的组成进行定量分析时，以总量为基准，所述Y8Si4N4O
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及所述Y2Si3O3N4的合计含有率低于4.0质量％。3.如权利要求1或2所述的陶瓷板，其还含有Y8Si4N4O
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【专利技术属性】
技术研发人员：山县利贵，山口满博，东里树，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：