一种晶圆结构的切片方法技术

本申请提供一种晶圆结构的切片方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干器件区和若干切割道区；在所述器件区形成第一沟槽、以及在所述切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；在所述晶圆第一面形成承载基底；使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆；去除所述承载基底，使所述若干器件区分离。本申请所述的晶圆结构的切片方法，可以避免对晶圆造成损坏，提高器件可靠性，提高切割晶圆的效率，节约成本。节约成本。节约成本。

A slicing method of wafer structure

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆结构的切片方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆结构的切片方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，当在晶圆上制成晶粒(die)后，还需要通过切割工艺将晶圆切割为单个的晶粒，之后将该些晶粒封装形成可直接使用的芯片。切割过程在切割道中进行，然而切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处，所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。此外，随着半导体制程的发展，半导体器件尺寸越来也小，晶圆上芯片密度越来越大，导致切割道的面积占比越来越大，降低了晶圆表面的面积利用率，而且大量的切割工程降低了生产效率，提高了生产成本。
[0003]因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种晶圆结构的切片方法，一方面可以避免切割晶圆时对晶圆造成损坏，从而提高器件可靠性；另一方面可以提高切割晶圆的效率，节约成本。
[0005]本申请的一个方面提供一种晶圆结构的切片方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干用于形成半导体器件的器件区和若干用于形成切割道的切割道区，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；在所述晶圆第一面的器件区形成第一沟槽、以及在所述晶圆第一面的切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应；在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；在所述晶圆第一面形成承载基底；使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆；去除所述承载基底，使所述若干器件区分离。
[0006]在本申请的一些实施例中，所述贯穿孔的宽度为10纳米至50微米，所述第二沟槽的宽度小于等于60微米。
[0007]在本申请的一些实施例中，所述第一沟槽和所述第二沟槽同步形成。
[0008]在本申请的一些实施例中，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面临时键合承载晶圆，所述承载晶圆为所述承载基底。
[0009]在本申请的一些实施例中，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面以及所述第二沟槽中形成有机胶层，所述有机胶层为所述承载基底。
[0010]在本申请的一些实施例中，使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆的方法包括：减薄所述晶圆的第二面至暴露所述第二沟槽。
[0011]在本申请的一些实施例中，使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆的方法包括：刻蚀所述晶圆的第二面至连通所述第二沟槽。
[0012]在本申请的一些实施例中，所述半导体器件为电容器，在所述第一沟槽中形成半
导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔的方法包括：在所述第一沟槽底部和侧壁、所述晶圆第一面以及所述第二沟槽底部和侧壁依次形成下电极层、介电层和上电极层，所述下电极层、介电层和上电极层填满所述第一沟槽，但不填满所述第二沟槽，所述第一沟槽中的下电极层、介电层和上电极层形成所述电容器，所述第二沟槽中的下电极层、介电层和上电极层形成所述填充层。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述半导体器件为图像传感器中的深沟槽隔离结构，在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔的方法包括：在所述第一沟槽底部和侧壁、所述晶圆第一面以及所述第二沟槽底部和侧壁形成隔离材料层，所述隔离材料层填满所述第一沟槽，但不填满所述第二沟槽；去除高于所述晶圆第一面的隔离材料层，所述第一沟槽中的隔离材料层形成所述深沟槽隔离结构，所述第二沟槽中的隔离材料层形成所述填充层。
[0014]在本申请的一些实施例中，在所述晶圆第一面形成承载基底之前，还包括：在所述晶圆第一面以及所述第二沟槽底部和侧壁形成绝缘介质层；在所述晶圆第一面的绝缘介质层中形成电连接所述半导体器件的金属连线层。
[0015]本申请提供一种晶圆结构的切片方法，在器件区刻蚀制作半导体器件时，同步在切割道区刻蚀形成贯穿槽，通过所述贯穿槽分离器件区，实现切片，一方面可以避免切割晶圆时对晶圆造成损坏，从而提高器件可靠性；另一方面可以提高切割晶圆的效率，节约成本。
附图说明
[0016]以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本申请的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的专利技术意图。应当理解，附图未按比例绘制。其中：
[0017]图1为本申请实施例所述的晶圆结构的切片方法的流程图；
[0018]图2至图15为本申请实施例所述的晶圆结构的切片方法中各步骤的结构示意图。
具体实施方式
[0019]以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本申请不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。
[0020]下面结合实施例和附图对本专利技术技术方案进行详细说明。
[0021]图1为本申请实施例所述的晶圆结构的切片方法的流程图。
[0022]本申请的实施例提供一种晶圆结构的切片方法，参考图1所示，包括：
[0023]步骤S1：提供晶圆，所述晶圆包括若干用于形成半导体器件的器件区和若干用于形成切割道的切割道区，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；
[0024]步骤S2：在所述晶圆第一面的器件区形成第一沟槽、以及在所述晶圆第一面的切
割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应；
[0025]步骤S3：在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；
[0026]步骤S4：在所述晶圆第一面形成承载基底；
[0027]步骤S5：使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆；
[0028]步骤S6：去除所述承载基底，使所述若干器件区分离。
[0029]图2至图15为本申请实施例所述的晶圆结构的切片方法中各步骤的结构示意图。下面结合附图对本申请实施例所述的晶圆结构的切片方法进行详细说明。
[0030]参考图1和图2所示，步骤S1，提供晶圆100，所述晶圆100包括若干用于形成半导体器件的器件区101和若干用于形成切割道的切割道区102，所述晶圆包括相对的第一面110和第二面120。
[0031]在半导体制程中，当在晶圆上制成晶粒后，还需要通过切割工艺将晶圆切割为单个的晶粒，切割过程就是在切割道中进行。因此，晶圆100上除了包括若干用于形成半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构的切片方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干用于形成半导体器件的器件区和若干用于形成切割道的切割道区，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；在所述晶圆第一面的器件区形成第一沟槽、以及在所述晶圆第一面的切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应；在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；在所述晶圆第一面形成承载基底；使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆；去除所述承载基底，使所述若干器件区分离。2.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，所述贯穿孔的宽度为10纳米至50微米，所述第二沟槽的宽度小于等于60微米。3.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽同步形成。4.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面临时键合承载晶圆，所述承载晶圆为所述承载基底。5.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，在所述晶圆第一面形成承载基底的方法包括：在所述晶圆的第一面以及所述第二沟槽中形成有机胶层，所述有机胶层为所述承载基底。6.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆的方法包括：减薄所述晶圆的第二面至暴露所述第二沟槽。7.如权利要求1所述的晶圆结构的切片方法，其特征在于，使所述第二沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛春艳，
申请(专利权)人：丰非芯上海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：