用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备制造方法及图纸

技术编号:34276755 阅读:18 留言:0更新日期:2022-07-24 17:20
本发明专利技术公开一种用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备,所述用于发声装置的振膜具有首尾相连的长轴边和短轴边,所述长轴边和所述短轴边的长度比值大于或等于2;所述振膜设有镂空部和连接部,所述连接部的两端连接于所述镂空部对应所述长轴边的相对两侧边,以将所述镂空部分隔为间隔设置的镂空孔。本发明专利技术旨在提供一种有效提高音频效果的振膜,该振膜应用于发声装置中,可降低THD失真较高,提升音频效果。果。果。

Diaphragm, sound producing device and electronic equipment for sound producing device

【技术实现步骤摘要】
用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
,特别涉及一种用于发声装置的振膜和应用该振膜的发声装置和电子设备。

技术介绍

[0002]扬声器作为一种将电信号转化为声信号的电声器件,广泛应用于手机、个人电脑等终端设备中。扬声器结构通常包括磁路系统、振动系统和辅助系统,振膜作为振动系统的组成部分,是实现电声能转换的重要部件,其性能的优劣直接影响着产品的声放效果。
[0003]相关技术中,随着电子产品的迅速发展,对扬声器也提出了更高的要求,扬声器需要更加适配于整机,进而有要求扬声器外形更窄、更长的需求,而这样的扬声器结构则会导致振膜的长、宽尺寸比例较大,使得振膜在振动过程中收缩变形量加剧,从而导致产品THD失真较高,音频效果较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备,旨在提供一种有效提高音频效果的振膜,该振膜应用于发声装置中,可降低THD失真较高,提升音频效果。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提出一种用于发声装置的振膜,所述振膜具有首尾相连的长轴边和短轴边,所述长轴边和所述短轴边的长度比值大于或等于2;
[0006]所述振膜设有镂空部和连接部,所述连接部的两端连接于所述镂空部对应所述长轴边的相对两侧边,以将所述镂空部分隔为间隔设置的镂空孔。
[0007]在一实施例中,定义所述长轴边的长度为L1,定义所述短轴边的长度为L2,定义所述镂空孔的垂直投影面积为S,定义所述镂空孔的数量为N,N≥2;
[0008]其中,(N*S)/(L1*L2)≥0.27。
[0009]在一实施例中,所述连接部沿所述长轴边方向的延伸长度d1与所述长轴边的长度L1的比值范围为0.04~0.8;
[0010]且/或,所述连接部沿所述短轴边方向的延伸长度d2与所述短轴边的长度L2的比值范围为0.05~0.8。
[0011]在一实施例中,所述连接部包括多个,多个所述连接部间隔设置。
[0012]在一实施例中,多个所述连接部沿所述长轴边的延长方向间隔排布;
[0013]且/或,多个所述连接部以所述镂空部的中心轴线呈对称设置。
[0014]在一实施例中,所述振膜的杨氏模量范围为20MP~350MP;
[0015]且/或,所述振膜的拉伸强度范围为30MP~100MP。
[0016]在一实施例中,所述长轴边和所述短轴边的长度比值小于等于3.5。
[0017]本专利技术还提出一种发声装置,所述发声装置包括:
[0018]外壳;
[0019]磁路系统,所述磁路系统连接于所述外壳,所述磁路系统设有磁间隙;及
[0020]振动系统,所述振动系统包括振膜组件和音圈,所述音圈的一端与所述振膜组件连接,所述音圈的另一端悬设于所述磁间隙内,所述振膜组件包括上述所述的用于发声装置的振膜和连接于所述振膜中部的球顶,所述振膜与所述外壳连接,并与所述磁路系统相对。
[0021]在一实施例中,所述外壳包括塑胶件和金属件,所述塑胶件与所述金属件一体注塑成型。
[0022]在一实施例中,所述外壳包括竖直壁和由所述竖直壁的一端弯折形成的平直壁,所述竖直壁远离所述平直壁的一端与所述振膜连接,所述平直壁对应所述振膜组件的长轴边的一侧凸设有连接凸部,所述连接凸部与所述磁路系统连接。
[0023]在一实施例中,所述平直壁对应所述振膜组件的短轴边的一侧与所述磁路系统间隔,以形成透气间隙。
[0024]在一实施例中,所述振动系统还包括对应所述透气间隙设置的定心支片,所述定心支片的一端与所述平直壁连接,所述定心支片的另一端与所述音圈连接。
[0025]在一实施例中,所述磁路系统包括:
[0026]导磁轭,所述导磁轭包括底壁和侧壁,所述侧壁由所述底壁的周缘朝向所述振膜组件弯折延伸形成,所述侧壁与所述底壁围合形成安装槽,所述侧壁与所述外壳连接;和
[0027]磁路部分,所述磁路部分设于所述安装槽内,并与所述侧壁间隔以形成所述磁间隙。
[0028]本专利技术还提出一种电子设备,包括设备壳体和上述所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
[0029]本专利技术技术方案通过在振膜上设置镂空部,从而降低振膜的重量,提高振膜的高频灵敏度;同时,通过设置连接部,使得连接部的两端连接于镂空部对应长轴边的相对两侧边,以将镂空部分隔为分隔设置的镂空孔,如此在振膜的长轴边和短轴边的长度比值大于或等于2的情况下,利用连接部保证低模量振膜在振动过程中能够具有更低的形变量,从而保证产品状态,改善THD失真。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术一实施例中振膜的结构示意图;
[0032]图2为本专利技术另一实施例中振膜的结构示意图;
[0033]图3为本专利技术又一实施例中振膜的结构示意图;
[0034]图4为本专利技术一实施例中振膜组件的结构示意图;
[0035]图5为本专利技术一实施例中振膜组件的剖面示意图;
[0036]图6为本专利技术一实施例中发声装置的结构示意图;
[0037]图7为本专利技术一实施例中发声装置的分解示意图;
[0038]图8为本专利技术一实施例中发声装置的剖面示意图。
[0039]附图标号说明:
[0040][0041][0042]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0043]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0044]需要说明,本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
[0045]同时,全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为,包括三个方案,以“A和/或B”为例,包括A方案,或B方案,或A和B同时满足的方案。
[0046]另外,在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于发声装置的振膜,其特征在于,所述振膜具有首尾相连的长轴边和短轴边,所述长轴边和所述短轴边的长度比值大于或等于2;所述振膜设有镂空部和连接部,所述连接部的两端连接于所述镂空部对应所述长轴边的相对两侧边,以将所述镂空部分隔为间隔设置的镂空孔。2.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,定义所述长轴边的长度为L1,定义所述短轴边的长度为L2,定义所述镂空孔的垂直投影面积为S,定义所述镂空孔的数量为N,N≥2;其中,(N*S)/(L1*L2)≥0.27。3.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述连接部沿所述长轴边方向的延伸长度d1与所述长轴边的长度L1的比值范围为0.04~0.8;且/或,所述连接部沿所述短轴边方向的延伸长度d2与所述短轴边的长度L2的比值范围为0.05~0.8。4.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述连接部包括多个,多个所述连接部间隔设置。5.根据权利要求4所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,多个所述连接部沿所述长轴边的延长方向间隔排布;且/或,多个所述连接部以所述镂空部的中心轴线呈对称设置。6.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述振膜的杨氏模量范围为20MP~350MP;且/或,所述振膜的拉伸强度范围为30MP~100MP。7.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述长轴边和所述短轴边的长度比值小于等于3.5。8.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:外壳;磁路系统,所述磁路系统连接于所述外壳,所述磁路系统...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓松徐志刚张健
申请(专利权)人:歌尔股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1