岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件技术

本申请公开一种岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件，所述形成方法包括：提供基底；提供掩模板，所述掩模板上具有通孔；将所述掩模板贴合固定于所述基底表面，所述通孔暴露出基底的部分表面；在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层；将所述掩模板与所述基底表面分离，在所述基底表面保留位于所述通孔内的岛形薄膜结构。上述岛形薄膜结构的形成方法具有工艺步骤简单、成本低、工艺稳定性高的优点。工艺稳定性高的优点。工艺稳定性高的优点。

【技术实现步骤摘要】
岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件


[0001]本申请涉及MEMS
，具体涉及一种岛形薄膜结构的形成方法和MEMS器件。

技术介绍

[0002]岛形结构的PMUT器件一般具有声发射灵敏度高，串扰小，寄生参数小等优点，因此在PMUT器件中经常需要实现岛型叠层结构的加工，即形成若干层功能层和电极层的堆叠及其图形化，工艺上一般可以采用湿法腐蚀、干法刻蚀方案进行加工。
[0003]对于湿法腐蚀方案，目前技术主要依靠酸碱进行腐蚀。该方案具有工艺难度低，加工速度快，设备简单，成本低廉的优点。但由于实际工艺中一般需要进行多次光刻，较难保证最终新城的岛形图形中心完全重合，同时需要仔细调整腐蚀剂的配比并测试其对材料的侧蚀作用，过程较为复杂。腐蚀剂中的离子较难完全去除，对后续半导体工艺制程存在污染隐患；湿法腐蚀工艺受被腐蚀结构的尺寸和工艺环境的影响较大，不利于保证工艺的稳定性。
[0004]对于干法刻蚀方案，目前主要以卤族元素作为核心刻蚀剂，以高能等离子体的方式进行刻蚀。该方案的优点是不需要考虑功能材料的侧蚀，可以采用一套掩模进行刻蚀，即不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种岛形薄膜结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；提供掩模板，所述掩模板上具有通孔；将所述掩模板贴合固定于所述基底表面，所述通孔暴露出基底的部分表面；在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层；将所述掩模板与所述基底表面分离，在所述基底表面保留位于所述通孔内的岛形薄膜结构。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用溅射工艺在所述通孔内以及所述掩模板表面沉积薄膜层。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述通孔的底部尺寸大于顶部尺寸，且将所述掩模板贴合固定于所述基底表面时，所述通孔底部朝向所述基底表面。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述薄膜层包括多层子薄膜。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述岛形薄膜结构的侧壁倾斜，与所述薄膜结构外侧的基底表面之间成一夹角θ，θ＞90
°
。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩模板材料包括半导体晶圆。7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩模板的厚度范围为0.3mm～1mm。8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王续博，马有草，赵玉垚，刘悦，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：