半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种半导体衬底层及太阳能电池的制备方法。所述半导体衬底层的制备方法包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。本发明专利技术在采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的基础上，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理，可以在碱制绒面的金字塔基础上，结合金属催化刻蚀择优刻蚀的特性，通过调整工艺参数制备出更低反射率的倒金字塔绒面。面。面。

【技术实现步骤摘要】
半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池近年来发展迅速，其是一种将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置。异质结电池是一种重要的太阳能电池类型，通过改变PN结的性能，使异质结电池的光电转换效率提高。另外，异质结电池具有温度系数好、可以双面发电、工艺温度低、光电转换效率高等特点，是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。
[0003]制绒是硅片形成良好衬底的重要制程，形成优良并且高效的硅衬底，可以提高太阳能电池的光电转换效率。这是由于在太阳能电池结构中，硅衬底是PN结界面的一部分，通过形成良好绒面结构可以使入射光在表面进行多次反射和折射，延长光程，增加光生载流子。目前异质结电池虽然转换效率高，但是由于非晶硅的寄生光吸收较大，以及绒面本身反射率也较高(约为10％
‑
12％)，使得异质结电池的电流密度相比其他高效电池偏低，因此提高异质结电池的电流密度是提高异质结电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底层的制备方法，其特征在于，包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。2.根据权利要求1所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述第一制绒处理采用的碱性溶液包括氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液；优选的，所述碱性溶液的质量浓度为1％
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10％；优选的，所述第一制绒处理采用的温度为40摄氏度
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80摄氏度，处理时间为5分
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120分。3.根据权利要求1所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述金属催化化学刻蚀工艺包括采用贵金属作为刻蚀剂，依次进行镀件工步、挖孔工步、去除工步和扩孔工步。4.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述镀件工步包括：将进行所述第一制绒处理之后的所述初始半导体衬底层置于含银溶液和氢氟酸溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面分散沉积银颗粒；优选的，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％
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30％，所述镀件工步中的所述含银溶液中银的质量浓度为0.0001％
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5％，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液和所述含银溶液的体积比为100
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1000；优选的，所述镀件工步的反应温度为5摄氏度
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80摄氏度，所述镀件工步的反应时间为10秒
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1000秒。5.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述挖孔工步包括：将镀件工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和过氧化氢溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面形成孔洞绒面；优选的，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为1％
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50％，所述挖孔工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％
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50％，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述过氧化氢溶液的体积比为0.1
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20；优选的，所述挖孔工步的反应温度为10摄氏度
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60摄氏度，所述挖孔工步的反应时间为10秒
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1000秒。6.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚道仁，徐晓华，周肃，周锡伟，梅志纲，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：