谐振增强型射频低噪声放大器制造技术

一种谐振增强型射频低噪声放大器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域。背景技术的共源－共栅放大器电路虽可使正向放大倍数和噪声系数得到兼顾，但需在共源晶体管的栅极电路串接大电感，共栅晶体管的漏极输出大幅度电压，放大器的线性度较差。本发明专利技术的放大器采用单管共源放大电路，其输入电路串接电容电感并联电路，其输出电路中接有电容电感串联电路，共源晶体管的漏极输出小幅度电压，不仅噪声低和正向放大倍数大，而且线性度好，弥补了背景技术的共源－共栅放大器的不足。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种谐振增强型射频低噪声放大器，含ＭＯＳ管（Ｍ１）、Ｖ↓［ｄｄ］端、Ｖ↓［ｂｉａｓｌ］端、Ｖ↓［ｉｎ］端、Ｖ↓［ｏｕｔ］端和地线，ＭＯＳ管（Ｍ１）是ＮＭＯＳ管，Ｖ↓［ｉｎ］端、Ｖ↓［ｏｕｔ］端、Ｖ↓［ｄｄ］端、地线和Ｖ↓［ｂｉａｓｌ］端分别是该放大器的射频信号输入端、射频信号输出端、＋电压输入端、－电压输入端和偏置电压输入端，其特征在于，ＭＯＳ管（Ｍ１）连接成单管共源电路，该放大器还含有第一电感（Ｌ↓［ｐ］），第二电感（Ｌ↓［ｓｏｕｒｃｅ］），第三电感（Ｌ↓［ＲＦＣ］），第四电感（Ｌ↓［ｓ］），第一电容（Ｃ↓［ｐ］），第二电容（Ｃ↓［ｅｘｔ］），第三电容（Ｃ↓［ｓ］）和电阻（Ｒ↓［ｃｈｏｋｅ］），第一电感（Ｌ↓［ｐ］）与第一电容（Ｃ↓［ｐ］）并联后跨接在Ｖｉｎ端和ＭＯＳ管（Ｍ１）的栅极之间，第二电容（Ｃ↓［ｅｘｔ］）跨接在ＭＯＳ管（Ｍ１）的栅极和源极之间，电阻（Ｒ↓［ｃｈｏｋｅ］）跨接在ＭＯＳ管（Ｍ１）的栅极与（Ｖ↓［ｂｉａｓｌ］）端之间，第二电感（Ｌ↓［ｓｏｕｒｃｅ］）跨接在ＭＯＳ管（Ｍ１）的源极和地线之间，第三电感（Ｌ↓［ＲＦＣ］）跨接在ＭＯＳ管（Ｍ１）的漏极和Ｖ↓［ｄｄ］端之间，第四电感（Ｌｓ）跨接在ＭＯＳ管（Ｍ１）的漏极和Ｖｏｕｔ端之间，第三电容（Ｃ↓［ｓ］）跨接在Ｖｏｕｔ端和地线之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：景一欧，李勇，赖宗声，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]