高频切换模块制造技术

一种由ＦＥＴ构成的ＦＥＴ开关，它选择性地将连接到天线的天线输入／输出端口（ＡＮＴ０）连接到以下端口之一，这些端口是连接到发送信号输入端（Ｔｘ１）的端口（ＲＦ１１），以及分别连接到两个接收信号输出终端（Ｒｘ１）和（Ｒｘ２）的端口（ＲＦ１２）和（ＲＦ１３）。当从发送信号输入端（Ｔｘ１）输入发送信号，并从端口（ＲＦ１１）输入到ＦＥＴ开关（ＳＷ１０）时，较高次的谐波失真将会产生并被输出到发送信号输入端（Ｔｘ１）侧。连接到端口（ＲＦ１１）的相位设定元件（Ｌ１）将从端口（ＲＦ１１）观察时输入侧的该较高次的谐波阻抗从开路状态变为短路状态，由此来耗散该较高次的谐波。这将可抑制较高次的谐波返回端口（ＲＦ１１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种高频切换模块，包括：ＦＥＴ开关，所述ＦＥＴ开关包括用来接收发送信号的发送输入端口、用来输出接收信号的接收输出端口以及用来将所述发送信号输出到天线或从所述天线接收所述接收信号的天线端口，并且所述ＦＥＴ开关通过在所述输入和输出端口之 间切换来将所述天线端口连接到所述发送输入端口或所述接收输出端口；以及滤波器，所述滤波器连接于所述发送输入端口，并衰减所述发送信号的高次谐波；相位设定装置，用于将从所述发送输入端口观察的所述滤波器侧的关于所述高次谐波的阻抗向零 改变，所述相位设定装置被设置在所述ＦＥＴ开关的发送输入端口和所述滤波器之间；其中，所述相位设定装置允许从所述发送输入端口观察的所述滤波器侧的关于所述发送信号的二次或三次谐波的阻抗的史密斯圆图位置位于零阻抗附近。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边真也，降谷孝治，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]