一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述阈值开关材料的化学通式为Ge

Threshold switching material, threshold switching device unit and preparation method thereof

【技术实现步骤摘要】
一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子
，特别涉及一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法。

技术介绍

[0002]人类社会已经进入到以大数据为特征的信息时代，如何让爆炸式增长的海量数据存得下、存得好成为必须要解决的问题。新型存储技术成为最佳解决方案之一。新型存储器的代表有相变存储器和阻变存储器等，这两种存储器的基本构成单元都是存储单元加上开关单元。其中开关单元在芯片中起到抑制漏电流的作用。近年来，利用硫系化合物薄膜材料作为介质的阈值转换开关(OTS)被认为是最具有应用价值的选通器。OTS选通器的基本原理如下：利用电学信号来控制选通器件的开关，当施加电学信号于选通器件单元并超过阈值电压时，材料由高阻态向低阻态转变，此时器件出于开启状态；当撤去电学信号时，材料又由低阻态转变成高阻态，器件处于关闭状态。S.R.Ovshinsky在20世纪60年代末首次发现了具有阈值转变特性的材料，由此引发了科学家对于阈值转变现象的研究，以此为基础，发现了一系列具有阈值转变特性的硫系化合物。<br/>[0003]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阈值开关材料，其特征在于：所述阈值开关材料的化学通式为Ge
x
As
y
In
z
Se
(100
‑
x
‑
y
‑
z)
，其中x、y、z均指元素的原子百分比，且满足5≤x≤20，15≤y≤40，0&lt;z≤10。2.一种阈值开关器件单元，其特征在于：所述阈值开关器件单元自下而上依次包括下电极层、如权利要求1所述的阈值开关材料层、上电极层以及设置于所述上电极层上的引出电极。3.根据权利要求2所述的阈值开关器件单元，其特征在于：所述下电极层的材料包括W、Cu、Al、C、Ti、Ta、TiN、WNx、TaN、Pt、Au、Ag、Co、Ni中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁祯晖，宋三年，宋志棠，李小丹，吴青玉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：