具有线性DB/V增益斜率的线性电压控制可变衰减器制造技术

提出一种可变衰减器（２００）以及衰减信号的方法。可变衰减器包含接收待衰减的输入信号的输入。电阻器与并联ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３）之间的分压器提供衰减后的输入信号。ＭＯＳＦＥＴ具有不同的尺寸并且具有通过不同电阻连接到控制信号的栅极，使得ＭＯＳＦＥＴ越大，电阻越大。控制信号取决于衰减器的输出。该方案将衰减的线性扩展到控制信号的大电压范围上并且减小衰减器的互调失真。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种可变衰减器，包括：　　　　输入，被配置为接收待衰减的输入信号；　　　　输出，被配置为提供衰减后的输入信号；　　　　第一元件，置于所述输入与所述输出之间；　　　　控制端子，被配置为接收控制信号；以及　　　　多个第二元件，连接到控制端子使得第二元件的每一个使用控制信号不同地改变输入与输出之间的衰减。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DP麦卡锡，LE库尼尔，NW霍伦贝克，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]