环状烯烃开环共聚物、绝缘材料用组合物、以及绝缘材料制造技术

本发明专利技术提供一种环状烯烃开环共聚物，其包含来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元和来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元。在该共聚物中，以该共聚物具有的全部结构单元为100摩尔％，来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为0.01摩尔％以上且15.00摩尔％以下。下。

Cyclic olefin ring opening copolymer, composition for insulating material, and insulating material

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】环状烯烃开环共聚物、绝缘材料用组合物、以及绝缘材料


[0001]本专利技术涉及环状烯烃开环共聚物和包含该环状烯烃开环共聚物的绝缘材料用组合物、以及包含该绝缘材料用组合物的绝缘材料。

技术介绍

[0002]已知包含具有降冰片烯骨架的单元的聚合物(以下有时称作“降冰片烯系聚合物”)能够呈现各种有益的特性。有效利用该特性，降冰片烯系聚合物可适当地应用于多种用途。而且，近年来，为了进一步提高在各种用途中的适应性，正在尝试对降冰片烯系聚合物进行改进。
[0003]具体而言，例如在专利文献1中，公开了一种降冰片烯系交联聚合物，其含有50质量％以上的选自二环戊二烯系单体单元、四环十二碳烯系单体单元和三环戊二烯系单体单元中的一种以上，玻璃化转变温度为240℃以上。此外，例如在专利文献2中，公开了一种包含具有降冰片烯骨架的单元、以及具有含马来酰亚胺基的具有降冰片烯骨架的单元的加成聚合物。进而此外，例如在专利文献3中，公开了一种至少包含含有自由基的具有降冰片烯骨架的单元的加成聚合物和开环聚合物。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
‑
104934号公报；
[0007]专利文献2：国际公开第2008/070774号；
[0008]专利文献3：日本特开2012
‑
197440号公报。

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]近年来，由于作为降冰片烯系聚合物的特性之一的高耐热性，使得其作为绝缘材料的用途备受瞩目。为了作为绝缘材料来应用，降冰片烯系聚合物需要能够呈现高绝缘击穿电压。但是，根据上述现有的降冰片烯系聚合物的组成，不能够充分提高绝缘击穿电压。
[0011]因此，本专利技术的目的在于提供一种绝缘击穿电压充分高的环状烯烃开环共聚物。
[0012]此外，本专利技术的目的在于提供一种能够在形成绝缘材料时有利地使用的绝缘材料用组合物。
[0013]进而，本专利技术的目的在于提供一种能够发挥优异的性能的绝缘材料。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]本专利技术人以解决上述问题为目的，进行了深入研究。然后，本专利技术人新发现，在包含来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元和来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的环状烯烃开环共聚物中，在来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为0.01摩尔％以上且15.00摩尔％以下的情况下，能够充分提高绝缘击穿电压，从而完成了本专利技术。
[0016]即，本专利技术的目的在于有利地解决上述问题，本专利技术的环状烯烃开环共聚物的特征在于，包含来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元和来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元，以上述环状烯烃开环共聚物具有的全部结构单元为100摩尔％，上述来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为0.01摩尔％以上且15.00摩尔％以下。像这样，如果在包含规定的结构单元的环状烯烃开环共聚物中来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为0.01摩尔％以上且15.00摩尔％以下，则能够充分提高绝缘击穿电压。
[0017]在此，共聚物中的“结构单元”是指通过其的重复能够形成共聚物的单元。而且，“结构单元的含有比例”能够使用1H
‑
NMR、
13
C
‑
NMR等核磁共振(NMR)法测定。
[0018]在此，在本专利技术的环状烯烃开环共聚物中，以上述环状烯烃开环共聚物具有的全部结构单元为100摩尔％，优选上述来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为85.00摩尔％以上且99.99摩尔％以下。如果在包含规定的结构单元的环状烯烃开环共聚物中来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为85.00摩尔％以上且99.99摩尔％以下，则能够进一步提高环状烯烃开环共聚物的绝缘击穿电压。
[0019]此外，本专利技术的环状烯烃开环共聚物优选上述含杂元素烃基具有环状结构。如果来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含杂元素烃基具有环状结构，则能够进一步提高环状烯烃开环共聚物的绝缘击穿电压。
[0020]而且，本专利技术的环状烯烃开环共聚物优选上述来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元包含来自具有芳香环的具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元。如果来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元包含来自具有芳香环的具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元，则能够进一步提高环状烯烃开环共聚物的绝缘击穿电压。
[0021]此外，本专利技术的目的在于有利地解决上述问题，本专利技术的绝缘材料用组合物的特征在于包含上述任一种环状烯烃开环共聚物。含有上述环状烯烃开环共聚物的绝缘材料用组合物能够在形成绝缘材料时有利地使用。
[0022]进而，本专利技术的目的在于有利地解决上述问题，本专利技术的绝缘材料的特征在于是使用上述绝缘材料用组合物形成的。使用上述绝缘材料用组合物形成的绝缘材料能够发挥优异的性能。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术，能够提供一种绝缘击穿电压充分高的环状烯烃开环共聚物。
[0025]此外，根据本专利技术，能够提供一种可以在形成绝缘材料时有利地使用的绝缘材料用组合物。
[0026]进而，根据本专利技术，能够提供一种可以发挥优异的性能的绝缘材料。
具体实施方式
[0027]以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。
[0028]在此，本专利技术的环状烯烃开环共聚物由于绝缘击穿电压充分高，所以能够在形成绝缘材料时适当地使用。
[0029](环状烯烃开环共聚物)
[0030]环状烯烃开环共聚物可通过例如在聚合催化剂的存在下将包含具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物和具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的单体组合物开环聚合来得到。而且，本专利技术的环状烯烃开环共聚物包含来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元，并且，来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为0.01摩尔％以上且15.00摩尔％以下。
[0031]＜来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元＞
[0032]作为能够形成来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的降冰片烯化合物(以下有时称作“含杂元素的降冰片烯化合物”)，可举出下式(1)所表示的降冰片烯化合物。
[0033][化学式1][0034][0035]在上式(1)中，p为0～4的整数，R1～R4各自独立地为氢原子、单键、不含杂元素烃基、或含杂元素烃基，R1～R4中的至少一个为含杂元素烃基，进而，R1～R4中的两个以上可以相互成键形成单环或多环。
[0036]更具体而言，作为可为R1～R4的含杂元素烃基，可举出取代或非取代的酰亚胺基、取代或非取代的马来酰亚胺基、取代或非取代的羰基、取代或非取代的环氧基。另外，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种环状烯烃开环共聚物，其包含来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元和来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元，以所述环状烯烃开环共聚物具有的全部结构单元为100摩尔％，所述来自具有含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比例为0.01摩尔％以上且15.00摩尔％以下。2.根据权利要求1所述的环状烯烃开环共聚物，其中，以所述环状烯烃开环共聚物具有的全部结构单元为100摩尔％，所述来自具有不含杂元素烃基的降冰片烯化合物的结构单元的含有比...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸直哉，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：