具有改进的电气特性和热特性的功率模块制造技术

一种功率模块(1)，包括布置在衬底(2)上的一组至少三个矩形电气功率部件(11，12，13，14，23，24，25，26)，其中，这些矩形电气功率部件(11，14)中的至少一个的至少一侧(31)与穿过该组的其余矩形电气功率部件(12，13)的几何中心的线(3)不正交或不平行。的线(3)不正交或不平行。的线(3)不正交或不平行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进的电气特性和热特性的功率模块
[0001]半导体功率模块在工业中应用广泛。例如，这种功率模块可以用于大电流的受控开关，并且可以用于功率转换器(比如逆变器)以将DC转换为AC或反之亦然，或者用于在不同电压或频率的AC之间转换。这种逆变器在电机控制器、或发电或储电之间的接口、或配电网中使用。另外，功率模块越来越多地用于车辆、特别是电动车辆或混合动力车辆，其中电气功率的转换或控制很重要。在这样的应用中，对尺寸、重量和效率有很大的限制。
[0002]半导体功率模块被设计为满足两个主要特性：高功率转换效率和高功率密度。还考虑了如使用寿命、成本和质量等因素。为了实现高功率密度，可以使用高性能宽带隙半导体、比如碳化硅(SiC)半导体开关，因为它们通常优于标准硅基半导体开关、例如绝缘栅双极晶体管(IGBT)。SiC器件从热和电气的角度对功率模块的设计提出了很高的要求。宽带隙半导体(例如，SiC半导体开关)具有开关速度可以非常快的特性，这意味着从导通模式到阻断模式的转变只需几纳秒。
[0003]SiC MOSFET在其中应用需要在小体积中实现最高效率的这种应用中用作半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率模块(1)，包括布置在衬底(2)上的一组至少三个矩形电气功率部件(11，12，13，14，23，24，25，26)，其中，这些矩形电气功率部件(11，14)中的至少一个的至少一侧(31)与穿过该组的其余矩形电气功率部件(12，13)的几何中心的线(3)不正交或不平行。2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，构成该组的所有矩形电气功率部件的几何中心沿直线(3)设置。3.根据前述权利要求中任一项所述的功率模块，其中，该组矩形电气功率部件并联电连接。4.根据前述权利要求中任一项所述的功率模块，其中，这些矩形电气功率部件是半导体开关。5.根据权利要求4所述的功率模块，其中，该功率模块提供半桥电路。6.根据权利要求5所述的功率模块，其中，该衬底(2)进一步包括内部负载轨道(4)、两个中间负载轨道(5，6)和两个外部负载轨道(7，8)，每个负载轨道是长形的并且在第一方向(9)上基本上横跨该衬底(2)延伸；其中，这两个中间负载轨道(5，6)被布置为与该内部负载轨道(4)相邻，并且每个外部负载轨道(7，8)相对于基本上与该第一方向(9)正交的第二方向(10)布置在这两个中间负载轨道(5，6)中的一个的与该内部负载轨道(4)的侧相反的侧；其中，该功率模块包括两组(15
‑
18，19

【专利技术属性】
技术研发人员：约尔格，
申请(专利权)人：丹佛斯硅动力有限责任公司，
类型：发明
国别省市：