一种适用于划片后分立器件的提参建模方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明专利技术可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。型变动。型变动。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于划片后分立器件的提参建模方法


[0001]本专利技术涉及在片测试
，尤其一种适用于划片后分立器件的提参建模方法。

技术介绍

[0002]随着射频器件的开发应用，特别是宽禁带化合物半导体器件的广泛应用，电路的工作频率提高，输出功率较大，特别是对效率的要求精确到1％，因此功率放大电路特别是混合功率放大电路的设计对模型的要求也越来越高。
[0003]器件模型是电路设计的基础，功率放大电路设计依赖准确的器件模型，尤其是非线性大信号模型，精准的器件模型可以显著地缩短电路设计周期，提高设计成功率，并减少成本。
[0004]目前使用的射频功率器件除了传统的硅基的LDMOS，GaAs基的pHEMT之外，功率密度更大的氮化镓(GaN)器件的应用越来越广泛，但是这些新型材料的器件其大信号模型并不成熟，加上新材料的失效分析、缺陷结构也不明确，工艺上还存在提升的空间，这就导致其模型的精度还不能达到设计要求，尤其是片间均匀性、尺寸多样性的原因，使得我们在电路设计中选择管芯尺寸时需要实时调整，而商用的管芯没有可以在片测试的连接形式，只有通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，其特征在于，包括以下步骤：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离Lm和Ln分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响，用于分立器件的提参建模。2.根据权利要求1所述的提参建模方法，其特征在于，所述左、右侧焊盘结构相同；测量所述容性补偿参数时，将左、右侧任一焊盘与矢量网络分析仪连接，测量该焊盘的S参数S
c
，将该焊盘的S参数S
c
转换为Y参数Y
C
；计算焊盘容性补偿参数的ABCD参数矩阵3.根据权利要求1所述的提参建模方法，其特征在于，基于左侧焊盘与待测器件之间的直通距离Lm确定由金丝键合的金丝线引起的左侧补偿网络的感性补偿参数的ABCD参数矩阵参数：基于右侧焊盘与待测器件之间直通距离Ln确定由金丝键合的金丝线引起的右侧补偿网络的感性补偿参数的ABCD参数矩阵参数：式中，为阻抗校准补偿参数，为传输常数校准补偿参数。4.根据权利要求3所述的提参建模方法，其特征在于，所述阻抗校准补偿参数和传输常数校准补偿参数采用多组不同测试间距图形的射频测试结果处理获得。5.根据权利要求3或4所述的提参建模方法，其特征在于，阻抗校准补偿参数和传输常数校准补偿参数的确定方法包括以下步骤：步骤S501、在左、右侧焊盘之间选取M个直通距离d1,
…
,d
i
,
…
,d
M
；通过金丝线将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘依次连接；步骤S502、在每种直通距离上，连接矢量网络分析仪，测试金丝线d
i
的直通图形，获得S参数S
ti

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓娟，刘新宇，丁武昌，张昇，李艳奎，刘果果，袁婷婷，郑英奎，魏珂，金智，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：