本发明专利技术涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。本发明专利技术电路简单；无需外加电源供电，电路功耗小；不引入任何额外能量和干扰，倍频相噪恶化小。相噪恶化小。相噪恶化小。
Push pull Schottky diode stack frequency doubling circuit and its frequency doubling device
【技术实现步骤摘要】
推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置
[0001]本专利技术涉及二极管倍频器领域，特别是推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置。
技术介绍
[0002]随着电子信息技术、微波通信技术的发展，对系统的时钟或者频率源的要求越来越高，往往需要高性能的倍频方案实现频率倍增。为实现所需信号的频率倍增，常用的方法有：变容二极管倍频、阶跃二极管倍频、三极管倍频、混频倍频、放大器饱和选频实现倍频等等。这些方法中二极管和三极管倍频均是利用晶体管的非线性产生丰富谐波，属于无源倍频；三极管、放大器饱和选频实现倍频均属于有源电路，需要额外加入电源进行供电，倍频后相噪恶化大。变容二极管和阶跃二极管倍频主要利用了二极管的非线性产生谐波，变容二极管倍频效率低、前后级匹配要求高，调试难度大，阶跃二极管同样利用二极管的非线性性能，但倍频电路复杂、需要对参考信号进行放大后才能推动阶跃二极管，电路功耗大，成本高。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，电路简单；无需外加电源供电，电路功耗小；不引入任何额外能量和干扰，倍频相噪恶化小。
[0004]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0005]推挽式肖特基二极管堆倍频电路，包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构。
[0006]进一步，所述肖特基二极管包括第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管，所述第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管逐个串联，所述第二二极管与第三二极管之间推挽式串联连接；
[0007]所述推挽式二极管倍频电路还包括隔离电路，所述隔离电路对多个肖特基二极管之间的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行隔离；
[0008]所述推挽式二极管倍频电路还包括选频输出电路，所述选频输出电路对经隔离电路隔离得到的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行选频输出。
[0009]进一步，所述第二二极管与第三二极管的正向端背靠地连接。
[0010]进一步，所述隔离电路包括隔离电感，所述隔离电感一端电连接到第二二极管与第三二极管之间，所述隔离电感另一端电连接到第一二极管与第二二极管之间以及第三二极管与第四二极管之间。
[0011]进一步，所述选频输出电路包括奇次电容和偶次电容，所述奇次电容一端电连接于第四二极管之后，所述奇次电容另一端与偶次电容的一端电连接，所述偶次电容的另一
端电连接于第二二极管与第三二极管之间。
[0012]进一步，所述推挽式二极管倍频电路的输入端电连接有输入匹配电路。
[0013]进一步，所述输入匹配电路包括输入匹配电感与输入匹配电容，所述输入匹配电感与输入匹配电容组成“Γ”型匹配网络。
[0014]进一步，所述推挽式二极管倍频电路的输出端电连接有输出选频匹配电路。
[0015]进一步，所述输出选频匹配电路包括第一输出电感、第二输出电感、第三输出电感、第一输出电容、第二输出电容以及第三输出电容；所述第一输出电感、第二输出电感与第一输出电容并联连接于推挽式二极管倍频电路的输出端，所述第一输出电感与第一输出电容的另一端均接地，所述第二输出电感的另一端与第二输出电容的一端连接，所述第三输出电感与第三输出电容并联连接于第二输出电容的另一端，所述第三输出电感与第三输出电容的另一端均接地。
[0016]推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
[0017]本专利技术的有益效果是：
[0018](1)由于采用多个通用的肖特基二极管组成推挽式结构，倍频电路简单；
[0019](2)由于采用无源二极管实现倍频，无源电路不需要外加电源供电，从而减小电路功耗；
[0020](3)采用无源二极管实现倍频，电路不引入任何额外能量和干扰，倍频相噪恶化小。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的原理框图；
[0022]图中，1
‑
推挽式二极管倍频电路、2
‑
输入匹配电路、3
‑
输出选频匹配电路。
具体实施方式
[0023]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0024]需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0025]实施例一：
[0026]如图1所示，推挽式肖特基二极管堆倍频电路，包括推挽式二极管倍频电路1，所述推挽式二极管倍频电路1包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构。
[0027]所述肖特基二极管包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3以及第四二
极管 D4，所述第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3以及第四二极管D4逐个串联，所述第二二极管D2与第三二极管D3之间推挽式串联连接。
[0028]所述第二二极管D2与第三二极管D3的正向端背靠地连接。
[0029]通过4只独立的肖特基二极管组成推挽式串联结构，在二极管非线性性能下产生丰富的谐波分量。二极管D1～D4通过图1所示连接构成二极管推挽式结构，能使谐波分量丰富，从而提高倍频效率。
[0030]由于采用多个通用的肖特基二极管组成推挽式结构，倍频电路简单；
[0031]由于采用无源二极管实现倍频，无源电路不需要外加电源供电，从而减小电路功耗；
[0032]采用无源二极管实现倍频，电路不引入任何额外能量和干扰，倍频相噪恶化小。
[0033]所述推挽式二极管倍频电路1还包括隔离电路，所述隔离电路对多个肖特基二极管之间的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行隔离。
[0034]所述隔离电路包括隔离电感L2，所述隔离电感L2一端电连接到第二二极管D2与第三二极管D3之间，所述隔离电感L2另一端电连接到第一二极管D1与第二二极管D2之间以及第三二极管D3与第四二极管D4之间。
[0035]隔离电感L2起到隔离奇次和偶次谐波作用，隔离电感L2作为隔离器件，对奇次和偶次谐波进行隔离，隔离多个肖特基二极管之间的奇次谐波分量与偶次谐波分量。
[0036]所述推挽式二极管倍频电路1还包括选频输出电路，所述选频输出电路对经隔离电路隔离得到的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行选频输出。
[0037]所述选频输出电路包本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构。2.根据权利要求1所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述肖特基二极管包括第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管，所述第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管逐个串联，所述第二二极管与第三二极管之间推挽式串联连接；所述推挽式二极管倍频电路还包括隔离电路，所述隔离电路对多个肖特基二极管之间的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行隔离；所述推挽式二极管倍频电路还包括选频输出电路，所述选频输出电路对经隔离电路隔离得到的奇次谐波分量与偶次谐波分量进行选频输出。3.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述第二二极管与第三二极管的正向端背靠地连接。4.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述隔离电路包括隔离电感，所述隔离电感一端电连接到第二二极管与第三二极管之间，所述隔离电感另一端电连接到第一二极管与第二二极管之间以及第三二极管与第四二极管之间。5.根据权利要求2所述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路，其特征在于：所述选频输出电路包括奇次电容和偶次电容，所述奇次电容一端电连接于第四二极管之后，所述奇次电...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜国孟，蒋兴华，雒一，陈尘，陈美玲，赵小梅，
申请(专利权)人：成都麦克韦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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