半导体工艺设备及其工艺腔室制造技术

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：工艺管、腔室组件及尾气装置；腔室组件设置于工艺管内，腔室组件的两端分别形成有传输口及尾气口；尾气装置设置于工艺管内，并且位于尾气口的一侧，尾气装置的壳体上开设有导入口及导出口，导入口与流体通道的一端连通，流体通道与竖直方向形成第一预设夹角，流体通道的另一端与缓冲腔连通，缓冲腔与导出口连通，导出口用于将缓冲腔内的尾气排出；止挡台阶设置于缓冲腔内的与流体通道的连接处，用于防止缓冲腔内的尾气倒流至流体通道内。本申请实施例能避免尾气及颗粒倒灌对晶圆造成污染，从而大幅提高外延工艺质量。量。量。

Semiconductor process equipment and its process chamber

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其工艺腔室


[0001]本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

技术介绍

[0002]目前，碳化硅(SiC)外延工艺使用氢气作为输运气体，输送硅源、碳源和掺杂气体进入工艺腔室，工艺腔室为减压环境，压力通常为80mbar～100mbar。一般情况下，外延工艺中仅有部分反应物在晶圆表面生长，形成所需要的外延层，或者在工艺腔室的内壁上生长产生附着涂层(coating)，多余的反应物会在工艺腔室中反应形成颗粒，在工艺腔室的后端及尾气管路中沉积。尾气中的颗粒在气流不稳定的情况下容易倒灌至反应空间内在晶圆表面沉积，而碳化硅外延工艺非常容易受到表面颗粒影响，从而造成晶圆表面延伸出现生长缺陷以及大幅降低外延质量，因此减少尾气倒灌及抑制颗粒沉积对于外延工艺质量的提升就非常有必要。
[0003]现有技术中,工艺腔室具有用于容置晶圆的工艺腔，工艺腔内的尾气在经过尾气防护件后排出工艺管外。尾气防护件为嵌套于工艺管内的环形结构，以在一定程度上会阻挡倒灌的气流。但是在实际应用时，尾气直接撞击在工艺管的端部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：工艺管、腔室组件及尾气装置；所述腔室组件设置于所述工艺管内，所述腔室组件形成有用于容置晶圆的工艺腔，所述腔室组件的两端分别形成有传输口及尾气口，所述传输口用于向所述工艺腔内通入工艺气体，所述尾气口用于导出所述工艺腔内的尾气；所述尾气装置设置于所述工艺管内，并且位于所述尾气口的一侧，所述尾气装置包括有壳体、流体通道、缓冲腔及止挡台阶，其中：所述壳体上开设有导入口及导出口，并且所述导入口靠近所述尾气口设置，所述流体通道和所述缓冲腔形成于所述壳体的内部，所述导入口与所述流体通道的一端连通，所述导入口用于将所述尾气导流至所述流体通道内，所述流体通道与竖直方向形成第一预设夹角，所述流体通道的另一端与所述缓冲腔连通，所述缓冲腔与所述导出口连通，所述导出口用于将所述缓冲腔内的尾气排出；所述止挡台阶设置于所述缓冲腔内的与所述流体通道的连接处，用于防止所述缓冲腔内的尾气倒流至所述流体通道内。2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述壳体的顶壁在竖直方向上的高度低于所述尾气口的高度，所述壳体的顶壁与所述工艺管之间配合形成有用于传输所述晶圆的传输腔，所述传输腔通过所述尾气口与所述工艺腔连通，以传输所述晶圆。3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述导入口开设于所述壳体的顶壁，且所述导入口的开口方向与所述尾气口的开口方向具有第二预设夹角；所述导出口开设于所述壳体的远离所述流体通道的底壁或侧壁。4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述尾气装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐柯柯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：