高密度纳米晶片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，所述微针阵列中，微针高度不超过100微米，微针密度为10根/cm2～100000根/cm2，微针的高宽比为1:1至30:1。通过提高纳米晶片的微针密度，并将微针高度限定为不超过100微米，使纳米晶片上单位面积内微针数量大幅增加，微针数量提高后，可以在皮肤角质层上形成更多的微型通道，从而可以提高纳米晶片的透皮效率。以提高纳米晶片的透皮效率。以提高纳米晶片的透皮效率。

【技术实现步骤摘要】
高密度纳米晶片


[0001]本技术属于经皮输送器械
，尤其涉及一种纳米晶片。

技术介绍

[0002]纳米晶片，包括基片和位于基片表面的微针阵列。微针阵列可作用于皮肤屏障层，可以起到降低皮肤屏障的效果，增加药物的吸收效果。基片用于承载微针阵列，并与其他设备或机构连接。
[0003]纳米晶片表面微针阵列的密度和针体的高度是影响纳米晶片透皮效果的关键因素。目前常规光刻可以达到分辨率5微米，但不够支撑高宽比的微针制作。现有纳米晶片表面微针阵列的密度普遍较低，如专利CN110769891A公开了一种微针密度为50根/cm2～2000根/cm2的纳米晶片，微针相比于纳米晶片的占比依然有限，透皮效率较低。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是，提供一种高密度纳米晶片，提高微针阵列的透皮效率。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，所述微针阵列中，微针高度不超过100微米，微针密度为10根/cm2～100000根/cm2，微针的高宽比为1:1至30:1。
[0006]微针的高宽比，指的是微针的高度和微针底部宽度的比值。微针底部宽度，根据不同形状的微针，有不同计算方式。对于圆锥状或圆台状等底部为圆形的微针，微针底部宽度指微针底部直径。对于四棱锥或四棱台状的微针，指微针底部矩形的内切圆直径。对于三棱锥或三棱台状的微针，微针底部宽度指微针底部三角形外切圆的直径。对于多棱锥或多棱台状的微针，微针底部宽度指微针底部多边形的外切圆直径。
[0007]优选的，所述基片的厚度为10至300微米。
[0008]优选的，所述微针阵列中微针密度为10根/cm2、20根/cm2、50根/cm2或100根/cm2。
[0009]优选的，所述微针阵列中微针密度为3000根/cm2～100000根/cm2。
[0010]优选的，所述微针阵列中微针的高宽比为2:1至5:1。
[0011]优选的，其特征在于，所述微针阵列中微针高度为30微米、50微米或80微米。
[0012]优选的，所述基片的面积不大于4cm2。
[0013]本技术的有益效果为：通过提高纳米晶片的微针密度，并将微针高度限定为不超过100微米，使纳米晶片上单位面积内微针数量大幅增加，微针数量提高后，可以在皮肤角质层上形成更多的微型通道，从而可以提高纳米晶片的透皮效率。
附图说明
[0014]图1为本技术侧面示意图；
[0015]图2为本技术正面示意图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0017]实施例一
[0018]如图1和2所示，一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，基片1厚度H2为200微米，微针阵列中，微针高度H1为80微米，微针密度为156根/cm2，微针的高宽比为2:1，微针底部宽度W为40微米，基片的面积为1cm2。图中比例或数量不代表真实比例或数量。
[0019]微针底部宽度W，根据不同形状的微针，有不同计算方式。对于圆锥状或圆台状等底部为圆形的微针，W指微针底部直径。对于四棱锥或四棱台状的微针，W指微针底部矩形的内切圆直径。对于三棱锥或三棱台状的微针，W指微针底部三角形外切圆的直径。对于多棱锥或多棱台状的微针，W指微针底部多边形的外切圆直径。
[0020]通过控制纳米晶片的基片的厚度在10至300微米内，使纳米晶片适应于滑动使用，保证纳米晶片在滑动使用过程中侧面边缘不容易影响到皮肤，保障用户的使用体验，避免不良反应的发生。
[0021]实施例二
[0022]一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，基片1厚度H2为10微米，微针阵列中，微针高度H1为20微米，微针密度为1000根/cm2，微针的高宽比为1:1，微针底部宽度W为20微米，基片的面积为1.6cm2。
[0023]实施例三
[0024]一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，基片1厚度H2为300微米，微针阵列中，微针高度H2为90微米，微针密度为100000根/cm2，微针的高宽比为30:1，微针底部宽度W为3微米，基片的面积为2.5cm2。
[0025]实施例四
[0026]一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，基片1厚度H2为100微米，微针阵列中，微针高度H2为60微米，微针密度为10000根/cm2，微针的高宽比为5:1，微针底部宽度W为12微米，基片的面积为4cm2。
[0027]实施例五
[0028]一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，基片1厚度H2为50微米，微针阵列中，微针高度H2为20微米，微针密度为6400根/cm2，微针的高宽比为1:1，微针底部宽度W为20微米，基片的面积为0.64cm2。
[0029]实施例六
[0030]一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，基片1厚度H2为250微米，微针阵列中，微针高度H2为70微米，微针密度为3600根/cm2，微针的高宽比为7:1，微针底部宽度W为10微米，基片的面积为0.81cm2。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度纳米晶片，包括基片和设于基片表面的微针阵列，其特征在于，所述微针阵列中，微针高度不超过100微米，微针密度为10根/cm2～100000根/cm2，微针的高宽比为1:1至30:1。2.根据权利要求1所述的高密度纳米晶片，其特征在于，所述基片的厚度为10至300微米。3.根据权利要求1所述的高密度纳米晶片，其特征在于，所述微针阵列中微针密度为100根/cm2、1000根/cm2、10000根/cm2或100000...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClA六一M三七零零，
申请(专利权)人：苏州纳通生物纳米技术有限公司，
类型：新型
国别省市：