光检测装置和光传感器的驱动方法制造方法及图纸

技术编号:34317611 阅读:69 留言:0更新日期:2022-07-30 23:27
在本发明专利技术的光检测装置中,控制部执行:第一电荷传送处理,通过以传送栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式对传送栅极电极施加电位,从而将在电荷产生区域产生的电荷传送到电荷储存区域;和第一读取处理,读取储存在电荷储存区域的电荷量。控制部,在第一电荷传送处理中,以溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式,对溢出栅极电极施加电位。对溢出栅极电极施加电位。对溢出栅极电极施加电位。

Driving method of optical detection device and optical sensor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置和光传感器的驱动方法


[0001]本公开的一个方面涉及具备光传感器的光检测装置和光传感器的驱动方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载有一种光传感器,其具备:根据入射光而产生电荷的光电二极管、储存来自光电二极管的电荷的浮置(floating)区域、和储存从浮置区域溢出的电荷的储存电容元件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:国际公开2005/083790号

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的技术问题
[0007]在专利文献1记载的光传感器中,虽然将从浮置区域溢出的电荷储存在储存电容元件,但电荷在浮置区域中储存至向储存电容元件溢出的程度的情况下,电荷的一部分残留在光电二极管中。在该情况下,可能因残留在光电二极管中的电荷而引起光的检测精度降低。特别地,在光传感器具备选通(gating)功能的情况下,该选通功能为不跨某一期间的整体来检测光而是仅检测在规定时刻到来的光,若发生上述事态,则在一个期间残留在光电二极管中的电荷被作为在其他期间产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光检测装置,其中,具备:光传感器;和控制部,其控制所述光传感器,所述光传感器具有:电荷产生区域,其根据入射光而产生电荷;电荷储存区域;溢出区域;传送栅极电极,其配置在所述电荷产生区域与所述电荷储存区域之间的区域上;和溢出栅极电极,其配置在所述电荷储存区域与溢出区域之间的区域上,所述控制部执行:第一电荷传送处理,通过以所述传送栅极电极正下方的区域的电势比所述电荷产生区域的电势低的方式对所述传送栅极电极施加电位,从而将在所述电荷产生区域产生的电荷传送到所述电荷储存区域;和第一读取处理,在所述第一电荷传送处理之后,读取储存在所述电荷储存区域的电荷量,在所述第一电荷传送处理中,以所述溢出栅极电极正下方的区域的电势比所述电荷产生区域的电势低的方式,对所述溢出栅极电极施加电位。2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,所述控制部,在多次执行所述第一电荷传送处理之后,执行所述第一读取处理。3.根据权利要求1或2所述的光检测装置,其中,所述电荷产生区域包含雪崩倍增区域。4.根据权利要求1~3中任一项所述的光检测装置,其中,所述控制部执行:第二电荷传送处理,通过在所述第一读取处理之后,以所述溢出栅极电极正下方的区域的电势降低的方式,对所述溢出栅极电极施加电位,从而将储存在所述电荷储存区域的电荷传送到所述溢出区域;和第二读取处理,在所述第二电荷传送处理之后,读取储存在所述电荷储存区域和所述溢出区域的总电荷量。5.根据权利要求1~4中任一项所述的光检测装置,其中,所述光传感器还具有:多余电荷排出区域;和多余电荷传送栅极电极,其配置在所述电荷产生区域与所述多余电荷排出区域之间的区域上,所述控制部,在执行所述第一电荷传送处理的期间以外的期间,执行多余电荷传送处理,其中,通过...

【专利技术属性】
技术研发人员:岛田明洋间瀬光人平光纯
申请(专利权)人:浜松光子学株式会社
类型:发明
国别省市:

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