本发明专利技术提供了一种锗蒸发料及其制备方法与应用，所述制备方法包括依次进行的破碎、粗筛、精筛、研磨与清洗；所述粗筛得到的筛上物返回进行破碎，筛下物进行精筛；所述精筛得到的筛上物进行研磨，筛下物直接进行清洗；所述制备方法得到的锗蒸发料平均粒径≤5mm。本发明专利技术提供的制备方法高效且易于工艺化生产半导体用锗颗粒蒸发料，满足了半导体行业对高纯度、高质量锗蒸发料的需求。高质量锗蒸发料的需求。
A germanium evaporating material and its preparation method and Application
【技术实现步骤摘要】
一种锗蒸发料及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种锗蒸发料，尤其涉及一种锗蒸发料及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]锗作为一种红外光学材料，具有红外折射率高、红外透过波段范围宽、吸收系数小、色散率低、易于加工等优点，特别适用于军工及重大民用中的热成像仪与红外雷达及其他红外光学装置的窗口、透镜、棱镜与滤光片等制备材料。
[0003]随着半导体行业的飞速发展，蒸发镀膜用锗蒸发料的需求量日益增长，尤其是高纯度、高质量的锗颗粒供不应求，亟需开发一种高效且易于工艺化生产的半导体用锗颗粒蒸发料的制备方法。
[0004]CN 112961652A公开了一种多形态蓝宝石研磨材料的生产方法，所述方法包括配料、熔融、破碎、整形筛分。鄂破破碎后的部分物料经磁选、整形、筛分、风洗选出合格粒径，制得F砂蓝宝石研磨材料，可用于团结磨具的加工生产；辊破破碎后的部分物料经分段筛、分号筛多级筛分成不同粒度后，风洗清洗可制得普通P砂蓝宝石研磨材料；将上述操作后的所有剩余物料混合，风力选型出等积体，经二次煅烧回火，制备重结晶蓝宝石研磨材料，可用于涂附磨具的加工和生产；对普通P砂蓝宝石研磨材料进行去静电处理，可得去静电P砂蓝宝石研磨材料。
[0005]CN 107497574A公开了一种高纯超白石英砂的加工工艺，通过颚式破碎、圆锥破碎，清洗，分级，研磨、分选、除铁后制备而成。在传统工艺上进行多级优化处理，通过逐级颗粒细分，且在浆料阶段采用水分离方式进行相应的处理，保证了本专利技术中获得的石英砂品质高，性能好。
[0006]然而上述专利技术提供的方法仅适用于石英材料的破碎，并不适用于锗蒸发料的制备。因此，如何提供一种高效且易于工艺化生产的半导体用锗颗粒蒸发料的制备方法，成为了目前本领域技术人员迫切需要解决的问题。
技术实现思路
[0007]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种锗蒸发料及其制备方法与应用，所述制备方法高效且易于工艺化生产半导体用锗颗粒蒸发料，满足了半导体行业对高纯度、高质量锗蒸发料的需求。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种锗蒸发料的制备方法，所述制备方法包括依次进行的破碎、粗筛、精筛、研磨与清洗。
[0010]所述粗筛得到的筛上物返回进行破碎，筛下物进行精筛。
[0011]所述精筛得到的筛上物进行研磨，筛下物直接进行清洗。
[0012]所述制备方法得到的锗蒸发料平均粒径≤5mm，例如可以是1mm、1.5mm、2mm、
2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0013]本专利技术通过依次进行的破碎、筛分、研磨和清洗将锗锭转化为锗蒸发料，其中的筛分进一步细分为粗筛和精筛，这种两级式筛分不仅改善了所得锗蒸发料粒度的均匀性，而且提升了大颗粒筛上物的利用率，实现了锗锭完全转化为锗蒸发料。因此，所述制备方法高效且易于工艺化，满足了半导体行业对高纯度、高质量锗蒸发料的需求。
[0014]优选地，所述破碎包括利用破碎机对锗锭进行破碎。
[0015]优选地，所述破碎机包括颚式破碎机、反击式破碎机、冲击式破碎机、圆锥式破碎机、复合式破碎机、单段式破碎机或对辊式破碎机中的任意一种，进一步优选为颚式破碎机。
[0016]优选地，所述锗锭的纯度≥5N，例如可以是5N、6N、7N或8N，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0017]本专利技术中，5N纯度具体是指锗锭的纯度为99.999％，即5指代纯度中数字9的个数，6N、7N与8N的含义同理，在此不做赘述。
[0018]优选地，所述粗筛采用筛网的网孔平均直径为6
‑
10mm，例如可以是6mm、6.5mm、7mm、7.5mm、8mm、8.5mm、9mm、9.5mm或10mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0019]优选地，所述精筛采用筛网的网孔平均直径为3
‑
5mm，例如可以是3mm、3.2mm、3.4mm、3.6mm、3.8mm、4mm、4.2mm、4.4mm、4.6mm、4.8mm或5mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]优选地，所述研磨包括在研磨机中混合锗颗粒、研磨液和研磨料进行研磨。
[0021]优选地，所述研磨机包括磁力研磨机。
[0022]优选地，所述研磨液包括油剂研磨液。
[0023]优选地，所述研磨料包括研磨球和/或研磨针。
[0024]优选地，所述研磨球包括不锈钢球。
[0025]优选地，所述不锈钢球的规格为例如可以是例如可以是或但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0026]优选地，所述研磨针包括不锈钢针。
[0027]优选地，所述不锈钢针的规格为例如可以是例如可以是或但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0028]优选地，所述锗颗粒与研磨液的混合质量比为(6
‑
8):1，例如可以是6:1、6.2:1、6.4:1、6.6:1、6.8:1、7:1、7.2:1、7.4:1、7.6:1、7.8:1或8:1，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0029]优选地，所述锗颗粒与研磨料的混合质量比为(10
‑
20):1，例如可以是10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，但并不仅限于所列举的数值，该数值
范围内其他未列举的数值同样适用。
[0030]本专利技术中，所述锗颗粒与研磨料的混合质量比需保持在合理范围内。当混合质量比小于10:1，即研磨料过多时，单次研磨的锗颗粒过少，导致研磨效率降低；当混合质量比大于20:1，即锗颗粒过多时，混合的研磨料过少，导致粒度均匀性降低。
[0031]优选地，所述研磨的频率为35
‑
50Hz，例如可以是35Hz、36Hz、38Hz、40Hz、42Hz、44Hz、46Hz、48Hz或50Hz，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0032]本专利技术中，所述研磨的频率具体是指磁力研磨机的设定工作频率。
[0033]优选地，所述研磨的时间为5
‑
10min，例如可以是5min、5.5min、6min、6.5min、7min、7.5min、8min、8.5min、9min、9.5min或10min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0034]优选地，所述清洗包括在清洗槽中混合锗颗粒和清洗液进行超声波清洗。
[0035]优选地，所述清洗液本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锗蒸发料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括依次进行的破碎、粗筛、精筛、研磨与清洗；所述粗筛得到的筛上物返回进行破碎，筛下物进行精筛；所述精筛得到的筛上物进行研磨，筛下物直接进行清洗；所述制备方法得到的锗蒸发料平均粒径≤5mm。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述破碎包括利用破碎机对锗锭进行破碎；优选地，所述破碎机包括颚式破碎机、反击式破碎机、冲击式破碎机、圆锥式破碎机、复合式破碎机、单段式破碎机或对辊式破碎机中的任意一种，进一步优选为颚式破碎机；优选地，所述锗锭的纯度≥5N。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述粗筛采用筛网的网孔平均直径为6
‑
10mm；优选地，所述精筛采用筛网的网孔平均直径为3
‑
5mm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述研磨包括在研磨机中混合锗颗粒、研磨液和研磨料进行研磨；优选地，所述研磨机包括磁力研磨机；优选地，所述研磨液包括油剂研磨液；优选地，所述研磨料包括研磨球和/或研磨针；优选地，所述研磨球包括不锈钢球；优选地，所述不锈钢球的规格为优选地，所述研磨针包括不锈钢针；优选地，所述不锈钢针的规格为5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述锗颗粒与研磨液的混合质量比为(6
‑
8):1；优选地，所述锗颗粒与研磨料的混合质量比为(10
‑
20):1；优选地，所述研磨的频率为35
‑
50Hz；优选地，所述研磨的时间为5
‑
10min。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述清洗包括在清洗槽中混合锗颗粒和清洗液进行超声波清洗；优选地，所述清洗液包括无水乙醇和/或异丙醇，进一步优选为异丙醇；优选地，所述锗颗粒与清洗液的混合体积比为1:(1
‑
5)；优选地，所述超声波清洗的频率为20
‑
80KHz；优选地，所述超声波清洗的时间为20
‑
30min。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述清洗之后还对锗蒸...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，边逸军，慕二龙，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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