【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像元件
[0001]本公开涉及固态摄像元件。
技术介绍
[0002]动态视觉系统中使用的固态摄像元件将入射光光电转换为电压信号,并基于电压信号检测入射光的亮度变化(例如,参见专利文献1)。
[0003]引文列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:国际公开第2019/087472号
技术实现思路
[0006]本专利技术要解决的问题
[0007]然而,在检测入射光的亮度变化的固态摄像元件中,电压信号的电压发生变化,并且在内部发生杂散光照射的情况下,亮度变化的检测精度可能会劣化。
[0008]因此,本公开提出了一种能够抑制亮度变化的检测精度降低的固态摄像元件。
[0009]问题的解决方案
[0010]根据本公开的固态摄像元件包括光电二极管、转换电路、亮度变化检测电路和遮光单元。光电二极管对入射光进行光电转换以产生光电流。转换电路将光电流转换为电压信号。亮度变化检测电路基于电压信号检测入射光的亮度变化。遮光单元遮蔽光入射到被包括在将电压信号输入 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态摄像元件,包括:光电二极管,其被构造为对入射光进行光电转换以产生光电流;转换电路,其被构造为将所述光电流转换为电压信号;亮度变化检测电路,其被构造为基于所述电压信号检测所述入射光的亮度变化;和遮光单元,其被构造为遮蔽光入射到杂质扩散区域,所述杂质扩散区域被包括在将所述电压信号输入到所述亮度变化检测电路的电路中。2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述遮光单元是覆盖配线层的遮光膜,所述配线层层叠在包括所述光电二极管的半导体层上。3.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述遮光单元是覆盖包括所述光电二极管的半导体层的光入射侧表面的遮光膜。4.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中所述遮光膜被设置在与所述杂质扩散区域重叠的位置处,在平面图中包括所述杂质扩散区域,在侧视图中从所述杂质扩散区域的外周起的突出宽度等于或大于侧视图中距所述杂质扩散区域的距离。5.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述遮光单元是在配线层中为了遮光目的而设置的配线,所述配线层被设置为相对于所述杂质扩散区域靠近所述入射光入射的一侧。6.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中所述为了遮光目的而设置的配线被设置在与所述杂质扩散区域重叠的位置处,在平面图中包括所述杂质扩散区域,并且在侧视图中从所述杂质扩散区域的外周起的突出宽度等于或大于侧视图中距所述杂质扩散区域的距离。7.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中所述为了遮光目的而设置的配线包括在平面图中至少部分重叠的多层配线。8.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述遮光单元包括嵌入在沟槽中的遮光部件,所述沟槽设置于通过热载流子发光的有源元件与所述杂质扩散区域之间。9.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述杂质扩散区域被设置在由透镜会聚在所述光电二极管上的所述入射光的光束透过的区域之外。10.一种固态摄像元件,包括:光电二极管,其被构造为对入射光进行光电转换以产生光电流;转换电路,其被构造为将所述光电流转换为电压信号;
亮度变化检测电路,其被构造为基于所述电压信号...
【专利技术属性】
技术研发人员:土本航也,北野伸,村川祐亮,中村诚,花田拓也,野田裕贵,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:
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