【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】正极活性物质及其制备方法、包括该物质的锂二次电池
[0001]本专利技术涉及一种正极活性物质及其制备方法、包括该正极活性物质的锂二次电池。
技术介绍
[0002]最近,随着IT移动设备及小功率驱动装置(电动自行车、小型电动汽车等)的需求暴增以及对行驶距离400km以上电动汽车的需求,在全球范围内积极进行二次电池的开发,该二次电池用于驱动上述设备且具有高容量及高能量密度。
[0003]为了制备这种高容量电池,需要使用高容量正极活性物质。
[0004]在现有的层状类(layered)正极活性物质中容量最大的材料是LiNiO2(275mAh/g),但在充放电时易于产生结构崩塌,且因氧化数问题导致热稳定性较低,因此难以实现商用化。
[0005]为了解决这种问题,需要在不稳定的Ni位上置换其他稳定的过渡金属(Co、Mn等),为此开发出一种置换Co和Mn的三元NCM类。
[0006]但在三元NCM的情况下,Ni含量越大,热稳定性越低。
技术实现思路
[0007]本实施例的目的是提供一种正极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种正极活性物质,包括:包括芯及位于所述芯的表面上的壳的锂金属氧化物;及位于所述锂金属氧化物的表面上的涂层,满足以下式1的c值的范围为0.3~0.7,所述芯及所述壳具有层状晶体结构,[式1]c=b/a在所述式1中,a为在所述涂层的X射线光电子能谱中530~533eV处的峰,b为528~531eV处的峰。2.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中,所述涂层中晶体结构的面间距离(d
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sapcing)值小于所述锂金属氧化物中晶体结构的面间距离(d
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sapcing)值。3.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中,在所述涂层中晶体结构的面间距离(d
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sapcing)值在0.24~0.43nm范围。4.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中,在所述锂金属氧化物中晶体结构的面间距离(d
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sapcing)值在0.465~0.480nm范围。5.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中,所述涂层包括层状晶体结构(layered crystalline structure)及尖晶石晶体结构(spinel crystalline structure)中的至少一种结构。6.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中,所述涂层包括选自Mn、S、Co、Ni及Li中的至少一种元素。7.根据权利要求6所述的正极活性物质,其中,以全部正极活性物质为基准,包括在所述涂层中的Mn的含量为0.15~0.45mol%。8.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中,在所述锂金属氧化物内的金属中的镍的含量为80mol%以上。9.一种正极活性物质的制备方法,包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔权永,南相哲,李尚奕,朴寅彻,朴锺一,宋定勋,权五珉,
申请(专利权)人:浦项产业科学研究院浦项化学株式会社,
类型:发明
国别省市:
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