电子设备基板及其制造方法和电子设备技术

本公开提供一种电子设备基板，所述电子设备基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的量子点图形层，其中，所述量子点图形层包括至少一个量子点图形，所述量子点图形包括基体和分散在所述基体中的量子点，所述基体包括主基体部和形成在所述主基体部上的修复基体部，所述修复基体部的材料分子与所述主基体部的材料分子之间互相结合。本公开还提供一种电子设备、一种电子设备基板的制造方法。一种电子设备基板的制造方法。一种电子设备基板的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
电子设备基板及其制造方法和电子设备


[0001]本公开涉及具有量子点材料的电子设备领域，具体地，涉及一种电子设备基板、一种包括该电子设备基板的电子设备和所述电子设备基板的制造方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管的发光层由量子点材料制成，通过图案化工艺制备高分辨率的量子点发光二极管显示设备的工艺也日趋成熟。
[0003]但是，量子点发光二极管显示面板中存在着量子点发光二极管漏电、以及量子点发光二极管显示面板使用寿命低等问题。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种电子设备基板、一种包括该电子设备基板的电子设备和所述电子设备基板的制造方法。
[0005]作为本公开的第一方面，提供一种电子设备基板，所述电子设备基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的量子点图形层，其中，所述量子点图形层包括至少一个量子点图形，所述量子点图形包括基体和分散在所述基体中的量子点，所述基体包括主基体部和形成在所述主基体部上的修复基体部，所述修复基体部的材料分子与所述主基体部的材料分子之间互相结合。
[0006]可选地，所述修复基体部的材料分子和所述主基体部的材料分子通过分子间作用力互相吸附而结合。
[0007]可选地，所述修复基体部的材料分子和所述主基体部的材料分子之间互相交联，以使得所述修复基体部的材料分子与所述主基体部的材料分子之间互相结合。
[0008]可选地，所述修复基体部的材料为热塑性、醇溶性的聚合物材料，且所述修复基体部的材料分子式在10000到100000之间。
[0009]可选地，所述修复基体部的材料包括聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、聚氧化乙烯、聚氧化乙烯衍生物、聚二甲氧基硅氧烷、聚二甲氧基硅氧烷衍生物、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺衍生物、乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物、乙烯
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醋酸乙烯共聚物衍生物、脲醛树脂中的至少一者。
[0010]作为本公开的第二个方面，提供一种电子设备，所述电子设备包括电子设备基板，所述电子设备基板为本公开第一个方面所提供的电子设备基板。
[0011]作为本公开的第三个方面，提供一种电子设备基板的制造方法，其中，所述制造方法包括：
[0012]提供衬底基板；
[0013]形成牺牲层；
[0014]形成光刻胶层；
[0015]对所述光刻胶层和所述牺牲层进行构图工艺，以形成图形开口，其中，所述图形开
口贯穿所述光刻胶层和所述牺牲层；
[0016]在所述图形开口中形成初始量子点图形层，所述初始量子点材料层包括至少一个初始量子点图形，所述量子点图形包括主基体部和分散在所述主基体部中的量子点；
[0017]通过超声振动去除所述牺牲层、以及形成在所述牺牲层上的材料层；
[0018]在所述初始量子点图形层上涂敷修复材料液；
[0019]对涂敷有修复材料液的初始量子点图形层进行加热，使得所述修复材料液固化，并获得最终量子点图形层，所述最终量子点图形包括由所述初始量子点图形获得的最终量子点图形，所述最终量子点图形包括基体和分散在所述基体中的量子点，所述基体包括主基体部和形成在所述主基体部上的、由所述修复材料液形成的修复基体部，所述修复基体部的材料分子与所述主基体部的材料分子之间互相结合。
[0020]可选地，所述修复材料液的材料为热塑性、醇溶性的聚合物材料，且所述修复材料液的材料分子式在10000到100000之间。
[0021]可选地，所述修复材料液的材料包括聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、聚氧化乙烯、聚氧化乙烯衍生物、聚二甲氧基硅氧烷、聚二甲氧基硅氧烷衍生物、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺衍生物、乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物、乙烯
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醋酸乙烯共聚物衍生物、脲醛树脂中的至少一者。
[0022]可选地，所述牺牲层由聚乙烯吡咯烷酮制成。
附图说明
[0023]附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
[0024]图1是相关技术中制造显示面板时量子点层图形化的流程图；
[0025]图2是本公开第一个方面所提供的电子设备基板的结构示意图；
[0026]图3是本公开第三个方面所提供给的电子设备基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0027]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0028]在制造显示面板时，需要对量子点层进行图形化，以获得多个量子点发光二极管的发光层。图1中所示的是相关技术中，制造显示面板时量子点层图形化的流程，具体地，该流程包括：
[0029]提供包括衬底基板110、第一电极120、牺牲层130和光刻胶层140的初始基板；
[0030]对光刻胶层140进行曝光显影，以获得第一图形开口141；
[0031]对牺牲层130进行干刻，并在第一图形开口141的基础上获得第二图形开口131，其中，第一图形开口和第二图形开口共同形成图形开口A；
[0032]在图形开口A中设置量子点图形150；
[0033]通过超声波振动，去除牺牲层120、以及形成在牺牲层120上的光刻胶层130；
[0034]形成第二电极。
[0035]本公开的专利技术人研究发现，在超声波振动的过程中，不仅合适的牺牲层120被振
碎，量子点图形150部分量子点也从其基体中脱落，在量子点图形150的表面形成裂缝和缺陷，包括量子点图形150的量子点发光二极管在发光时，电流通过裂缝和缺陷，造成漏电，继而降低了量子点发光二极管的使用寿命。
[0036]有鉴于此，作为本公开的一个方面，提供一种电子设备基板，如图2所示，所述电子设备基板包括衬底基板110和形成在所述衬底基板上的量子点图形层，其中，所述量子点图形层包括至少一个量子点图形150，该量子点图形150包括基体151和分散在基体151中的量子点152。基体151包括主基体部151a和形成在主基体部151a上的修复基体部151b，该修复基体部151b的材料分子与主基体部151a的材料分子之间互相结合。
[0037]在本公开所提供的电子设备基板中，修复基体部151b的材料分子与主基体部151a的材料分子之间互相结合，因此，修复基体部151b可以修复因超声工艺导致量子点从主基体部中脱落而产生的缺陷。因此，当量子点图形150的一侧包括第一电极、量子点图形150的另一侧包括第二电极形成量子点发光二极管时，该量子点发光二极管发光时不会发生漏电，从而提高了包括量子点图形的发光二极管的使用寿命。
[0038]在本公开中，对修复基体部151b的材料分子通过何种机理与主基体部151a的材料分子相结合不做特殊的限定。
[0039]作为一种可选实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备基板，所述电子设备基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的量子点图形层，其特征在于，所述量子点图形层包括至少一个量子点图形，所述量子点图形包括基体和分散在所述基体中的量子点，所述基体包括主基体部和形成在所述主基体部上的修复基体部，所述修复基体部的材料分子与所述主基体部的材料分子之间互相结合。2.根据权利要求1所述的电子设备基板，其特征在于，所述修复基体部的材料分子和所述主基体部的材料分子通过分子间作用力互相吸附而结合。3.根据权利要求1所述的电子设备基板，其特征在于，所述修复基体部的材料分子和所述主基体部的材料分子之间互相交联，以使得所述修复基体部的材料分子与所述主基体部的材料分子之间互相结合。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电子设备基板，其特征在于，所述修复基体部的材料为热塑性、醇溶性的聚合物材料，且所述修复基体部的材料分子式在10000到100000之间。5.根据权利要求4所述的电子设备基板，其特征在于，所述修复基体部的材料包括聚乙二醇、聚乙二醇衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、聚氧化乙烯、聚氧化乙烯衍生物、聚二甲氧基硅氧烷、聚二甲氧基硅氧烷衍生物、聚丙烯酰胺、聚丙烯酰胺衍生物、乙烯
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醋酸乙烯共聚物、乙烯
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醋酸乙烯共聚物衍生物、脲醛树脂中的至少一者。6.一种电子设备，所述电子设备包括电子设备基板，其特征在于，所述电子设备基板为权利要求1至5中任意一项所述的电子设备基板。7.一种电子设备基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供衬底基板；形成牺...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅文海，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：