封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种封装结构，包括：第一基板；中介结构，位于第一基板上，中介结构的底面具有相对设置的第一长边和第二长边、以及位于第一长边和第二长边之间的相对设置的第一短边和第二短边；第一沟槽，形成在底面上，并且从第一短边朝向第二短边延伸；封装层，位于第一基板上，并且包封中介结构，封装层填充第一沟槽。针对相关技术中存在的问题，本发明专利技术的目的在于提供一种封装结构及其形成方法，以避免产生产品失效问题。生产品失效问题。生产品失效问题。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在堆叠结构中，不同组件的垂直整合可以使总体积降低，在堆叠结构中常会利用长条型的结构以支撑及导通。在此狭长的支撑柱结构中，模流填充性将成为首要必须解决的问题。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种封装结构及其形成方法，以避免产生产品失效问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种封装结构，包括：第一基板；中介结构，位于第一基板上，中介结构的底面具有相对设置的第一长边和第二长边、以及位于第一长边和第二长边之间的相对设置的第一短边和第二短边；第一沟槽，形成在底面上，并且从第一短边朝向第二短边延伸；封装层，位于第一基板上，并且包封中介结构，封装层填充第一沟槽。
[0005]在一些实施例中，还包括：第二沟槽，形成在底面上，并且从第二短边朝向第一短边延伸，第一沟槽和第二沟槽隔开。
[0006]在一些实施例中，沿长边的方向，第一沟槽和第二沟槽对称地设置在中介结构的两端。
[0007]在一些实施例中，沿垂直于长边的方向做截面，第一沟槽和第二沟槽的截面均是恒定的。
[0008]在一些实施例中，第一沟槽的宽度小于第一短边，并且第一沟槽位于第一短边的中央位置处。
[0009]在一些实施例中，第一沟槽还从第一长边延伸至第二长边。
[0010]在一些实施例中，沿垂直于长边的方向做截面，第一沟槽的截面是变化的。
>[0011]在一些实施例中，第一沟槽具有邻接第一短边的第一段、以及从第一段继续朝向第二短边延伸的第二段，沿垂直于长边的方向做截面，第一段的截面恒定，第二段的截面面积沿远离第一短边的方向逐渐增大。
[0012]在一些实施例中，第一沟槽具有邻接第一短边的第一段、以及从第一段继续朝向第二短边延伸的第二段，第一段从第一长边延伸至第二长边，第二段的宽度小于第一短边，并且位于第一短边的中央位置处。
[0013]在一些实施例中，第一沟槽从第一短边延伸至第二短边。
[0014]在一些实施例中，沿长边的延伸方向，第一沟槽左右对称。
[0015]在一些实施例中，沿垂直于长边的方向做截面，第一沟槽的截面是恒定的。
[0016]在一些实施例中，沿垂直于长边的方向做截面，第一沟槽的截面是变化的。
[0017]在一些实施例中，第一沟槽包括邻接第一短边的第一段、位于第一短边和第二短
边中间的第三段、以及连接第一段和第三段的第二段，沿垂直于长边的方向做截面，第三段的截面大于第一段的截面，并且第三段的截面和第一段的截面均是恒定的，沿从第一段至第三段的方向，第二段的截面面积逐渐增大。
[0018]在一些实施例中，还包括：第二基板，堆叠于中介结构上，且被封装层包覆。
[0019]本申请的实施例还提供一种形成封装结构的方法，包括：将中介结构设置在第一基板上；将第二基板和第三基板设置在中介结构上，第二基板和第三基板之间的缝隙与中介结构的第一沟槽对准；使用封装层包封第二基板和第三基板与第一基板之间的空间，封装层填充第一沟槽。
[0020]在一些实施例中，中介结构支撑第二基板和第三基板。
[0021]在一些实施例中，第一沟槽位于中介结构的面向第一基板的面上。
[0022]在一些实施例中，还包括：在形成封装层后，对第二基板进行单片化工艺以形成包括第二基板以及部分第一基板的第二封装结构，第二封装结构不包括第一沟槽以及位于第一沟槽中的封装层。
[0023]在一些实施例中，还包括：在形成封装层后，对第二基板进行单片化工艺以形成包括第二基板以及部分第一基板的第二封装结构，第二封装结构包括部分的第一沟槽以及部分的位于第一沟槽中的封装层。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0025]图1A至图2C示出了现有技术的实施例的结构示意图。
[0026]图3A至图3H示出了本申请不同实施例的具有沟槽的中介结构的结构示意图。
[0027]图4至图6示出了根据本申请实施例的封装结构的示意图。
具体实施方式
[0028]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0029]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0030]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于
或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0031]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0032]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一基板；中介结构，位于所述第一基板上，所述中介结构的底面具有相对设置的第一长边和第二长边、以及位于所述第一长边和第二长边之间的相对设置的第一短边和第二短边；第一沟槽，形成在所述底面上，并且从所述第一短边朝向所述第二短边延伸；封装层，位于所述第一基板上，并且包封所述中介结构，所述封装层填充所述第一沟槽。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二沟槽，形成在所述底面上，并且从所述第二短边朝向所述第一短边延伸，所述第一沟槽和所述第二沟槽隔开。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，沿所述长边的方向，所述第一沟槽和所述第二沟槽对称地设置在所述中介结构的两端。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，沿垂直于所述长边的方向做截面，所述第一沟槽和所述第二沟槽的截面均是恒定的。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一沟槽的宽度小于所述第一短边，并且所述第一沟槽位于所述第一短边的中央位置处。6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一沟槽具有邻接所述第一短边的第一段、以及从所述第一段继续朝向所述第二短边延伸的第二段，所述第一段从所述第一长边延伸至所述第二长边，所述第二段的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘昭纬，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：