一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，能够提高发光器件的发光效率。空穴传输材料，所述空穴传输材料的化学结构式包括至少三个设置在两个苯环或类苯环的间位上的氮原子；其中，两个苯环或类苯环的间位上连接同一个氮原子，苯环间位或类苯环间位上的氮原子具有三个单键，类苯环的任意位独立选自N、O、S、B、Si或P。Si或P。Si或P。

Hole transporting material, light emitting device, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、视角宽、响应速度快、可柔性、超薄和重量轻等优点，在显示和照明领域市场应用潜力巨大。通常OLED被施加电压时，从电极注入空穴和电子载流子，电子和空穴在发光层中进行复合后形成激子，激子进行辐射跃迁实现发光。因此，OLED作为一种电流驱动器件，在外场电压下随着电流密度的增加其亮度也随之增加。
[0003]然而，现有的OLED发光器件的发光效率较低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置，能够提高发光器件的发光效率。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种空穴传输材料，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1所示：
[0006][0007][0008]式1中，X1和X2各自独立选自C、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1所示：式1中，X1和X2各自独立选自C、N、O、S、B、Si或P；M2选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、氰基、经取代或未经取代的C6～C60芳基以及杂芳基中的至少一种，所述C6～C60芳基为经取代或未经取代的基团；A1、A2、A3和A4各自独立选自经取代或未经取代的第一基团，所述第一基团包括：C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、C6～C30芳基膦基、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6
‑
C30芳基甲硅烷基。2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1
‑
1所示：
式1
‑
1中，R1至R6各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、以及经取代或未经取代的第二基团中的至少一种，所述第二基团包括：C3～C30甲硅烷基、硼基、C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、C1～C30芳烷基胺基、C6～C30杂芳基胺基、C6～C30芳基胺基、C6～C30芳基杂芳基胺基、C6～C30芳基膦基、氧化膦基团、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基。3.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于，A1、A2、A3和A4各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环，A1、A2、A3和A4中的碳原子用于被N、O和S中的至少一种原子替换，A1和A2用于相互键合连接成环，A3和A4用于相互键合连接成环；和/或，R1至R6各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环；和/或，式1
‑
1中，所述第二基团的取代基具有含氧基团。4.一种发光器件，其特征在于，包括：发光层；空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置于所述第一空穴传输层与所述发光层之间；所述第二空穴传输层包括如权利要求1
‑
3中任一项所述的空穴传输材料，所述第二空穴传输层的三线态能级大于所述发光层的三线态能级。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括按照设定质量比例混合的第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料；
其中，所述第二主体材料用于将所述第一主体材料内产生的三线态激子转换为单线态激子，所述荧光发射体材料用于利用所述单线态激子的辐射跃迁进行发光。6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二主体材料的单线态能级与三线态能级的差值小于或等于0.3eV。7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的发射光谱与所述第二主体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％；和/或，所述第二主体材料的吸收光谱与所述荧光发射体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％。8.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的三线态能级大于所述第二主体材料的三线态能级。9.根据权利要求5或8所述的发光器件，其特征在于，所述第二主体材料的三线态能级大于所述荧光发射体材料的三线态能级。10.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为65％
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75％，所述第二主体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为24％
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34％，所述荧光发射体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比为1％。11.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的化学结构通式如式2所示：式2中，Y1和Y2各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴勇，王丹，张晓晋，孙海雁，邱丽霞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：