一种自适应死区时间控制电路制造技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，具体的说是涉及一种自适应死区时间控制电路。在本电路中先采用电压检测，来检测功率管关断的时间；再采用电流检测，来检测功率管关断产生的电流，功率管驱动的负载不同产生的电流就不同，再根据电流的大小来动态的调节死区大小，再经过各侧通路逻辑处理后输出信号开启本侧的功率管。通过该方案可以产生更加适合功率管的死区时间，可以减少死区时间过短时的硬开关损耗以及器件烧毁的概率，也可以减少死区时间过长时的反向导通损耗。反向导通损耗。反向导通损耗。

An adaptive dead time control circuit

【技术实现步骤摘要】
一种自适应死区时间控制电路


[0001]本专利技术属于集成电路
，具体的说是涉及一种自适应死区时间控制电路。

技术介绍

[0002]在高压栅驱动芯片里，存在高侧和低侧两个不同的通道，当由于一些原因造成两个通道的延时通路不匹配时，高低两侧的功率管可能同时开启发生直通，很容易造成桥臂的烧毁，所以会在高压栅驱动芯片里加入死区模块以防止发生直通造成桥臂烧毁。传统死区模块结构简单而且也能达到高低侧信号不会同时为高的目的，但是满足不了更高的需求。当芯片需要应用在不同场景，驱动不同的功率管，同时考虑到功耗的影响，可能会需要不同大小的死区时间，此时传统的死区结构便不能胜任。

技术实现思路

[0003]针对上述传统死区模块无法驱动不同功率管的不足之处，本专利技术提出了一种自适应死区时间控制的电路，可以满足对不同功率管的驱动需求，解决上述问题。
[0004]本专利技术的技术方案为：
[0005]一种自适应死区时间控制电路，包括高侧电压检测模块、电高侧流检测模块、低侧电压检测模块、低侧电流检测模块和动态死区调节电路；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应死区时间控制电路，其特征在于，包括高侧电压检测模块、电高侧流检测模块、低侧电压检测模块、低侧电流检测模块和动态死区调节电路；所述高侧电压检测模块包括第一电阻、第一LDMOS和两个反相器，第一LDMOS的漏极连接功率管的母线电压，源极连接第一电阻的一端，记第一LDMOS和第一电阻的连接点为高侧电压检测的第一节点；第一电阻的另外一端与高侧功率管的漏端相连作为高侧检测电路的浮动地；第一节点连接两级反相器后作为高侧电压检测模块的输出，反相器的地端与浮动地相连，反相器的电源端与高侧检测电路的浮动源相连；所述高侧电流检测电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二LDMOS以及第一齐纳管、第二齐纳管、第三齐纳管；第二LDMOS的栅极与源极相连连接到地，漏极与第一PMOS管的漏极和栅极以及第二PMOS管的栅极相连；第一齐纳管的正端与第一PMOS管的漏极相连，第一齐纳管的负端连接第二齐纳管的正端，第二齐纳管的负端连接第三齐纳管的正端，第三齐纳管的负端与浮动源相连；第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连，连接到浮动源，第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极和栅极以及第二NMOS管的栅极相连；第一NMOS管的源极以及第二NMOS管的源极相连，连接到浮动地，第二NMOS管的漏极作为高侧电流检测模块的输出，用于检测dV/dt的大小以设置死区时间；所述低侧电压检测模块包括第三LDMOS、第二电阻以及两个反相器，第三LDMOS的源极与第二电阻的一端项链，记第三LDMOS和第二电阻的连接节点为第二节点，第三LDMOS的栅极连接驱动电路的电源，第三LDMOS的漏极连接高侧电路的浮动地；第二电阻的另一端与地相连；第二节点后连接两级反相器后作为低侧电压检测电路的输出，反向器的电源连接驱动电路的电源，反相器的地连接外部电路的地；所述低侧电流检测模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第四LDMOS；第四LDMOS的栅极与漏极相连连接到高侧电路的浮动地，源极与第三PMOS管的漏极和栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，张益森，杨曦禾，颜泠，唐玲丽，梁英东，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：