推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。本发明专利技术电路简单；无需外加电源供电，电路功耗小；不引入任何额外能量和干扰，倍频相噪恶化小。相噪恶化小。相噪恶化小。

Push pull Schottky diode stack frequency doubling circuit and its frequency doubling device

【技术实现步骤摘要】
推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置


[0001]本专利技术涉及二极管倍频器领域，特别是推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置。

技术介绍

[0002]随着电子信息技术、微波通信技术的发展，对系统的时钟或者频率源的要求越来越高，往往需要高性能的倍频方案实现频率倍增。为实现所需信号的频率倍增，常用的方法有：变容二极管倍频、阶跃二极管倍频、三极管倍频、混频倍频、放大器饱和选频实现倍频等等。这些方法中二极管和三极管倍频均是利用晶体管的非线性产生丰富谐波，属于无源倍频；三极管、放大器饱和选频实现倍频均属于有源电路，需要额外加入电源进行供电，倍频后相噪恶化大。变容二极管和阶跃二极管倍频主要利用了二极管的非线性产生谐波，变容二极管倍频效率低、前后级匹配要求高，调试难度大，阶跃二极管同样利用二极管的非线性性能，但倍频电路复杂、需要对参考信号进行放大后才能推动阶跃二极管，电路功耗大，成本高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，电路简单；无需外加电源供电，电路功耗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构。2.根据权利要求1所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述肖特基二极管包括第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管，所述第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管逐个串联，所述第二二极管与第三二极管之间推挽式串联连接；所述推挽式二极管倍频电路还包括隔离电路，所述隔离电路对多个肖特基二极管之间的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行隔离；所述推挽式二极管倍频电路还包括选频输出电路，所述选频输出电路对经隔离电路隔离得到的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行选频输出。3.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述第二二极管与第三二极管的正向端背靠地连接。4.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述隔离电路包括隔离电感，所述隔离电感一端电连接到第二二极管与第三二极管之间，所述隔离电感另一端电连接到第一二极管与第二二极管之间以及第三二极管与第四二极管之间。5.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述选频输出电路包括奇次电容和偶次电容，所述奇次电容一端电连接于第四二极管之后，所述奇次电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜国孟，蒋兴华，雒一，陈尘，陈美玲，赵小梅，
申请(专利权)人：成都麦克韦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：