偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种偏置电路，该偏置电路包括偏置电源端、第一偏置晶体管和保护电路；第一偏置晶体管的第一节点耦合至偏置电源端，被配置为接收偏置电源端输出的第一偏置信号，第一偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第二偏置信号至功率放大器，第一偏置晶体管的第三节点耦合至第一供电电源端；保护电路，与偏置电源端相连，被配置为阻隔交流信号流向至偏置电源端中。本发明专利技术通过在偏置电源端接入保护电路，该保护电路能够在不影响偏置电源端输出第一偏置信号至第一偏置晶体管的前提下，阻隔偏置电路中回流的交流信号流向偏置电源端中，避免交流信号对偏置电源端造成影响，进而提高偏置电路的线性度，从而提高整个射频电路的线性度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
偏置电路


[0001]本专利技术涉及射频
，尤其涉及一种偏置电路。

技术介绍

[0002]随着无线通信系统的快速发展，业内对无线通信系统的性能的需求越来越高。在无线通信系统中，功率放大器是无线通信系统中的发射机的核心组件，为了使得功率放大器能够处于正常工作状态，通常需要设计相应的偏置电路为功率放大器中的晶体管提供偏置信号。
[0003]目前，现有的偏置电路中存在着线性度不高的问题，进而导致整个射频电路的线性度不高。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种偏置电路，以解决现有偏置电路中存在线性度不高的问题。
[0005]一种偏置电路，包括偏置电源端、第一偏置晶体管和保护电路；
[0006]所述第一偏置晶体管的第一节点耦合至所述偏置电源端，被配置为接收所述偏置电源端输出的第一偏置信号，所述第一偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第二偏置信号至功率放大器，所述第一偏置晶体管的第三节点耦合至第一供电电源端；
[0007]所述保护电路，与所述偏置电源端相连，被配置为阻隔交流信号流向至所述偏置电源端中。
[0008]进一步地，所述保护电路包括第一电容；所述第一电容的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电容的第二端接地。
[0009]进一步地，所述保护电路包括第一电感和第一电容，所述第一电感的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电感的第二端耦合至所述第一偏置晶体管的第一节点，所述第一电容的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电容的第二端接地。
[0010]进一步地，所述保护电路包括第一电感；所第一电感的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电感的第二端耦合至所述第一偏置晶体管的第一节点。
[0011]进一步地，所述保护电路还包括第一电阻；所述第一电阻的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电阻的第二端耦合至所述第一偏置晶体管的第一节点。
[0012]进一步地，所述保护电路还包括第一电阻，所述第一电阻与所述第一电感串联或并联。
[0013]进一步地，所述偏置电路还包括第二偏置晶体管，所述第二偏置晶体管的第一节点耦合至所述偏置电源端，被配置为接收所述偏置电源端输出的所述第一偏置信号，所述第二偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第三偏置信号至所述功率放大器，所述第二偏置晶体管的第三节点耦合至第二供电电源端。
[0014]进一步地，所述偏置电路还包括分压电路；
[0015]所述分压电路的第一端与所述第一偏置晶体管的第一节点和所述保护电路相连，所述分压电路的第二端接地。
[0016]进一步地，所述偏置电源端，被配置为与第一芯片相连；所述第一芯片包括偏置信号源，所述偏置信号源被配置为输出所述第一偏置信号至所述偏置电源端。
[0017]进一步地，所述保护电路集成在所述第一芯片，其中，所述第一芯片为CMOS芯片。
[0018]上述偏置电路，包括偏置电源端、第一偏置晶体管和保护电路。第一偏置晶体管的第一节点耦合至偏置电源端，被配置为接收偏置电源端输出的第一偏置信号，第一偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第二偏置信号至功率放大器，第一偏置晶体管的第三节点耦合至第一供电电源端；保护电路，与偏置电源端相连，被配置为阻隔交流信号流向至偏置电源端中；通过在偏置电源端接入保护电路，该保护电路能够在不影响偏置电源端输出第一偏置信号至第一偏置晶体管的前提下，阻隔偏置电路中回流的交流信号流向偏置电源端中，避免交流信号对偏置电源端造成影响，进而提高了偏置电路的线性度，进而提高了整个射频电路的线性度和稳定性。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本专利技术一实施例中偏置电路的一电路示意图；
[0021]图2是本专利技术一实施例中功率放大电路的一电路示意图；
[0022]图3是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0023]图4是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0024]图5是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0025]图6是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0026]图7是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0027]图8是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0028]图9是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0029]图10是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0030]图11是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；
[0031]图12是本专利技术一实施例中功率放大电路的另一电路示意图。
[0032]图中：10、功率放大电路；11、偏置电路；111、保护电路；112、分压电路；12、功率放大器；20、第一芯片。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0035]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0036]空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏置电路，其特征在于，包括偏置电源端、第一偏置晶体管和保护电路；所述第一偏置晶体管的第一节点耦合至所述偏置电源端，被配置为接收所述偏置电源端输出的第一偏置信号，所述第一偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第二偏置信号至功率放大器，所述第一偏置晶体管的第三节点耦合至第一供电电源端；所述保护电路，与所述偏置电源端相连，被配置为阻隔交流信号流向至所述偏置电源端中。2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述保护电路包括第一电容；所述第一电容的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电容的第二端接地。3.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述保护电路包括第一电感和第一电容，所述第一电感的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电感的第二端耦合至所述第一偏置晶体管的第一节点，所述第一电容的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电容的第二端接地。4.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述保护电路包括第一电感；所第一电感的第一端与所述偏置电源端相连，所述第一电感的第二端耦合至所述第一偏置晶体管的第一节点。5.如权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述保护电路还包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶雪琴，陈炉星，李铖，方建，赖晓蕾，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：