导电微粒可变阵列及其制备与应用制造技术

本发明专利技术提供了一种导电微粒可变阵列，属于等离基元光学领域，提供一种等离基元电磁场分布性能可连续调整的等离基元表面晶格共振装置，从而实现连续可调的光谱学应用，二阶非线性光学应用，手性光学应用，以及三阶非线性光学应用。导电微粒可变阵列由两套导电微粒阵列进行穿插而成，通过两套导电微粒阵列之间的相对位移实现其等离基元表面晶格共振性质的连续调节。本发明专利技术也提供一种导电微粒可变阵列的制作方法，即导电微粒镶嵌组合法，通过实现导电微粒嵌入基底材料，来实现一种强健、耐用的导电微粒可变阵列，在进行调节两套导电微粒阵列之间的相对位移时，可有效防止导电微粒的碰撞、摩擦等原因导致的意外脱落。摩擦等原因导致的意外脱落。摩擦等原因导致的意外脱落。

【技术实现步骤摘要】
导电微粒可变阵列及其制备与应用


[0001]本专利技术涉及等离基元光学
，尤其涉及一种等离基元电磁场分布性能可连续调节的等离基元表面晶格共振(plasmonic surface lattice resonance,SLR)阵列。

技术介绍

[0002]等离基元表面晶格共振(SLR)是一种光学谐振现象，其具有广阔的用途。单个导电微粒表面可形成局域化表面等离基元振荡(localized surface plasmonresonances,LSPR)，即局域化的表面等离基元振荡，导电微粒的阵列则可在特定工作波长的外界光束照射下，形成局域化表面等离基元振荡(LSPR)的集体振荡形式，产生尖锐的共振吸收、散射、反射光谱峰值及其相关光波相位突变等，即为等离基元表面晶格共振(SLR)现象。等离基元表面晶格共振(SLR)体系是极其重要的电磁、光学科研体系，如文献Chemical Reviews 2018,118,5912
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5951所述。等离基元表面晶格共振(SLR)体系可检测、控制光的偏振，用于增强拉曼、折射率检测、手性检测；也可作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.导电微粒可变阵列，其特征在于，所述导电微粒可变阵列包括阵列一和阵列二；阵列一和阵列二均为由若干导电微粒组成的二维晶体阵列；其中，阵列一固定在基底一的一个平面上，记为平面一，阵列二固定在基底二的一个平面上，记为平面二，所述平面一和平面二相对、平行放置，平面一和平面二之间留有间距或相互贴合。2.根据权利要求1所述的导电微粒可变阵列，其特征在于，所述导电微粒于平面一或平面二上的固定方式为方式一或方式二；方式一：所述平面一和平面二上均设有若干凹陷处，所述导电微粒填充于凹陷处且不凸出于平面一、平面二，所述平面一贴合于平面二；方式二：所述导电微粒直接附着于平面一和平面二上，所述平面一和平面二相对放置，平面一上的导电微粒和平面二上导电微粒交错分布，并使阵列一与阵列二、基底二不接触，阵列二与阵列一、基底一不接触。3.根据权利要求2所述的导电微粒可变阵列，其特征在于，所述方式二中，平面一、平面二之间的空间，除去阵列一、阵列二外，为气隙，所述气隙用折射率与基底一、基底二材质相同的液体进行填充，使得导电微粒可变阵列所处环境折射率均匀。4.根据权利要求1所述的导电微粒可变阵列，其特征在于，阵列一、阵列二均满足二维晶体的平移对称性，所述阵列一、阵列二可相同或不同；阵列一、阵列二之间可相对位移，使得导电微粒可变阵列发生几何形状变化。5.根据权利要求1所述的导电微粒可变阵列，其特征在于，所述导电微粒为金属微粒或非金属导电材料微粒；所述金属微粒为银、金或铝；所述非金属导电材料微粒为氮化钛或氧化铟锡，所述导电微粒的材质与尺寸满足400
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2000nm真空波长的波长范围内光线激发局域化表面等离基元振荡的条件。6.根据权利要求1所述的导电微粒可变阵列，其特征在于，所述基底一、基底二允许外界光束照射阵列一、阵列二，并允许透射光、反射光输出。7.根据权利要求1所述的导电微粒可变阵列，其特征在于，所述阵列一、阵列二的导电微粒在二维晶体的两个维度上的晶格周期为a1，a2；且200nm≤a1≤2000nm，200nm≤a2≤...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖宝栋，郭敬为，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：