固态成像装置、成像装置和成像系统制造方法及图纸

本发明专利技术抑制了图像质量的劣化。根据实施方案的固态成像装置(1)包括通过使用具有比硅小的带隙能量的材料构成的光电转换部(PD)和接合到所述光电转换部的电路板(200)，其中所述电路板包括生成具有与在所述光电转换部中生成的电荷相对应的电压值的像素信号的像素信号生成电路(45)和检测所述电路板的温度的温度计电路(120)。度计电路(120)。度计电路(120)。

Solid state imaging device, imaging device and imaging system

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像装置、成像装置和成像系统


[0001]本公开涉及一种固态成像装置、成像装置和成像系统。

技术介绍

[0002]近年来，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS：complementary metal oxide semiconductor)图像传感器(CIS：CMOS image sensor)等固态摄像元件已变得很普及，并且通过代替薄膜型成像装置而用于各种领域。固态摄像元件不仅代替薄膜型成像装置用于正常的可见光的成像，而且显著地用于诸如紫外线、红外线、X射线和伽马射线等不可见光的成像。
[0003]此外，在固态摄像元件中具有光电转换膜的成像装置中，存在处理空穴作为用于光电转换的载流子的成像装置。例如，使用空穴作为用于光电转换的载流子的光电转换膜包括量子(Q)点、砷化铱镓(InGaAs)传感器、有机化合物等。特别地，使用InGaAs作为光电转换膜的固态摄像元件具有较低的暗电流并且具有比硅更窄的带隙能量，并且可以捕获如红外光等长波长光，因此，有望应用于高灵敏度的红外相机等。
[0004]引用列表
[0005]专利文献...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态成像装置，包括：光电转换单元，其由具有比硅小的带隙能量的材料构成；和电路板，其接合到所述光电转换单元，其中所述电路板包括：像素信号生成电路，其生成具有与在所述光电转换单元中生成的电荷相对应的电压值的像素信号；和温度计电路，其检测所述电路板的温度。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述像素信号生成电路布置在所述电路板的第一表面上的第一区域中，并且所述光电转换单元接合到所述电路板的所述第一区域。3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中所述温度计电路在所述电路板的所述第一表面上的除所述第一区域之外的区域中形成。4.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中所述电路板包括第二区域，所述第二区域位于所述电路板的所述第一表面上的所述第一区域周围并且在所述第二区域中布置有处理所述像素信号的逻辑电路，并且所述温度计电路布置在所述第二区域附近。5.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中所述温度计电路布置在所述第一区域和所述第二区域之间。6.根据权利要求1所述的固态成像装置，进一步地包括：转换电路，其将从所述温度计电路输出的模拟信号转换成数字信号。7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述光电转换单元由化合物半导体构成。8.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述光电转换单元包含InGaP、InAlP、InGaAs、InAlAs、具有黄铜矿结构的化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜和有机光电转换膜中的至少一种。9.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述温度计电路包括硅二极管和PNP晶体管中的至少一者。10.根据权利要求1所述的固态成像装置，包括：多个所述温度计电路。11.一种固态成像装置，包括：光电转换单元，其由对具有1200nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木三佐男，辻清茂，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：