【技术实现步骤摘要】
运用于固态存储装置的相关控制方法
[0001]本专利技术是有关于一种存储装置的运作方法,且特别是有关于一种运用于固态存储装置的相关控制方法。
技术介绍
[0002]众所周知,固态存储装置(Solid State Device,SSD)使用非易失性存储器(non
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volatile memory)为主要存储元件。也就是说,当数据写入非易失性存储器后,一旦系统电源关闭,数据仍保存在固态存储装置中。
[0003]请参照图1,其所示为已知固态存储装置的示意图。固态存储装置10中包括一控制器110、缓冲元件(buffering element)130与一非易失性存储器120。而在固态存储装置10外部,控制器110通过一外部总线20与主机(host)12之间进行指令与数据的传递。其中,缓冲元件130为快取存储器(cache memory),非易失性存储器120可为快闪存储器(flash memory),且缓冲元件130可利用SRAM或者DRAM来实现。另外,外部总线20可为USB总线、IEEE 1394总线、M ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种固态存储装置的控制方法,该固态存储装置包括一非易失性存储器,该非易失性存储器中包括多个区块,其特征在于,该控制方法包括下列步骤:(a1)开启一区块;(a2)于进行一编程动作时,将有效写入数据存储于该开启区块;(a3)判断该开启区块中存储的该有效写入数据是否到达一预定容量;(a4)当该开启区块中存储的该有效写入数据未到达该预定容量时,回到该步骤(a2);以及(a5)当该开启区块中存储的该有效写入数据到达该预定容量时,关闭该开启区块,并回到该步骤(a1);其中,该预定容量小于该区块的容量。2.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,该预定容量设定在该区块容量的90%~95%之间。3.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,利用该非易失性存储器中的一主存储区容量与一超额配置区...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢适鸿,江炫儀,陈世轩,林子傑,
申请(专利权)人:建兴储存科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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